고속 스위칭 사이리스터 100A – 320A, 스터드 패키지

스터드 설계의 고속 스위칭 사이리스터(TFI) 는 “고속 임펄스 사이리스터(TFI)라고도 하는 고속 스위칭 반도체 장치입니다. 고속 스위칭 사이리스터는 증가된 di/dt 저항, 낮은 스위칭 손실, 짧은 턴온 및 턴오프 시간 등의 요구 사항을 충족합니다. 주파수 범위에서 DC 및 AC 전류를 320A로 조절 및 변환하는 것은 전압이 최대 1800V(직렬에 따라 다름)인 회로에서 최대 10kHz입니다.

파워 스터드 고속 스위칭 사이리스터 시리즈 TFI에는 다음과 같은 유형(전류)이 있습니다: 100 A, 120 A, 125 A, 150 A, 160 A, 200 A, 250 A, 300 A, 320 암페어.

고전력 스터드 고속 스위칭 사이리스터 시리즈

파워 스터드 고속 스위칭 사이리스터용 부품 번호 안내서

파워 스터드 고속 스위칭 사이리스터용 기술 패스포트

파워 스터드 사이리스터의 설치 권장 사항

고속 스위칭 사이리스터란 역회복 전하 Qrr이 추가로 정규화된 사이리스터입니다. 이러한 장치는 전면에서 상승 속도가 빠르고 진폭이 큰 전류 펄스를 스위칭하는 데 적합합니다.

고속 사이리스터는 더 높은 주파수 모드(최대 10kHz)에서 작동하도록 설계된 t_q, t_rr, Q_rr 값이 감소되고 (di_T/dt)_cr 값이 더 높은(최대 2500A/µs) 장치입니다. 사이리스터 파라미터 V_TM, t_q, Q_rr의 값은 서로 연결되어 있으므로 t_q 와 Q_rr의 값이 감소하면 V_TM이 증가합니다..

고속 스위칭(펄스) 사이리스터는 턴오프 시간이 매우 짧아 표준 모델과 차별화되는 특징이 있습니다. 이 제품은 용접, 유도 가열 및 용융, 전기 운송, AC 드라이브, UPS 및 기타 짧은 턴온 및 턴오프 시간이 필요한 시스템에 사용됩니다. 사이리스터는 기능 부품과 반도체 소자를 기계적 충격과 환경으로부터 분리하는 산업 표준 세라믹 밀폐형 하우징을 갖추고 있습니다.

사이리스터의 극성은 케이스의 아이콘에 따라 결정됩니다. 이 페이지에는 양극, 음극 및 제어 전극(게이트)이 있는 스터드 고속 사이리스터의 회로도와 회로도가 나와 있습니다. 스터드 고속 사이리스터의 기술 사양, 부품 번호 가이드, 극성, 치수 및 권장 쿨러는 아래에 나와 있습니다.

공기 및 물 방열판은 스터드 사이리스터를 냉각하는 데 사용됩니다. 방열판과의 안정적인 열 및 전기 접촉을 위해 조립 시 체결 토크 M_d를 준수해야 합니다. 조립 중 사이리스터의 열 방출을 개선하기 위해 열 전도성 페이스트가 사용됩니다.

고속 사이리스터는 기능 부품과 반도체 소자를 기계적 충격과 환경으로부터 격리하는 밀폐형 세라믹 하우징을 갖추고 있습니다.

AS Energi Global LLC의 고속 스위칭 스터드 사이리스터는 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 값의 V_DRM/V_RRM, 다양한 산업에서 장치를 사용한 광범위한 경험, 600 ~ 1800V의 전압 범위 및 100 ~ 320A의 전류, 열 및 전기 순환에 대한 높은 저항, 자연 또는 강제 공기 냉각 등의 특징을 가지고 있습니다.

당사는 스터드 사이리스터에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 품질 선언 및 적합성 인증서를 제공합니다.

고속 스위칭 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

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사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

사진 더 보기

스터드 빠른 스위칭 사이리스터 TFI261, TFI361, TFI271, TFI371 (100A – 320A)

유형	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	M_d ±10%	W	패키지	스레드	데이터 시트
유형	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	N·m	g	패키지	mm	PDF
100 A
TFI361-100	100 (93)	600-1200	2.5	312	1000	800	12.5-50	125	0.150	25	240	ST6	M20x1.5
125 A
TFI261-125	125 (88)	800-1400	4.5	80	200-2500	1000	16-32	125	0.150	25	240	ST6 (T.SA1)	M20x1.5
TFI361-125	129 (80)	600-1200	2.6	100	1000	800	20-25	125	0.160	25	240	ST6	M20x1.5
160 A
TFI261-160	160 (83)	800-1400	5.5	140	200-2500	1000	20-40	125	0.150	25	240	ST6 (T.SA1)	M20x1.5
TFI271-160	160 (98)	1000-1400	6.0	170	200-2500	1600	16-32	125	0.085	30	440	ST7	M24x1.5
TFI371-160	160 (98)	600-1200	4.0	80	1000	1000	10-32	125	0.084	30	440	ST7	M24x1.5
200 A
TFI271-200	200 (95)	1000-1400	6.5	200	200-2500	1600	20-40	125	0.085	30	440	ST7	M24x1.5
TFI371-200	200 (90)	600-1800	6.0	180	1000	1000	25-50	125	0.084	30	440	ST7 (T.SB2)	M24x1.5
250 A
TFI271-250	250 (88)	1000-1400	7.0	230	200-2500	1600	25-50	125	0.085	30	440	ST7	M24x1.5
TFI371-250	250 (93)	1000-1400	7.0	240	200-2500	1600	25-50	125	0.085	30	470	ST7	M24x1.5
320 A
TFI271-320	320 (77)	1000-1400	7.5	260	200-2500	1600	32-63	125	0.080	30	440	ST7	M24x1.5

고속 스위칭 사이리스터용 부품 번호 안내서:

TFI

271

–

200

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TFI

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AS ENERGI^TM 고속 스위칭 사이리스터(고속 임펄스 사이리스터)

271

–

사이리스터 유형(스터드 유형).

200

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개방 상태의 평균 전류 I_T(AV), Amp.

–

전압 등급 V_RRM / 100 (공칭 전압 – 1400 V).

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오프 상태 전압의 임계 상승률 매개변수 (dV_D/dt)_crit:

영숫자 코딩	0	P3	E3	A3	P2	K2	Е2	A2	T1	P1	M1
디지털 코딩	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9
가치, V/µs	표준화되지 않음	20	50	100	200	320	500	1000	1600	2000	2500

–

끄기 시간 매개변수 t_q:

영숫자 코딩	0	C3	E3	H3	K3	M3	P3	T3	X3	A4	B4	C4	E4
디지털 코딩	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9	–	–
가치, µs	표준화되지 않음	63	50	40	32	25	20	16	12.5	10	8	6.3	5

–

켜기 시간 매개변수 t_gt:

영숫자 코딩	0	T3	A4	B4	C4	H4	K4	M4	P4	T4	X4	A5	C5
디지털 코딩	0	–	–	–	–	1	2	3	4	5	6	7	8
가치, µs	표준화되지 않음	16	10	8	6.3	4	3.2	2.5	2.0	1.6	1.25	1.0	0.63

참고: 고속 스위칭 사이리스터(TFI)를 위한 동적 파라미터 그룹 식별

사이리스터용 테크니컬 패스포트(샘플):

사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.

고전력 반도체 AS ENERGI^TM

당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 다양한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 히트싱크의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다. 반도체를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며, 대량으로 주문하면 가격이 저렴해집니다.
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고속 스위칭(스터드) 사이리스터 사진:

고속 사이리스터에 대한 설치 권장 사항:

전체 온도 범위에서 사이리스터와 쿨러의 결합 표면 사이의 열 전달 및 전기적 접촉의 신뢰성은 적절한 토크(클램핑력)에 의해 보장됩니다.

조립하기 전에 (1) 접촉면에 기계적 손상이 있는지 육안으로 검사하고 (2)는 알코올(톨루엔, 가솔린, 아세톤)에 적셔 검사해야 합니다.

검사 후 현재 접점(리드)을 고정하고 핀을 설치하여 구조의 정렬을 고정합니다.

열 전달 매개 변수를 개선하려면 조립 전에 (3) 실리콘 열 전도성 페이스트의 얇은 층을 권장하며 이는 설치를위한 필수 조건이 아닙니다.

사이리스터 (3), 쿨러의 두 번째 부품, 유리섬유 절연체 및 스러스트 와셔를 설치합니다.

트래버스 strong>(4)를 끼우고 너트를 고르게 조입니다. 접촉면의 정렬이 잘못되지 않고 균일한지 확인합니다.

부품이 충분히 고정되었지만 움직일 수 있는 경우 쿨러를 평평한 표면에 놓고 표면 (5)의 전체 인접 평면의 평행도에 대한 공차를 확인하는 것이 좋습니다.

각 너트를 차례로(약 1/4 바퀴) 스톱 (6)에 고정합니다. 트래버스의 편향 정도에 따라 달성된 클램핑 력이 필요한 클램핑 력과 일치하는지 여부가 결정됩니다.

설치 후에는 패스너(너트 및 와셔)를 부식되지 않도록 추가로 고정해야 합니다.

파워 사이리스터에 대한 팁 및 권장 사항:

파워 사이리스터는 모든 파라미터에 대해 한계 부하에서 장시간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 요구되는 신뢰성 정도에 따라 결정됩니다.

고장난 전원 사이리스터를 교체할 사이리스터의 매개변수와 일치하는 사이리스터로 교체합니다.

주변 온도가 높은 환경에서 작동할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

적절한 열 방출을 위해 파워 사이리스터와 쿨러를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 좋습니다.

병렬로 연결된 파워 사이리스터 간의 전류를 균등화하려면 유도성 전류 분배기(종종 꼬인 토로이달 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 많이 사용되는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 파워 사이리스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율은 마그네틱 와이어의 단면에 의해 결정됩니다.

파워 사이리스터를 직렬로 연결할 때 전압 불균형을 방지하려면 각 사이리스터에 병렬로 연결된 션트 저항을 사용해야 합니다. 과도 상태에서의 전압 균등화는 각 사이리스터에 커패시터를 병렬로 연결하여 제공됩니다.

작동 중 고전압 상태에서 파워 사이리스터를 만지는 것은 엄격히 금지되어 있습니다.

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각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
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AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

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