스터드형 사이리스터 및 정류 다이오드용 공랭식 히트싱크

에어 쿨링 히트싱크는 스탯 타입 파워 SCR 사이리스터와 다이오드의 단면 냉각을 위해 사용됩니다.

히트싱크는 10A에서 500A까지의 전류와 1800V까지의 V_DRM/V_RRM 전압을 가진 반도체 장치에 사용됩니다.

히트싱크는 ISO 스레드 직경이 M5, M6, M8, M10, M12, M20x1.5, M24x1.5인 스탯 반도체에 사용됩니다.

특징: 자연 공기 냉각 및 강제 공기 냉각; 부식 저항성 알루미늄 합금; 낮은 열 저항; 장착 슬롯으로 쉬운 설치; 표준 모델과 맞춤형 모델 모두 가능.

최소 전기 손실과 최대 열 분산을 위해, 전원 장치 사양에 명시된 적절한 토크 Md를 준수해야 합니다.

에어 히트싱크(쿨러, 라디에이터)가 사용되는 SCR 사이리스터와 정류 다이오드의 전류 범위: 10A, 15A, 16A, 20A, 25A, 30A, 32A, 40A, 50A, 60A, 63A, 80A, 100A, 125A, 150A, 160A, 200A, 250A, 300A, 320A, 400A, 500A.

히트싱크와 전원 장치의 접촉 면은 낮은 거칠기와 평탄도 편차를 가져야 합니다.

히트싱크, 전류 접촉 및 반도체 장치의 접촉 면을 장착하기 전에 알콜(톨루엔, 벤젠, 아세톤)에 적신 천으로 닦고, 실리콘 유기 열전도성 페이스트를 얇은 층으로 바르는 것이 좋습니다(이는 권장 사항이며 설치 필수 사항은 아닙니다).

에어 쿨링 히트싱크(라디에이터)의 사양, 파라미터, 치수 및 도면은 아래에 나와 있습니다.

당사는 에어 쿨링 히트싱크에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 히트싱크를 공급할 때 필요에 따라 기술 여권을 제공합니다.

에어 쿨링 히트싱크의 최종 가격은 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

스터드형 전력 반도체용 공랭식 방열판

타입	적용 가능한 스터드 나사	자연 냉각에 의한 전력 손실 (P_F)	열 저항 R_th(h-a)		흐름 저항 ΔPh	장착 토크 Md, ±10%	냉각 표면적	무게 (전력 접촉 없이)	외형, 크기 B×L×H (전력 접촉 없이)	전류를 위한 장치에 적용
		자연 냉각에 의한 전력 손실 (P_F)	자연 냉각	강제 냉각 (공기 흐름 V_cfh=6 m/s)	흐름 저항 ΔPh	장착 토크 Md, ±10%	냉각 표면적	무게 (전력 접촉 없이)	외형, 크기 B×L×H (전력 접촉 없이)
		W	°C/W	°C/W	Pa	N·m	cm²	kg	mm
O111	M5	10	5.6	-	-	2.0	-	0.092	35×60×40	10A - 25A
O221	M6	18	2.8	-	-	2.5	432.478	0.156	45×60×60	20A - 40A
O231	M8	30	2.12	0.67	15	5.0	635.406	0.370	45×80×80	25A - 80A
O331	M8	30	2.12	0.67	15	5.0	635.406	0.378	45×80×80	25A - 80A
O241	M10	30	2.12	0.67	15	10	635.406	0.375	45×80×80	60A - 100A
O541	M10	50	1.90	0.67	15	10	635.406	0.420	45×80×80	60A - 100A
O151	M12	50	1.90	0.67	15	20	635.406	0.420	45×80×80	80A - 160A
O371	M20x1.5	50	1.90	0.67	15	50	635.406	0.420	45×80×80	200A - 400A
O171	M20x1.5	80	1.12	0.355	18	50	1249.94	0.670	70×80×100	200A - 400A
O181	M24x1.5	80	1.12	0.355	18	60	1249.94	0.700	70×80×100	200A - 500A
O271	M20x1.5	130	0.71	0.236	25	50	2173.508	1.750	110×110×100	200A - 400A
O281	M24x1.5	130	0.71	0.236	25	60	2173.508	1.750	110×110×100	200A - 500A

스터드형 반도체를 위한 공랭식 히트싱크 적용

유형	적용 가능한 스터드 나사	전류가 적용되는 장치	응용 패키지 유형	응용 다이오드, 서미스터 유형
O111	M5	10A - 25A	SD1, ST1	D112, DL112, T112, TS112
O221	M6	20A - 40A	SD2, ST2	D122, DL122, T122, TS122
O231	M8	25A - 80A	SD3, ST3, ST3-1	D132, DL132, T132, TS132
O331	M8	25A - 80A	SD3, ST3, ST3-1	D132, DL132, T132, TS132
O241	M10	60A - 100A	SD4, ST4, ST4-1	D141, T142, TS142
O541	M10	60A - 100A	SD4, ST4, ST4-1	D141, T142, TS142
O151	M12	80A - 160A	SD5, SD8, ST5	D151, T151, TF251
O371	M20x1.5	200A - 400A	SD6, ST6	D161, DL161, T161, TS161, TS261, TF261
O171	M20x1.5	200A - 400A	SD6, ST6	D161, DL161, T161, TS161, TS261, TF261
O181	M24x1.5	200A - 500A	SD7, ST7, D.SB1, T.SB1	D171, DL171, T171, TL171, TL271, TL371, TS171, TF271, TFI271
O271	M20x1.5	200A - 400A	SD6, ST6	D161, DL161, T161, TS161, TS261, TF261
O281	M24x1.5	200A - 500A	SD7, ST7, D.SB1, T.SB1	D171, DL171, T171, TL171, TL271, TL371, TS171, TF271, TFI271

공랭식 히트싱크의 부품 번호 가이드:

–

110

O	–	제품 그룹: 반도체용 방열판.
2	–	방열판 디자인 수정 일련 번호.
8	–	스터드형 방열판용 나사산 직경에 따른 시리즈 코딩.
1	–	장치의 방열판 디자인 수정 일련 번호입니다: 1 - 스터드 마운트 버전.
100	–	방열판 길이, mm.

고전력 반도체 AS ENERGI^TM

저희 회사는 다양한 전력 반도체(전력 스위칭 다이오드, 모듈, 정류 다이오드, 아발란슈 다이오드, 회전 및 용접 다이오드, 트라이액 등)의 제조 및 판매를 하고 있으며, 최대 15000A의 전류와 최대 9000V의 전압을 처리할 수 있습니다. 또한 이에 적합한 공기 및 수냉식 히트싱크도 제공합니다.
반도체 장치는 어떤 수량으로도 구매가 가능하며, 대량 주문 시 가격이 더 저렴해집니다. 저희는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계로 제품을 공급하고 있습니다.

전력 스위칭 다이오드, 다이오드, 모듈 구매 관련 질문은 다음 이메일로 문의해 주세요:

[email protected]

그 후, 배송에 대한 상업적인 제안을 드리겠습니다.
대량 주문 시, 개별 가격을 제공해 드립니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.

사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

사진 더 보기

스터드형 반도체용 공기 냉각 방열판 사진:

공기 방열판으로 스터드 사이리스터를 조립하기 위한 권장 사항입니다:

전체 온도 범위에서 thyristor와 쿨러의 맞닿은 표면 사이의 열 전달과 전기적 접촉의 신뢰성은 적절한 토크에 의해 보장됩니다.

조립 전, 시각적 검사 (1)를 수행하여 접촉 표면에 기계적 손상이 있는지 확인하고, 알콜(톨루엔, 가솔린, 아세톤)로 적신 천으로 (2) 닦아야 합니다.

열 전달 성능을 개선하려면, 조립 전 실리콘 열전도성 페이스트의 얇은 층을 도포 (3)하는 것이 좋습니다 (이는 권장사항이며 설치를 위한 필수 조건은 아닙니다).

설치 후, 패스너(너트와 와셔)는 부식에 대해 추가로 보호해야 합니다.

파워 사이리스터에 대한 팁 및 권장 사항:

파워 사이리스터는 모든 매개변수에서 최대 부하 상태에서 장시간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우, 안전 계수는 장치의 요구되는 신뢰성 정도에 따라 결정됩니다.

고장난 파워 사이리스터는 교체되는 사이리스터의 매개변수에 맞는 사이리스터로 교체해야 합니다.

주변 온도가 높은 환경에서 작동할 때는 초냉각이 제공되어야 합니다.

적절한 열 방출을 보장하기 위해 파워 사이리스터와 쿨러는 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 권장됩니다.

병렬로 연결된 파워 사이리스터 간의 전류를 균등하게 분배하기 위해 유도 전류 분배기(종종 꼬인 토로이드 형태의 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 일반적인 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로, 또는 파워 사이리스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율성은 자기 와이어의 단면적에 의해 결정됩니다.

파워 사이리스터가 직렬로 연결될 때 전압 불균형을 방지하려면 각 사이리스터와 병렬로 연결된 샌트 저항기를 사용해야 합니다. 과도 상태에서 전압 평형은 각 사이리스터에 병렬로 연결된 커패시터를 통해 제공됩니다.

작동 중인 고전압 파워 사이리스터를 만지는 것은 엄격히 금지됩니다.

AS ENERGI를 선택하는 이유^TM

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
반도체 산업에서 20년 이상의 경험
50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

Tags: 히트 싱크, 라디에이터, 스터드 사이리스터 히트 싱크, 스크류 히트 싱크 10A, 히트 싱크 25A, 히트 싱크 50A, 히트 싱크 80A, 스크류 히트 싱크 100A, 스크류 히트 싱크 125A, 스크류 히트 싱크 150A, 히트 싱크 160A, 스크류 히트 싱크 200A, 히트 싱크 250A, 스크류 히트 싱크 300A, 320A, 스크류 히트 싱크 400A, 스크류 히트 싱크 500A, 다이오드 히트 싱크, 히트 싱크 어셈블리, 사이리스터 다이오드 용 에어 히트 싱크, 에어 히트 싱크 카탈로그 카탈로그 pdf, 히트 싱크 가격, 에어 히트 싱크 데이터 시트, 인증서, 제조, 에어 히트 싱크 라디에이터의 기술 사양