위상 제어 사이리스터 파워렉스 대체품

파워 위상 제어 사이리스터, 또한 사이리스터 SCR (실리콘 제어 정류기) 또는 위상 제어 사이리스터 (PCT)로 알려져 있으며, 디스크 및 스터드 디자인 타입의 일반 용도 사이리스터로, 최대 5000A의 직류 및 교류 전류를 제어하고 변환하며, 최대 6500V의 전압 회로에서 사용됩니다.

사이리스터 A-T AS ENERGITM는 Phase Control Thyristors Powerex Europe의 대체, 아날로그, 대안 제품입니다.

"디스크 장치용 공기 냉각 히트싱크 O 시리즈", "공기 히트싱크 SF 시리즈", "수중 히트싱크 SS 시리즈"는 사이리스터 냉각을 위해 주문 가능합니다.

위상 제어 사이리스터 부품 번호 가이드

youtube영상: 고전력 디스크 사이리스터 리뷰

icon AS ENERGITM 반도체 제조 참조

특징: 고전력 산업 및 전력 전송 응용 프로그램을 위해 설계됨; 낮은 온 상태 전압 강하에 최적화; 시리즈 및/또는 병렬 연결을 위한 Qrr 및 VT 값이 일치하는 제품 제공. 이 장치는 낮은 전도 손실을 제공하도록 최적화되어 있으며, 주로 500Hz까지의 선 주파수를 가진 응용 프로그램에 적합합니다.

사이리스터는 산업 표준 세라믹 하우징을 갖추고 있어 기존 장비에 쉽게 통합할 수 있습니다. 이 사이리스터는 압력 접촉을 갖춘 디스크 하우징을 가지고 있습니다. 사이리스터의 극성은 케이스에 있는 아이콘으로 결정됩니다. 사이리스터의 기술 사양, 부품 번호 가이드, 데이터시트 PDF, 개요 도면은 아래에 나열되어 있습니다.

사이리스터 AS ENERGITM는 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다: 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 VDRM/VRRM 값, 다양한 산업에서 장치를 사용한 광범위한 경험, 100V에서 9000V까지의 전압 범위 및 10A에서 15000A까지의 전류 범위, 높은 열 및 전기 주기 내성, 자연 또는 강제 공기 냉각.

저희 회사는 사이리스터에 대해 구매일로부터 2년 간의 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 기술 여권과 적합성 인증서를 함께 제공합니다.

자세히 보기

위상 제어 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

위상 제어 사이리스터 파워렉스 및 대체품의 일반 사양

유형 VDRM
VRRM
IT(AV)M
(TC=70°C)
ITSM I2t VT0 rT Tvj max Rth(j-c) 패키지 교체
AS ENERGITM
데이터 시트
V A kA kA2·s V mΩ ºC °C/W PDF
사이리스터 스터드 유형
최대 1600V
T500-12-99 1200 100 (90) 1.8 16.2 1 1.6 125 0.22 T50 A-T500-12-99
T500-14-80 1400 80 (90) 1.6 13 1.2 2 125 0.22 T50 A-T500-14-80
T500-16-40 1600 40 (96) 1.2 6 0.91 11.85 125 0.28 T50 A-T500-16-40
T500-16-80 1600 80 (75) 1.8 13.5 0.99 3.57 125 0.28 T50 A-T500-16-80
T500-16-60 1600 60 (90) 1.1 6 1.5 4.4 125 0.22 T50 A-T500-16-60
T510-06-50 600 50 (88) 1.2 6 0.79 12.54 125 0.28 T51 A-T510-06-50
T510-06-80 600 80 (75) 1.6 10.7 0.85 4.71 125 0.28 T51 A-T510-06-80
T600-12-23 1200 225 (90) 5.7 162.5 0.88 0.7 125 0.11 T60 A-T600-12-23
T600-14-20 1400 200 (90) 5 125 1.02 0.9 125 0.11 T60 A-T600-14-20
T600-15-18 1500 175 (90) 4.3 92.5 1.17 1.2 125 0.11 T60 A-T600-15-18
T600-16-15 1600 150 (90) 3.65 66.6 1.07 1.46 125 0.13 T60 A-T600-16-15
T600-16-18 1600 175 (89) 5 125 0.90 1.26 125 0.13 T60 A-T600-16-18
T600-16-15 1600 150 (90) 4.1 84 1.27 1.3 125 0.11 T60 A-T600-16-15
T610-12-15 1200 150 (90) 3.65 6.6 - - 125 0.13 T61 A-T610-12-15
T610-12-18 1200 175 (89) 5 125 - - 125 0.13 T61 A-T610-12-18
Up to 2600V
T700-22-30 2200 300 (75) 8 320 1.02 0.80 125 0.09 T70 A-T700-22-30
T700-24-30 2400 300 (65) 7.7 296 0.88 0.92 125 0.10 T70 A-T700-24-30
T700-24-35 2400 350 (80) 9.1 414 0.83 0.61 125 0.10 T70 A-T700-24-35
T700-24-28 2400 275 (75) 7 245 1.10 1.04 125 0.09 T70 A-T700-24-28
Thyristors Disc Type
Up to 800V
TBK7-06-30 600 3000 (70) 44.2 9770 0.69 0.088 125 0.012 TB2 A-TBK7-06-30
TBS7-06-35 600 3500 (72) 44.2 9770 0.69 0.088 125 0.01 TBS A-TBS7-06-35
T9G0-06-17 600 1700 (70) 32.4 5120 0.794 0.174 125 0.023 T9G A-T9G0-06-17
T9G0-08-24 800 2400 (75) 25.5 3240 0.722 0.088 140 0.023 T9G A-T9G0-08-24
T9S0-08-34 800 3450 (70) 33.47 5600 0.722 0.088 140 0.015 T9S A-T9S0-08-34
T820-08-14 800 1450 (70) 17.25 1490 0.79 0.122 140 0.037 T82 A-T820-08-14
Up to 1800V
T620-16-20 1600 200 (87) 3.65 66.6 1.13 1.72 125 0.08 T62 A-T620-16-20
T620-16-20-M 1600 200 (90) 4.1 84 1.27 1.30 125 0.07 T62 A-T620-16-20-M
T620-14-25 1400 250 (90) 5 125 1.03 0.90 125 0.07 T62 A-T620-14-25
T620-16-30 1600 300 (80) 5 125 0.99 1.05 125 0.08 T62 A-T620-16-30
T625-12-30 1200 300 (80) 3.3 54.45 - - 150 0.08 T62 A-T625-12-30
T625-12-40 1200 400 (60) 4.55 103.5 0.77 1.24 150 0.08 T62 A-T625-12-40
T620-12-30 1200 300 (90) 5.7 162.5 0.88 0.70 125 0.07 T62 A-T620-12-30
T720-16-53 1600 525 (75) 9.2 423 0.85 0.60 125 0.05 T72 A-T720-16-53
T7H8-16-65 1600 650 (65) 8.2 336 1.03 0.628 125 0.04 T7H A-T7H8-16-65
T7H8-16-75 1600 750 (62) 9.6 461 0.97 0.48 125 0.04 T7H A-T7H8-16-75
T820-18-90 1800 900 (70) 13.7 938 0.785 0.35 125 0.037 T82 A-T820-18-90
T9G0-16-12 1600 1200 (85) 24.65 3038 0.606 0.268 125 0.023 T9G A-T9G0-16-12
T9G0-18-15 1800 1510 (78) 29.1 4230 0.755 0.226 125 0.020 T9G A-T9G0-18-15
T9G0-18-16 1800 1660 (70) 27.4 3750 0.834 0.164 125 0.023 T9G A-T9G0-18-16
T9G0-12-25 1200 2500 (85) 26.7 3564 0.848 0.159 150 0.015 T9G A-T9G0-12-25
T9G0-16-12 1600 1200 (75) 27 3645 0.94 0.18 125 0.018 T9G A-T9G0-16-12
T9S0-18-20 1800 2000 (72) 25.45 3240 0.755 0.226 125 0.015 T9S A-T9S0-18-20
TA20-18-18 1800 1800 (85) 36.5 6660 0.72 0.167 125 0.015 TA2 A-TA20-18-18
TAS0-18-26 1800 2635 (70) 35.83 6420 0.735 0.163 125 0.011 TAS A-TAS0-18-26
TBS7-16-32 1600 3200 (76) 4.,5 8200 0.776 0.089 125 0.01 TBS A-TBS7-16-32
TBK5-16-32 1600 3200 (74) 58.45 17100 0.826 0.107 125 0.01 TBK5 A-TBK5-16-32
Up to 2800V
T720-22-45 2200 450 (75) 8 320 1.02 0.80 125 0.05 T72 A-T720-22-45
T720-24-45 2400 450 (65) 7.65 292 0.93 0.90 125 0.06 T72 A-T720-24-45
T720-24-55 2400 550 (65) 9,125 416 0.99 0.47 125 0.06 T72 A-T720-24-55
T720-24-40 2400 400 (75) 7 245 1.10 1.04 125 0.05 T72 A-T720-24-40
T7S0-24-55 2400 550 (68) 7.5 234 - - 125 0.035 T72 A-T7S0-24-55
T7S0-24-65 2400 650 (70) 8.2 336 1.00 0.70 125 0.035 T72 A-T7S0-24-65
T7S0-24-75 2400 750 (73) 9.6 461 0.97 0.48 125 0.035 T72 A-T7S0-24-75
T820-24-75 2400 750 (70) 10.95 600 0.97 0.495 125 0.037 T82 A-T820-24-75
T9G0-24-10 2400 1000 (82) 15.5 1200 0.90 0.49 125 0.023 T9G A-T9G0-24-10
T9G0-24-10-M 2400 1000 (75) 17 1445 1.04 0.39 125 0.018 T9G A-T9G0-24-10-M
T9G0-20-11 2000 1100 (75) 25 3125 0.98 0.28 125 0.018 T9G A-T9G0-20-11
T9S0-22-18 2200 1800 (70) 19.42 1886 0.752 0.265 125 0.015 T9S A-T9S0-22-18
TA20-22-16 2200 1600 (80) 26.9 3618 0.89 0.215 125 0.015 TA2 A-TA20-22-16
TAS0-24-25 2400 2550 (70) 35.83 6420 0.900 0.177 125 0.011 TAS A-TAS0-24-25
TBS7-26-25 2600 2500 (80) 41.5 8610 0.95 0.123 125 0.01 TBS A-TBS7-26-25
TCU4-28-32 2800 3200 (70) 72 25900 1.062 0.121 125 0.008 TCU A-TCU4-28-32
TCS4-28-34 2800 3400 (70) 75.42 28400 0.978 0.112 125 0.008 TCS A-TCS4-28-34
TCU4-28-34 2800 3400 (70) 75.42 28400 0.978 0.112 125 0.008 TCU A-TCU4-28-34
TDK4-24-38 2400 3800 (70) 70 24500 0.954 0.099 125 0.007 TD2 A-TDK4-24-38
TDS4-24-44 2400 4400 (70) 82.97 34420 0.884 0.099 125 0.006 TDS A-TDS4-24-44
TDS5-20-50 2000 5000 (70) 84.85 36000 0.848 0.066 125 0.0065 TDS A-TDS5-20-50
Up to 3600V
T9S7-32-14 3200 1400 (67) 19.6 1920 0.923 0.449 125 0.0165 T9S A-T9S7-32-14
TAK7-32-18 3200 1800 (70) 22.16 2454 0.881 0.374 125 0.015 TAK A-TAK7-32-18
TAS7-32-21 3200 2100 (70) 28.28 4000 0.881 0.374 125 0.011 TAS A-TAS7-32-21
TBS4-36-25 3600 2500 (70) 32 5140 1.026 0.023 125 0.0085 TBS A-TBS4-36-25
TCS4-36-32 3600 3200 (70) 75 28100 0.955 0.14 125 0.008 TCS A-TCS4-36-32
TDS4-36-34 3600 3475 (70) 67.2 22600 0.914 0.145 125 0.007 TDS A-TDS4-36-34
TDK4-36-34 3600 3430 (70) 65.6 21500 0.914 0.145 125 0.007 TD2 A-TDK4-36-34
Up to 4500V
T8K7-45-35 4500 350 (76) 5.06 128 1.56 2.14 125 0.04 T82 A-T8K7-45-35
T9K7-45-08 4500 800 (79) 8 320 1.213 0.6 125 0.023 T9G A-T9K7-45-08
TAK7-44-12 4400 1200 (82) 36.5 6660 1.262 0.397 125 0.015 TAK A-TAK7-44-12
TAS7-44-16 4400 1650 (70) 20.74 2150 1.39 0.401 125 0.011 TAS A-TAS7-44-16
TBSD-45-21 4500 2115 (70) 31.7 5020 1.13 0.275 125 0.01 TBS A-TBSD-45-21
TBKD-45-19 4500 1890 (70) 31.7 5020 1.13 0.275 125 0.012 TBKD A-TBKD-45-19
TC20-44-24 4400 2450 (73) 28.28 4000 0.99 0.271 125 0.009 TC2 A-TC20-44-24
TDK4-45-30 4500 3070 (70) 52.8 13900 0.991 0.196 125 0.007 TD2 A-TDK4-45-30
TDS4-45-33 4500 3325 (70) 52.8 13900 0.991 0.196 125 0.007 TDS A-TDS4-45-33
TDS4-44-36 4400 3585 (55) 52.8 13900 0.991 0.196 125 0.006 TDS A-TDS4-44-36
Up to 6500V
T8KC-65-32 6500 325 (70) 4.24 90 1.17 3.26 125 0.042 T82 A-T8KC-65-32
T9KC-65-06 6500 600 (72) 7.3 267 1.32 1.58 125 0.023 T9K A-T9KC-65-06
TAKC-65-11 6500 1100 (70) 11.3 640 1.06 0.837 125 0.015 TAK A-TAKC-65-11
TBKC-65-12 6500 1250 (70) 20.7 2150 1.15 0.744 125 0.013 TB2 A-TBKC-65-12
TBSC-65-14 6500 1400 (70) 22.8 2600 1.15 0.744 125 0.01 TBS A-TBSC-65-14

위상 제어 사이리스터의 부품 번호 안내서:

A - T 9G0 - 24 - 10 - M
A brand AS ENERGITM
T 제품 그룹: 위상 제어 사이리스터.
9G0 유형 번호.
24 전압 등급 (VRRM x 100).
10 전류 등급:
T5 - (x 1);
T6, T7, T8 - (x 10);
T9, TA, TB, TC, TD - (x 100)
.
M 수정.

고전력 반도체 AS ENERGITM

당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 광범위한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 애벌런치, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 방열판의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 소자를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며 대량 주문 시 가격이 저렴해집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

파워 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매와 관련된 질문은 다음 주소로 이메일을 보내주세요:

[email protected]

그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공합니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.


사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGITM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.



고출력 디스크 사이리스터 사진:


파워 사이리스터에 대한 설치 권장 사항:

방열판으로 디스크 사이리스터 조립하기

사이리스터와 냉각기 사이의 맞닿은 표면 간 열전달 및 전기 접촉의 신뢰성은 전체 온도 범위에 대해 적절한 토크 (조임력)에 의해 보장됩니다.

조립 전에 시각적 검사 (1)를 통해 접촉 표면의 기계적 손상을 확인하고 알콜에 적신 천으로 닦아야 합니다 (2) (톨루엔, 가솔린, 아세톤).

검사 후 현재 접촉 (리드)을 고정하고, 구조 정렬을 고정할 핀을 설치합니다.

열전달 성능을 개선하기 위해 조립 전에 얇은 실리콘 열전도성 페이스트를 도포하는 것이 권장됩니다 (3), 그러나 이는 설치를 위한 필수 조건은 아닙니다.

사이리스터 (3), 냉각기의 두 번째 부품, 유리섬유 절연체 및 압력 와셔를 설치합니다.

트래버스를 끼우고 (4) 너트를 고르게 조입니다. 접촉 표면의 불일치와 균일성을 확인하세요.

부품이 충분히 조여졌지만 움직일 수 있을 때, 냉각기를 평평한 표면에 놓고 표면의 전체 인접 평면의 평행도 허용 오차를 확인하는 것이 좋습니다 (5).

각 너트를 차례대로 (약 1/4회전) 정지 위치까지 조입니다 (6). 트래버스의 휨 정도는 달성된 조임력이 요구되는 것에 부합하는지 여부를 결정합니다.

설치 후, 패스너(너트와 와셔)는 부식에 대한 추가 보호가 필요합니다.


파워 사이리스터에 대한 팁 및 권장 사항:

전력 트라이시스터는 모든 매개변수에 대해 한계 부하에서 장기간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 필요한 신뢰성 수준에 의해 결정됩니다.

고장 난 전력 트라이시스터는 교체된 트라이시스터와 동일한 매개변수를 가진 트라이시스터로 교체해야 합니다.

높은 환경 온도에서 작동할 때는 슈퍼쿨링을 제공해야 합니다.

적절한 열 방출을 보장하기 위해 전력 트라이시스터와 쿨러를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염물질을 제거하는 것이 좋습니다.

인덕티브 전류 분배기(자주 꼬인 토로이드 와이어)는 병렬로 연결된 전력 트라이시스터 간의 전류를 균등하게 하기 위해 사용해야 합니다. 가장 일반적인 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 전력 트라이시스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율성은 자기 와이어의 단면적에 의해 결정됩니다.

전력 트라이시스터가 직렬로 연결될 때 전압 불균형을 방지하려면 각 트라이시스터에 병렬로 연결된 샤운트 저항기를 사용해야 합니다. 과도 상태에서 전압 균등화는 각 트라이시스터에 병렬로 연결된 커패시터를 통해 제공됩니다.

고전압 상태에서 전력 트라이시스터를 만지는 것은 엄격히 금지됩니다.


icon AS ENERGI를 선택하는 이유TM

  • 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
  • 유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
  • 반도체 산업에서 20년 이상의 경험
  • 50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
  • 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
  • 다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
  • 보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

 

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

Certificates

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

테스트 보고서

파트너십 지역

AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

지리

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

물류

AS ENERGITM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.


주요 제품:

 

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Selected Products:

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