단상 다이오드 브리지 정류기 SKB 세미크론 교체

단상 다이오드 브리지 정류기 모놀리식 설계로 최대 70A의 부하와 최대 1800V의 역 펄스 전압을 가진 DC 및 AC 회로에 사용됩니다.

단상 다이오드 브리지 정류기 AMB AS ENERGI^TM는 단상 다이오드 브리지 세미크론의 대체품, 동급 및 대체 반도체 장치입니다.

다이오드 브리지는 표준 산업용 케이스에 들어 있어 기존 장비에 쉽게 통합할 수 있습니다.

입력에 교류가 공급됩니다 "~" 로 설정합니다. 각 반주기에서 입력 전류는 두 개의 다이오드만 통과합니다. 결과적으로 출력에서 "+" 그리고 "-" 입력 전류의 두 배 주파수로 펄싱하는 전류를 얻습니다.

단상 다이오드 브리지는 전원 공급 장치용 정류기, 가변 주파수 드라이브용 입력 정류기, DC 모터 필드 공급용 정류기, 배터리 충전기 정류기, 전원 공급 장치용 단상 정류기, 비제어 DC 모터 필드 공급, 트랜지스터화 AC 모터 컨트롤러용 DC 전원 공급 장치 등 다양한 전력 장비에 사용됩니다.

당사는 다이오드 브리지에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 다이오드 브리지를 공급할 때 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.

다이오드 브리지의 최종 가격은 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

전원 모듈, 사이리스터, 다이오드 구입에 관한 질문은 다음 주소로 이메일 요청을 보내주십시오:

[email protected]

그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공합니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.

사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

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단상 다이오드 브리지 세미크론 및 대체품의 일반 사양

유형	I_D (T_C,°C)	V_RRM V_DRM	I_TSM	I²t	V_T(T0)	r_T	T_{vj max}	R_th(j-c)	W	패키지, 치수 L×B×H	교체 AS ENERGI^TM	데이터 시트
유형	A	V	A	kA²·s	V	mΩ	ºC	K/W	g	mm	교체 AS ENERGI^TM	PDF
SKB 25
SKB 25/01	17 (75)	100	320	500	0.85	12	150	2	24	G10b 29x29x10	AMB 25-01
SKB 25/02		200									AMB 25-02
SKB 25/04		400									AMB 25-04
SKB 25/06		600									AMB 25-06
SKB 25/08		800									AMB 25-08
SKB 25/12		1200									AMB 25-12
SKB 25/14		1400									AMB 25-14
SKB 25/16		1600									AMB 25-16
SKB 26
SKB 26/02	18 (75)	200	320	500	0.85	12	150	1.9	20	G50a 29x29x10	AMB 26-02
SKB 26/04		400									AMB 26-04
SKB 26/06		600									AMB 26-06
SKB 26/08		800									AMB 26-08
SKB 26/10		800									AMB 26-08
SKB 26/12		1200									AMB 26-12
SKB 26/14		1400									AMB 26-14
SKB 26/16		1600									AMB 26-16
SKB 28
SKB 28/02	28 (85)	200	320	510	0.85	12	125	2	66	Package 1 63x32x22	AMB 28-02
SKB 28/04		400									AMB 28-04
SKB 28/08		800									AMB 28-08
SKB 28/12		1200									AMB 28-12
SKB 28/14		1400									AMB 28-14
SKB 28/16		1600									AMB 28-16
SKB 30
SKB 30/02A1	30 (94)	200	320	500	0.85	12	150	0.7	125	G12 55x45x24	AMB 30-02
SKB 30/04A1		400									AMB 30-04
SKB 30/08A1		800									AMB 30-08
SKB 30/12A1		1200									AMB 30-12
SKB 30/14A1		1400									AMB 30-14
SKB 30/16A1		1600									AMB 30-16
SKB 35
SKB 35/04	35 (29)	400	330	540	0.85	7	150	1.5	18	G10b 29x29x10	AMB 35-04
SKB 35/08		800									AMB 35-08
SKB 35/10		1000									AMB 35-10
SKB 35/12		1200									AMB 35-12
SKB 35/16		1600									AMB 35-16
SKB 52
SKB 52/04	50 (99)	400	425	900	0.85	8	150	1.5	165	Package 3 72x42x30	AMB 52-04
SKB 52/08		800									AMB 52-08
SKB 52/12		1200									AMB 52-12
SKB 52/14		1400									AMB 52-14
SKB 52/16		1600									AMB 52-16
SKB 52/18		1800									AMB 52-18
SKB 60
SKB 60/04	60 (88)	400	850	3600	0.85	5	125	1	165	Package 2 65x48x36	AMB 60-04
SKB 60/08		800									AMB 60-08
SKB 60/12		1200									AMB 60-12
SKB 60/14		1400									AMB 60-14
SKB 60/16		1600									AMB 60-16
SKB 72
SKB 72/04	70 (101)	400	640	2000	0.85	5	150	1.1	165	Package 3 72x42x30	AMB 72-04
SKB 72/08		800									AMB 72-08
SKB 72/12		1200									AMB 72-12
SKB 72/14		1400									AMB 72-14
SKB 72/16		1600									AMB 72-16
SKB 72/18		1800									AMB 72-18

단상 다이오드 브리지 정류기용 부품 번호 안내서:

A	–	AS ENERGI^TM
MB	–	제품 그룹: 단상 다이오드 브리지 정류기.
60	–	직접 출력 전류.
08	–	전압 등급 V_RRM x 100.

AS ENERGI를 선택하는 이유^TM

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
반도체 산업에서 20년 이상의 경험
50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

기록을 찾을 수 없습니다.

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