고속 복구 다이오드 구형 부품 번호 5SDF ABB 교체

디스크 설계의 고속 복구 다이오드는 최대 4500V의 차단 전압과 최대 1340A의 정격 전류를 지원하는 프레스 팩 타입의 범용 다이오드입니다.

Fast 복구 다이오드 ADF AS ENERGITM 는 표준 고속 복구 다이오드 ABB 파워 그리드 스위스, 히타치 에너지의 대체 아날로그 대체 반도체 장치입니다.

"디스크 장치용 공랭식 히트싱크 O 시리즈", "에어 히트싱크 SF 시리즈", "워터 히트싱크 SS 시리즈" 사이리스터 냉각용 제품도 주문할 수 있습니다.

고속 복구 다이오드용 부품 번호 가이드

youtube비디오: 고전력 디스크 다이오드에 대한 리뷰

icon AS ENERGITM 반도체 제조 참조

OLD 부품 번호는 단종되어 더 이상 생산되지 않는 다이오드 제품군으로, AS ENERGITM는 OLD 부품 번호 고속 복구 다이오드 ABB(ABB - Polovodice 제품 상호 참조 목록)에 대한 아날로그를 제공합니다.

고속 복구 다이오드는 특히 게이트 턴오프 및 고속 사이리스터 인버터에 사용되는 병렬 방지 다이오드 및 초퍼용 다이오드로 사용하기에 적합합니다.

특징: 동급 최고의 성능과 안정성, 회선 주파수에 최적화, 낮은 온상태 손실, 높은 역전압 및 고전류 처리 기능, 높은 서지 성능.

정류기 다이오드는 최대 7.2kV의 전압을 가진 회로에서 최대 12.1kA의 DC 및 AC 전류를 변환합니다. 주요 응용 분야는 가변 대형 AC 드라이브, 트랙션 컨버터, 선로변전소, 용접 및 DC 전원 공급 장치용 정류기입니다. 이 장치는 주로 최대 500Hz의 라인 주파수를 사용하는 애플리케이션을 위한 것입니다.

다이오드에는 산업 표준 세라믹 하우징이 있어 기존 장비에 쉽게 통합할 수 있습니다. 이 다이오드에는 압력 접점이 있는 디스크 하우징이 있습니다. 다이오드(양극, 음극)의 극성은 케이스의 아이콘으로 확인할 수 있습니다. 기술 사양, 부품 번호 가이드, 데이터시트 PDF, 정류기 다이오드에 대한 개요 도면은 아래에 나와 있습니다.

정류기 다이오드 의 특징은 다음과 같습니다: 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 VRSM/VRRM 값, 다양한 산업에서 디바이스를 사용한 광범위한 경험, 100~9000V의 전압 범위 및 10~15000A의 암페어, 열 및 전기 사이클에 대한 높은 저항성입니다.

당사는 정류기 다이오드에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 다이오드를 공급할 때 필요한 경우 기술 여권과 적합성 인증서를 제공합니다.

자세히 보기

고속 복구 다이오드의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

고속 복구 다이오드 5SDF ABB 및 교체품의 일반 사양

ABB - 폴로보디체 제품 상호 참조 목록

유형 IF(AV)M VRRM IFSM VF0 rF 패키지 치수 교체
AS ENERGITM
데이터시트
ABB 부품 번호 폴로보디체 부품 번호 A V A V mΩ ØDxØdxH PDF
5SDF 03D4004 DC 827-300-40 N 275 4000 5000 2.15 2.8 D 60x34x26 ADF 300-40-D-04
5SDF 03D4504 DC 827-300-45 N 275 4500 5000 2.15 2.8 D 60x34x26 ADF 300-45-D-04
5SDF 11H4005 DC 8891100-40 P 1340 4000 23000 2.429 0.645 H 102x63x26 ADF 1100-40-H-05
5SDF 11H4505 DC 8891100-45 P 1340 4500 23000 2.429 0.645 H 102x63x26 ADF 1100-45-H-05
5SDF 12F2505 DM 8181200-25 P 1256 2500 19000 1.195 0.245 F 75x47x26 ADF 1200-25-F-05
5SDF 12F3005 DM 8181200-30 P 1256 3000 19000 1.195 0.245 F 75x47x26 ADF 1200-30-F-05
5SDF 08F4005 DM 818800-40 P 767 4000 15000 1.807 0.735 F 75x47x26 ADF 800-40-F-05
5SDF 08F4505 DM 818800-45 P 767 4500 15000 1.807 0.735 F 75x47x26 ADF 800-45-F-05
5SDF 12T2505 DM 818C-1200-25 P 1256 2500 19000 1.195 0.245 T2 74.5x47x22 ADF 1200-25-T-05
5SDF 12T3005 DM 818C-1200-30 P 1256 3000 19000 1.195 0.245 T2 74.5x47x22 ADF 1200-30-T-05
5SDF 08T4005 DM 818C800-40 P 767 4000 15000 1.807 0.735 T2 74.5x47x22 ADF 800-40-T-05
5SDF 08T4505 DM 818C800-45 P 767 4500 15000 1.807 0.735 T2 74.5x47x22 ADF 800-45-T-05
5SDF 04D4004 DM 827360-40 N 361 4000 6000 1.858 1.543 D 58.5x34x26 ADF 400-40-D-04
5SDF 04D4504 DM 827360-45 N 361 4500 6000 1.858 1.543 D 58.5x34x26 ADF 400-45-D-04
5SDF 06D2504 DM 827620-25 N 615 2500 10000 1.196 0.461 D 58.5x34x26 ADF 600-25-D-04
5SDF 06D3004 DM 827620-30 N 615 3000 10000 1.196 0.461 D 58.5x34x26 ADF 600-30-D-04
5SDF 04T4004 DM 827C360-40 N 361 4000 6000 1.858 1.543 T1 58.5x34x20 ADF 400-40-T-04
5SDF 04T4504 DM 827C360-45 N 361 4500 6000 1.858 1.543 T1 58.5x34x20 ADF 400-45-T-04
5SDF 06T2504 DM 827C620-25 N 615 2500 10000 1.196 0.461 T1 58.5x34x20 ADF 600-25-T-04
5SDF 06T3004 DM 827C620-30 N 615 3000 10000 1.196 0.461 T1 58.5x34x20 ADF 600-30-T-04

고속 복구 다이오드용 부품 번호 안내서:

A DF 800 45 F 05
A brand AS ENERGITM
DF 제품 그룹: 다이오드, 고속 복구.
800 평균 온 상태 전류 IF(AV), Amp.
45 전압 등급 VRRM / 100.
F 하우징(패키지) 유형.
05 버전 번호.

고전력 반도체 AS ENERGITM

당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 광범위한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 애벌런치, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 방열판의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 소자를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며 대량 주문 시 가격이 저렴해집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

파워 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매와 관련된 질문은 다음 주소로 이메일을 보내주세요:

[email protected]

그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공합니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.


사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGITM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.



정류기 다이오드 사진:


디스크형 전원 정류 다이오드에 대한 설치 권장 사항:

방열판으로 다이오드 조립하기

전체 온도 범위에서 사이리스터와 쿨러의 결합 표면 사이의 열 전달 및 전기적 접촉의 신뢰성은 적절한 토크(클램핑력)에 의해 보장됩니다.

조립하기 전에 (1) 접촉면에 기계적 손상이 있는지 육안으로 검사하고 (2)는 알코올(톨루엔, 가솔린, 아세톤)에 적셔 검사해야 합니다.

검사 후 현재 접점(리드)을 고정하고 핀을 설치하여 구조의 정렬을 고정합니다.

열 전달 매개 변수를 개선하려면 조립 전에 (3) 실리콘 열 전도성 페이스트의 얇은 층을 권장하며 이는 설치를위한 필수 조건이 아닙니다.

사이리스터 (3), 쿨러의 두 번째 부품, 유리섬유 절연체 및 스러스트 와셔를 설치합니다.

트래버스 strong>(4)를 끼우고 너트를 고르게 조입니다. 접촉면의 정렬이 잘못되지 않고 균일한지 확인합니다.

부품이 충분히 고정되었지만 움직일 수 있는 경우 쿨러를 평평한 표면에 놓고 표면 (5)의 전체 인접 평면의 평행도에 대한 공차를 확인하는 것이 좋습니다.

각 너트를 차례로(약 1/4 바퀴) 스톱 (6)에 고정합니다. 트래버스의 편향 정도에 따라 달성된 클램핑 력이 필요한 클램핑 력과 일치하는지 여부가 결정됩니다.

설치 후에는 패스너(너트 및 와셔)를 부식되지 않도록 추가로 고정해야 합니다.


전원 다이오드에 대한 팁 및 권장 사항:

파워 다이오드는 모든 파라미터에 대해 한계 부하에서 장시간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 필요한 신뢰도에 따라 결정됩니다.

고장난 전원 다이오드를 교체할 다이오드의 매개변수와 일치하는 다이오드로 교체합니다.

주변 온도가 높은 환경에서 작동할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

적절한 열 방출을 위해 전원 다이오드와 쿨러를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 좋습니다.

병렬로 연결된 파워 다이오드 간의 전류를 균등화하려면 유도성 전류 분배기(종종 꼬인 토로이달 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 많이 사용되는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 파워 다이오드입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율은 마그네틱 와이어의 단면에 의해 결정됩니다.

전원 다이오드를 직렬로 연결할 때 전압 불균형을 방지하려면 각 다이오드에 병렬로 연결된 션트 저항을 사용해야 합니다. 과도 상태에서의 전압 균등화는 각 다이오드에 커패시터를 병렬로 연결하여 제공됩니다.

작동 중 고전압 상태에서 전원 다이오드를 만지는 것은 엄격히 금지되어 있습니다.


icon AS ENERGI를 선택하는 이유TM

  • 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
  • 유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
  • 반도체 산업에서 20년 이상의 경험
  • 50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
  • 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
  • 다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
  • 보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

 

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

Certificates

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

테스트 보고서

파트너십 지역

AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

지리

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

물류

AS ENERGITM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.


주요 제품:

 

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