고속 사이리스터 파워렉스 교체

빠른 타이리스터 파워엑스 AS ENERGITM 디스크 디자인과 스터드 타입의 빠른 스위칭 반도체 장치입니다. 빠른 타이리스터는 증가된 di/dt 저항, 낮은 스위칭 손실, 짧은 턴온 및 턴오프 시간과 같은 요구사항을 충족합니다. DC 및 AC 전류를 2100A까지 조정하고 변환하며, 전압은 2000V까지 지원합니다.

빠른 타이리스터의 양극과 음극(극성)은 케이스에 표시된 기호에 의해 결정됩니다.

파워 타이리스터는 작동 중 냉각을 위해 쿨러(히트싱크)와 함께 장착됩니다. 반도체에서 발생하는 열의 양과 작동 조건에 따라 자연 공기 흐름 냉각 또는 강제 냉각을 사용할 수 있습니다. 조립 시, 각 타이리스터 패키지 유형에 대해 필요한 클램핑 힘 Fm (매개변수 표에 표시된 대로)을 제공해야 합니다.

빠른 타이리스터는 온대, 차가운 기후 및 열대 기후에서 사용할 수 있도록 제작될 수 있습니다. 디스크 타입 Powerex 빠른 타이리스터는 빠른 스위칭과 전류 제어가 필요한 다양한 전력 변환기(예: 용해로)에서 사용됩니다.

사양 및 매개변수, 데이터시트 PDF, 치수, 도면, 타이리스터 케이스 다이어그램, 권장 쿨러는 아래에 나열되어 있습니다.

당사는 구매일로부터 2년 동안 빠른 타이리스터 Powerex에 대한 품질 보증을 제공합니다. 타이리스터를 공급할 때, 필요한 경우 기술 여권과 적합성 인증서를 제공합니다.

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고속 디스크 사이리스터 파워렉스의 최종 가격은 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

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저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.


고속 사이리스터 파워렉스의 일반 사양

유형 VRRM IF(AV)
(TC)
ITSM tq RthJC 체결력 / 장착 토크 개요 치수
ØDxØdxH
교체
AS ENERGITM
데이터 시트
V A A µs °C/W mm PDF
고속 사이리스터 스터드 유형
최대 1400V
T507-14-40 1400 40 (70) 1 10 to 50 0.28 15 Nm T50 0.500-20 UNF-2A A-T507-14-40
T507-14-70 1400 70 (70) 1.2 10 to 50 0.28 15 Nm T50 0.500-20 UNF-2A A-T507-14-70
T507-14-80 1400 80 (70) 1.4 10 to 50 0.28 15 Nm T50 0.500-20 UNF-2A A-T507-14-80
T607-12-13 1200 125 (70) 3.5 10 to 50 0.13 33 Nm T60 0.75-16 UNF-2A A-T607-12-13
T607-12-15 1200 150 (70) 4 10 to 50 0.13 33 Nm T60 0.75-16 UNF-2A A-T607-12-15
T607-12-18 1200 175 (70) 4.5 10 to 50 0.13 33 Nm T60 0.75-16 UNF-2A A-T607-12-18
T707-08-33 800 325 (70) 8 10 to 50 0.1 39 Nm T70 0.750-16 UNF-2A A-T707-08-33
T707-10-28 1000 275 (70) 7 10 to 50 0.1 39 Nm T70 0.750-16 UNF-2A A-T707-10-28
T707-12-25 1200 250 (70) 7 25 to 60 0.1 39 Nm T70 0.750-16 UNF-2A A-T707-12-25
T707-14-30 1400 300 (70) 8 25 to 60 0.1 39 Nm T70 0.750-16 UNF-2A A-T707-14-30
Fast Thyristors Disc Type
Up to 800V
T727-08-40 800 400 (70) 7 10 to 50 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T727-08-40
T727-08-48 800 475 (70) 8 10 to 50 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T727-08-48
T7S7-08-55 800 550 (70) 8.5 10 to 50 0.035 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7S7-08-55
T72H-08-40 800 400 (70) 7 10 to 20 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T72H-08-40
T7S7-08-65 800 650 (70) 9.5 10 to 50 0.035 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7S7-08-65
T72H-08-48 800 475 (70) 8 20 to 40 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T72H-08-48
T7SH-08-50 800 500 (70) 8.5 10 to 20 0.045 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7SH-08-50
T7SH-08-60 800 600 (70) 9 20 to 40 0.045 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7SH-08-60
Up to 1400V
T7H6-12-49 1200 515 (85) 7.6 30 0.04 8.9 to 10.7 kN T7H 42x25x15.5 A-T7H6-12-49
T727-14-35 1400 350 (70) 7 15 to 60 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T727-14-35
T727-14-45 1400 450 (70) 8 15 to 60 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T727-14-45
T7S7-12-50 1200 500 (70) 8 25 to 60 0.035 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7S7-12-50
T7S7-12-60 1200 600 (70) 9 15 to 60 0.035 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7S7-12-60
T72H-12-35 1200 350 (70) 7 10 to 50 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T72H-12-35
T72H-14-45 1400 450 (70) 7.5 25 to 50 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T72H-14-45
T7SH-12-40 1200 400 (70) 8 10 to 50 0.045 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7SH-12-40
T7SH-14-45 1400 450 (70) 8.5 25 to 50 0.045 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7SH-14-45
T826-12-75 1200 970 (55) 11.7 20 0.025 13.3 to 17.8 kN T82 58.5x34x27 A-T826-12-75
T82F-12-65 1200 650 (70) 8.5 15 to 50 0.037 16 to 18 kN T82 58.5x34x27 A-T82F-12-65
T82F-12-75 1200 750 (70) 10 25 to 60 0.037 16 to 18 kN T82 58.5x34x27 A-T82F-12-75
T9K6-14-09 1400 1180 (55) 16.15 25 0.02 22.2 to 24.5 kN T9K 74x47x27 A-T9K6-14-09
T9GH-12-10 1200 1000 (70) 15 20 to 60 0.023 22 to 25 kN T9G 74x47x27.7 A-T9GH-12-10
T9GH-12-11 1200 1100 (70) 17 40 to 60 0.023 22 to 25 kN T9G 74x47x27.7 A-T9GH-12-11
T627-12-15 1200 150 (70) 3.5 10 to 50 0.08 4.5 to 6.3 kN T62 42x19x14 A-T627-12-15
T627-12-20 1200 200 (70) 4 10 to 50 0.08 4.5 to 6.3 kN T62 42x19x14 A-T627-12-20
T627-12-25 1200 250 (70) 4.5 10 to 50 0.08 4.5 to 6.3 kN T62 42x19x14 A-T627-12-25
C458PD 1400 - 16 30 to 35 0.023 22.2 to 26.6 kN T9G 74x47x27.7 A-C458PD
Up to 2000V
T72H-18-42 1800 420 (70) 6.8 80 to 100 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T72H-18-42
T72H-18-30 1800 300 (70) 7 40 to 60 0.06 9 to 11 kN T72 58.5x34x27 A-T72H-18-30
T7SH-18-36 1800 360 (70) 8 40 to 60 0.045 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7SH-18-36
T7SH-18-46 1800 460 (70) 8.5 80 to 100 0.045 9 to 11 kN T7S 42x25x14.4 A-T7SH-18-46
C612L 2000 600 (70) 9 55 to 60 0.045 16 to 18 kN T82 58.5x34x27 A-C612L
C613L 2000 550 (70) 6.5 45 to 50 0.045 16 to 18 kN T82 58.5x34x27 A-C613L
C712L 2000 1100 (70) 20 55 0.023 22.2 to 26.6 kN T9G 74x47x27.7 A-C712L
C713L 2000 1000 (70) 15 45 to 50 0.023 22.2 to 26.6 kN T9G 74x47x27.7 A-C713L
C714L 2000 925 (70) 16 40 to 45 0.023 22.2 to 26.6 kN T9G 74x47x27.7 A-C714L
C770L 2000 2100 (70) 33 60 0.01 40 to 44.5 kN TB2 110x73x38 A-C770L

고속 사이리스터 파워렉스의 부품 번호 안내서:

A - T 627 - 12 - 20 - M
A brand AS ENERGITM
T 제품 그룹: 고속 사이리스터.
627 유형 번호.
12 전압 등급 (VRRM x 100).
20 전류 등급:
T5 - (x 1);
T6, T7, T8 - (x 10);
T9, TA, TB, TC, TD - (x 100)
.
M 수정.

AS ENERGI의 고전력 반도체

당사는 전력 반도체(파워 사이리스터, 다이오드, 모듈)의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
사이리스터는 어떤 수량으로도 구매할 수 있으며, 대량 주문 시 가격이 저렴해집니다.
우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

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사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGITM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.


파워 디스크 사이리스터용 방열판:

방열판(라디에이터)은 디스크 설계에서 전력 반도체 장치의 단면 및 양면 냉각에 사용됩니다.

쿨러의 방열판은 알루미늄 라디에이터 프로파일로 만들어지며 다양한 기후 조건에서 사용할 때 추가 보호 코팅이 필요하지 않습니다.

히트싱크에 대한 자세한 정보를 보려면: "디스크 장치용 공기 냉각 히트싱크 O 시리즈", "공기 히트싱크 SF 시리즈", "수냉식 히트싱크 SS 시리즈".


icon AS ENERGI를 선택하는 이유TM

  • 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
  • 유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
  • 반도체 산업에서 20년 이상의 경험
  • 50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
  • 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
  • 다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
  • 보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

 

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

Certificates

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

테스트 보고서

파트너십 지역

AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

지리

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

물류

AS ENERGITM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.


주요 제품:

 

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Selected Products:

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