단일 정류기 다이오드 모듈 인피니언 대체품

표준 복구 다이오드라고도 하는 단일 정류기 다이오드 모듈은 프레스 팩 타입의 범용 다이오드입니다.

특징: 회선 주파수에 최적화, 낮은 온상태 손실, 높은 역전압 및 고전류 처리 기능.

정류기 다이오드 AMND 및 AMDZ AS ENERGI^TM는 단일 정류기 다이오드 모듈 ND, DZ 시리즈 Infineon Technologies, Eupec의 대체 아날로그 대체 반도체 장치입니다.

정류기 다이오드용 부품 번호 안내서

icon AS ENERGI^TM 반도체 제조 참조

"디스크 장치용 공랭식 히트싱크 O 시리즈", "에어 히트싱크 SF 시리즈", "워터 히트싱크 SS 시리즈" 다이오드 냉각용 제품도 주문할 수 있습니다.

다이오드에는 산업 표준 세라믹 하우징이 있어 기존 장비에 쉽게 통합할 수 있습니다. 이 다이오드에는 압력 접점이 있는 디스크 하우징이 있습니다. 다이오드(양극, 음극)의 극성은 케이스의 아이콘으로 확인할 수 있습니다. 다이오드에 대한 기술 사양, 부품 번호 가이드, 데이터시트는 아래에 나와 있습니다.

정류기 다이오드 AS ENERGI^TM의 특징은 다음과 같습니다: 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 V_RSM/V_RRM 값, 다양한 산업에서 디바이스를 사용한 광범위한 경험, 100~9000V의 전압 범위 및 100~7500A의 암페어, 열 및 전기 사이클에 대한 높은 저항성입니다.

당사는 정류기 다이오드에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 다이오드를 공급할 때 필요한 경우 기술 여권과 적합성 인증서를 제공합니다.

표준 정류기 다이오드의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

단일 정류기 다이오드 모듈 인피니언 및 대체품의 일반 사양

유형	I_F(AV)M	V _RRM V _DRM	I_FSM	I ²t	V _T0	r _T	T _{vj max}	R _th(j-c)	W	패키지, 치수 L×B×H	교체 AS ENERGI ^TM	데이터 시트
유형	A	V	A	kA ²·s	V	mΩ	ºC	K/W	g	mm	교체 AS ENERGI ^TM	PDF
ND89N16K	89	1600	2400	28.8	0.75	2.3	150	0.45	160	DP20 92x20x30	AMND89N16K
ND89N12K	89	1200	2400	28.8	0.75	2.3	150	0.45	160	DP20 92x20x30	AMND89N12K
ND104N18K	104	1800	2500	31.25	0.7	2.1	150	0.39	160	DP20 92x20x30	AMND104N18K
ND104N16K	104	1600	2500	31.25	0.7	2.1	150	0.39	160	DP20 92x20x30	AMND104N16K
ND104N12K	104	1200	2500	31.25	0.7	2.1	150	0.39	160	DP20 92x20x30	AMND104N12K
ND171N18K	170	1800	5600	157	0.75	0.8	150	0.26	310	DP34 94x34x30	AMND171N18K
ND171N16K	170	1600	5600	157	0.75	0.8	150	0.26	310	DP34 94x34x30	AMND171N16K
ND261N26K	260	2600	8300	344	0.7	0.68	150	0.17	700	DP50ND 92x50x52	AMND261N26K
ND260N16K	260	1600	8300	344	0.7	0.68	150	0.17	700	DP50ND 92x50x52	AMND260N16K
ND260N14K	260	1400	8300	344	0.7	0.68	150	0.17	700	DP50ND 92x50x52	AMND260N14K
DZ435N40K	435	4000	12000	720	0.84	0.6	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ435N40K
DZ435N36K	435	3600	12000	720	0.84	0.6	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ435N36K
DZ540N26K	540	2600	14000	980	0.78	0.31	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ540N26K
DZ540N22K	540	2200	14000	980	0.78	0.31	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ540N22K
DZ600N18K	600	1800	19000	1805	0.75	0.22	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ600N18K
DZ600N16K	600	1600	19000	1805	0.75	0.22	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ600N16K
DZ600N12K	600	1200	19000	1805	0.75	0.22	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ600N12K
DZ950N44K	950	4400	29000	4205	0.85	0.28	150	0.042	2750	DP70 104x70x90	AMDZ950N44K
DZ950N36K	950	3600	29000	4205	0.85	0.28	150	0.042	2750	DP70 104x70x90	AMDZ950N36K
DZ1070N28K	1070	2800	35000	6125	0.8	0.17	160	0.045	2750	DP70 104x70x90	AMDZ1070N28K
DZ1070N26K	1070	2600	35000	6125	0.8	0.17	160	0.045	2750	DP70 104x70x90	AMDZ1070N26K
DZ1100N22K TIM	1100	2200	40000	8000	0.75	0.073	150	0.048	1950	DP70A 104x70x90	AMDZ1100N22K-TIM
DZ1100N22K	1100	2200	40000	8000	0.75	0.073	150	0.048	1950	DP70A 104x70x90	AMDZ1100N22K
DZ1070N22K	1100	2200	35000	6125	0.75	0.073	150	0.045	1950	DP70A 104x70x90	AMDZ1070N22K
DZ1070N18K	1100	1800	35000	6125	0.75	0.073	150	0.045	1950	DP70A 104x70x90	AMDZ1070N18K

단일 정류기 다이오드 모듈용 부품 번호 안내서:

1070

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	제품 그룹: 모듈.
DZ	–	구성: 단일 다이오드.
1070	–	평균 온 상태 전류 I_F(AV), Amp.
N	–	위상 제어 장치.
26	–	전압 등급 V_RRM / 100.
K	–	기계적 구조: 압력 접촉 기술

고전력 반도체 AS ENERGI^TM

당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 광범위한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 애벌런치, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 방열판의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 소자를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며 대량 주문 시 가격이 저렴해집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

파워 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매와 관련된 질문은 다음 주소로 이메일을 보내주세요:

[email protected]

그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공합니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.

사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

사진 더 보기

전원 모듈 장착을 위한 권장 사항

방열판 및 표면 사양, 준비하기

양호한 열 접촉을 보장하고 데이터시트에 명시된 열 접촉 저항 값을 얻으려면 방열판의 접촉 표면이 깨끗하고 먼지 입자가 없어야 합니다. 장착 과정 직전에 물티슈와 알코올 세정제(예: 이소프로판올)로 방열판의 장착 표면을 닦는 것이 좋습니다. 다음 기계적 사양을 충족해야 합니다:
– 방열판 장착 영역의 불균일성은 100mm당 50μm여야 합니다.
– 거칠기 Rz: < 10 μm
– 단계 없음 > 10 μm

방열판 표면 사양

열 페이스트 적용

열 인터페이스 재료를 적용하려면 스텐실 인쇄를 사용하는 것이 좋습니다. 감열 페이스트 두께는 50μm~100μm 범위에서 사용하는 것이 좋습니다. 롤러를 사용하여 감열 페이스트를 도포하는 것은 최적화된 감열 페이스트 두께의 재현성을 보장할 수 없으므로 대량 생산에는 권장되지 않습니다.

방열판 M_S에 대한 장착 토크

전원 모듈을 고정하려면 적절한 와셔와 스프링 잠금 와셔 또는 조합 나사와 함께 강철 나사를 사용할 것을 강력히 권장합니다. 데이터시트에 명시된 토크 값을 준수해야 합니다.

토크를 미리 조인 후 지정된 토크 값으로 다시 조이는 것이 좋습니다. 나사 체결 과정에서는 속도를 제한해야 하며 공압 드라이버에서 발생할 수 있는 토크 피크를 피하기 위해 소프트 토크 제한을 권장합니다.

설치 순서 예시

나사는 지정된 토크 값 M_S에 도달할 때까지 여러 단계에 걸쳐 동일한 토크로 대각선 방향으로 조여야 합니다.

전원 다이오드에 대한 팁 및 권장 사항:

파워 다이오드는 모든 파라미터에 대해 한계 부하에서 장시간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 필요한 신뢰도에 따라 결정됩니다.

고장난 전원 다이오드를 교체할 다이오드의 매개변수와 일치하는 다이오드로 교체합니다.

주변 온도가 높은 환경에서 작동할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

적절한 열 방출을 위해 전원 다이오드와 쿨러를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 좋습니다.

병렬로 연결된 파워 다이오드 간의 전류를 균등화하려면 유도성 전류 분배기(종종 꼬인 토로이달 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 많이 사용되는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 파워 다이오드입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율은 마그네틱 와이어의 단면에 의해 결정됩니다.

전원 다이오드를 직렬로 연결할 때 전압 불균형을 방지하려면 각 다이오드에 병렬로 연결된 션트 저항을 사용해야 합니다. 과도 상태에서의 전압 균등화는 각 다이오드에 커패시터를 병렬로 연결하여 제공됩니다.

작동 중 고전압 상태에서 전원 다이오드를 만지는 것은 엄격히 금지되어 있습니다.

AS ENERGI를 선택하는 이유^TM

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
반도체 산업에서 20년 이상의 경험
50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

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