인버터 사이리스터 쿠바라 라미나 교체

인버터 사이리스터, 또는 사이리스터 SCR (실리콘 제어 정류기)는 핀 및 디스크 버전의 범용 사이리스터로, 1000A까지의 직류 및 교류 전류를 1800V까지의 회로에서 조절하고 변환합니다 (사이리스터 유형에 따라 다름).

사이리스터 A-TSP, A-TDP AS ENERGI^TM는 인버터 사이리스터 Kubara Lamina의 대체품, 유사 제품, 대안입니다.

"디스크 장치용 O 시리즈 공랭식 히트싱크", "공랭식 SF 시리즈 히트싱크", "수냉식 SS 시리즈 히트싱크"는 사이리스터 냉각용으로 주문 가능합니다.

인버터 사이리스터 부품 번호 안내

비디오: 고출력 디스크 사이리스터 리뷰

AS ENERGI^TM 반도체 제조 참조

인버터 사이리스터는 축전기와 같은 저장 에너지 소스를 부하에 연결하거나 크로우바 회로에서 부하를 우회하여 보호하는 데 사용할 수 있습니다. 전류 상승 속도가 매우 빠른 펄스 전력 애플리케이션에서 펄스 전력 스위치는 폐쇄 스위치 역할을 하며, 일반적인 위상 제어 사이리스터(SCRS)는 높은 di/dt로 인해 고장 날 가능성이 큽니다.

AS ENERGI^TM 사이리스터는 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다: 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 V_DRM/V_RRM 값, 다양한 산업에서 장치 사용에 대한 풍부한 경험, 100V에서 9000V까지의 전압 범위와 10A에서 15000A까지의 전류 범위, 높은 열 및 전기 사이클링 저항성, 자연 또는 강제 공냉 방식.

당사는 구매일로부터 2년간 사이리스터에 대한 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터를 공급할 때 필요에 따라 기술 여권과 적합성 인증서를 제공합니다.

인버터 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조사, 원산지 및 결제 방식에 따라 다릅니다.

인버터 사이리스터 Kubara Lamina 및 대체품의 일반 사양

유형	I_T(AV) (T_C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	V_T0	r_T	t_q	R_thJC	T_{vj max}	무게	패키지	교체 AS ENERGI^TM	데이터 시트
유형	A	V	kA	kA²·s	V	mΩ	µs	°C/W	ºC	g	패키지	교체 AS ENERGI^TM	PDF
사이리스터 스터드 유형
P71-225-12	225 (80)	1200	6.1	186	-	-	25	0.1	125	500	8	A-TSP71-225-12
P71-225-16	225 (80)	1600	6.1	186	-	-	25	0.1	125	500	8	A-TSP71-225-16
P71-300-06	300 (75)	600	7.4	274	-	-	20	0.1	125	500	8	A-TSP71-300-06
P71-300-08	300 (75)	800	7.4	274	-	-	20	0.1	125	500	8	A-TSP71-300-08
P71-300-12	300 (75)	1200	7.4	274	-	-	20	0.1	125	500	8	A-TSP71-300-12
P71-300-14	300 (75)	1400	7.4	274	-	-	20	0.1	125	500	8	A-TSP71-300-14
사이리스터 디스크 유형
P73-500-08	500 (70)	800	8	320	-	-	20	0.06	125	280	14	A-TDP73-500-08
P73-500-10	500 (70)	1000	8	320	-	-	20	0.06	125	280	14	A-TDP73-500-10
P73-500-12	500 (70)	1200	8	320	-	-	20	0.06	125	280	14	A-TDP73-500-12
P75-600-14	600 (55)	1400	7	245	1.37	0.62	32	0.04	125	85	13	A-TDP75-600-14
P75-600-16	600 (55)	1600	7	245	1.37	0.62	32	0.04	125	85	13	A-TDP75-600-16
P75-700-08	700 (55)	800	9.2	423	1.14	0.475	25	0.04	125	85	13	A-TDP75-700-08
P75-700-10	700 (55)	1000	9.2	423	1.14	0.475	25	0.04	125	85	13	A-TDP75-700-10
P75-700-12	700 (55)	1200	9.2	423	1.14	0.475	25	0.04	125	85	13	A-TDP75-700-12
P83-500-16	500 (80)	1600	8	320	1.35	0.65	40	0.037	125	280	14	A-TDP83-500-16
P83-600-08	600 (75)	800	9.6	460	1.2	0.52	20	0.037	125	280	14	A-TDP83-600-08
P83-600-10	600 (75)	1000	9.6	460	1.2	0.52	20	0.037	125	280	14	A-TDP83-600-10
P83-600-12	600 (75)	1200	9.6	460	1.2	0.52	20	0.037	125	280	14	A-TDP83-600-12
P83-600-14	600 (75)	1400	9.6	460	1.2	0.52	32	0.037	125	280	14	A-TDP83-600-14
P95-900-16	900 (75)	1600	15	1125	1.37	0.37	63	0.023	125	480	15	A-TDP95-900-16
P95-900-18	900 (75)	1800	15	1125	1.37	0.37	63	0.023	125	480	15	A-TDP95-900-18
P95-1000-08	1000 (75)	800	15	1125	1.33	0.27	20	0.023	125	480	15	A-TDP95-1000-08
P95-1000-10	1000 (75)	1000	15	1125	1.33	0.27	20	0.023	125	480	15	A-TDP95-1000-10
P95-1000-12	1000 (75)	1200	15	1125	1.33	0.27	20	0.023	125	480	15	A-TDP95-1000-12
P95-1000-14	1000 (75)	1400	15	1125	1.33	0.27	20	0.023	125	480	15	A-TDP95-1000-14

인버터 사이리스터용 부품 번호 안내서:

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TDP

–

600

–

A	–	AS ENERGI^TM
TDP	–	제품 그룹: 인버터 사이리스터(디스크 타입).
8	–	요소 크기 코드.
3	–	케이스 유형 코드: 1 – 스터드 베이스, 세라믹 하우징 2 – 스터드 베이스, 유리-금속 하우징 3,5 – 세라믹, 하키 푹 케이스 4 – 플랫 베이스, 세라믹 하우징 6 – 플랫 베이스, 유리-금속 하우징
600	–	개방 상태의 평균 전류 I_T(AV), Amp.
08	–	전압 등급 V_RRM / 100.

고전력 반도체 AS ENERGI^TM

당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 광범위한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 애벌런치, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 방열판의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 소자를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며 대량 주문 시 가격이 저렴해집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

전력 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매에 관한 문의는 이메일로 요청해 주세요:

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그럼 저희가 배송에 대한 상업적 제안을 드리겠습니다.
대량 구매 시 개별 가격을 제공해 드립니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.

사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

사진 더 보기

비디오: 파워 사이리스터 T143-400, T143-500, T143-630, T143-800, T143-1000

비디오: 파워 사이리스터 T153-630, T153-800, T153-1000

비디오: 파워 사이리스터 T273-1000, T273-1250, T273-2000, T273-3200, T273-4000, T273-5000

고출력 디스크 사이리스터 사진:

파워 사이리스터에 대한 설치 권장 사항:

사이리스터와 쿨러의 결합면 사이의 열 전달 및 전기 접촉 신뢰성은 전체 온도 범위에서 적절한 토크 (조임력)에 의해 보장됩니다.

조립 전에 시각적 검사 (1)를 수행하여 기계적 손상을 확인하고 알콜로 적신 천으로 닦아야 합니다 (2) (톨루엔, 가솔린, 아세톤 사용).

검사 후, 전류 접촉부 (리드)를 고정하고 구조 정렬을 고정하기 위해 핀을 설치하십시오.

열 전달 특성을 향상시키기 위해 조립 전에 실리콘 열전도성 페이스트를 얇게 도포 (3)하는 것이 권장됩니다. 이는 설치를 위한 필수 조건은 아닙니다.

사이리스터 (3), 쿨러의 두 번째 부분, 유리 섬유 절연체 및 추력 와셔를 설치하십시오.

트래버스를 나사로 (4) 연결하고 너트를 고르게 조입니다. 접촉면의 불일치와 균일성을 확인하십시오.

부품이 충분히 조여졌지만 이동이 가능하면 쿨러를 평평한 표면에 놓고 인접한 평면의 병렬도 허용오차를 확인하십시오 (5).

각 너트를 차례대로 (약 1/4회전) 정지 시까지 조입니다 (6). 트래버스의 변형량은 달성된 조임력이 요구된 것과 일치하는지 여부를 결정합니다.

설치 후, 패스너(너트 및 와셔)는 부식으로부터 추가적으로 보호해야 합니다.

파워 사이리스터에 대한 팁 및 권장 사항:

전력 사이리스터는 모든 매개변수에 대해 한계 부하에서 장기간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우, 안전 계수는 장치의 요구되는 신뢰성 수준에 의해 결정됩니다.

고장 난 전력 사이리스터는 교체되는 사이리스터의 매개변수와 일치하는 사이리스터로 교체해야 합니다.

높은 주변 온도 환경에서 작동할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

전력 사이리스터와 쿨러는 적절한 열 방출을 보장하기 위해 먼지와 오염물질을 제거하기 위해 주기적으로 청소하는 것이 권장됩니다.

병렬로 연결된 전력 사이리스터 간의 전류를 균등하게 하기 위해 유도 전류 분배기(종종 비틀어진 도넛형 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 인기 있는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 전력 사이리스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율성은 자성 와이어의 단면적에 의해 결정됩니다.

전력 사이리스터가 직렬로 연결될 때 전압 불균형을 방지하려면 각 사이리스터와 병렬로 연결된 션트 저항기를 사용해야 합니다. 과도 상태에서 전압 균등화는 각 사이리스터에 병렬로 커패시터를 연결하여 제공합니다.

작동 중 고전압 상태에서 전력 사이리스터를 만지는 것은 엄격히 금지됩니다.

AS ENERGI를 선택하는 이유^TM

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
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10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
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품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

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