디스크 위상 제어 사이리스터 TCS4-36-32 Powerex 교체

파워렉스 부품 번호 TCS4-36-32
평균 온 상태 전류, IT(AV)M 3200A
전압, VDRM/VRRM 3600V
패키지
치수
TCS
124x84x27
데이터시트
교체 AS ENERGITM A-TCS4-36-32
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상위 제어 트라이시스터 A-TCS4-36-32 AS ENERGITM는 SCR 트라이시스터 TCS4-36-32 Powerex Europe의 교체용, 유사, 대체 및 동등한 반도체 장치입니다. 평균 전방 온상 전류 ITAV3200 암페어, 반복적인 피크 전방 및 역방향 차단 전압 VDRM/VRRM3600V. 디스크 트라이시스터는 DC 및 AC 전류를 변환하고 제어하는 데 설계되었습니다. "디스크 장치용 공랭식 히트싱크 O 시리즈", "에어 히트싱크 SF 시리즈", "워터 히트싱크 SS 시리즈" 사이리스터 냉각용 제품도 주문 가능합니다.

특징: 고출력 산업 및 전력 전송 응용 분야를 위해 설계됨; 낮은 온상 전압 강하에 최적화됨; 시리즈 및/또는 병렬 연결에 적합한 Qrr 및 VT 값이 제공됩니다. 트라이시스터의 양극과 음극(극성)은 케이스의 기호로 결정됩니다.

트라이시스터 AS ENERGITM는 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다: 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 VDRM/VRRM 값, 다양한 산업 분야에서 장치 사용 경험, 100V에서 9000V, 100A에서 15000A까지의 전압 및 전류 범위, 열 및 전기 사이클에 대한 높은 저항성, 자연 또는 강제 공기 냉각.

사양 및 매개변수, 데이터시트 PDF, TCS4-36-32 Powerex 및 교체용 A-TCS4-36-32의 치수, 도면이 아래에 나와 있습니다.

저희 회사는 트라이시스터에 대해 구입일로부터 2년간 품질 보증을 제공합니다. 트라이시스터를 공급할 때 필요시 기술 증명서와 적합성 인증서를 제공합니다.

자세히 보기

위상 제어 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

위상 제어 사이리스터 파워렉스의 일반 사양 및 교체:

사이리스터 사양 TCS4-36-32
최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도) IT(AV) (TC) 3200 A (70ºC)
반복 펄스 폐쇄 상태 전압; 반복 펄스 역전압 VDRM/VRRM 3600 V
서지 온 상태 전류 ITSM 75 kA
임계 전압 VT0 0.955 V
온 상태 경사 저항 rT 0.14 mΩ
안전 계수 I2t 28100 kA2·s
끄기 시간, 최대 tq 600 µs
게이트 트리거 전압 VGT 4 V
게이트 트리거 전류 IGT 250 mA
오프 상태 전압의 임계 상승률 (dvD/dt)cr 2000 V/µs
오프 상태 전압의 임계 상승률 (diT/dt)cr 150 A/µs
온도 Tj -40 to 125 ºC
내열성, 접합부-케이스 Rth(j-c) 0.008 °C/W
클램핑 력 m 53 to 67 kN
패키지(하우징) 유형 TCS
치수 - 124x84x27
교체 AS ENERGITM 유형 A-TCS4-36-32
데이터시트 PDF

위상 제어 사이리스터 A-TCS4-36-32의 부품 번호 안내서:

A - T CS - 36 - 32
A brand AS ENERGITM
T 제품 그룹: 위상 제어 사이리스터.
CS 유형 번호.
36/td> 전압 등급 (VRRM x 100).
32/td> 전류 등급:
T5 - (x 1);
T6, T7, T8 - (x 10);
T9, TA, TB, TC, TD - (x 100)
.

위상 제어 사이리스터 TCS4-36-32 및 교체용 A-TCS4-36-32의 치수:

TCS4-36-32 치수

패키지 TCS


고전력 반도체 AS ENERGITM

당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 광범위한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 애벌런치, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 방열판의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 소자를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며 대량 주문 시 가격이 저렴해집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

파워 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매에 관한 질문은 다음 주소로 이메일 요청을 보내주십시오.:

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그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공합니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.


사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGITM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.


파워 스터드 사이리스터용 방열판:

방열판(라디에이터)은 스터드 설계에서 전력 반도체 장치를 냉각하는 데 사용됩니다.

쿨러의 방열판은 알루미늄 라디에이터 프로파일로 만들어지며 다양한 기후 조건에서 사용할 때 추가 보호 코팅이 필요하지 않습니다.

방열기에 대한 자세한 정보는 다음 링크를 참조하십시오: "스터드 장치용 공랭식 방열기".


고전력 스터드형 사이리스터 사진:

  • 스터드 사이리스터
  • 스터드 사이리스터
  • 스터드 사이리스터
  • 스터드 사이리스터
  • 스터드 사이리스터
  • 스터드 사이리스터

icon AS ENERGI를 선택하는 이유TM

  • 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
  • 유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
  • 반도체 산업에서 20년 이상의 경험
  • 50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
  • 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
  • 다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
  • 보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

 

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

Certificates

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

테스트 보고서

파트너십 지역

AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

지리

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

물류

AS ENERGITM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.


주요 제품:

 

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