고속 전력 사이리스터 80A – 250A, 스터드 패키지

스터드 설계의 고속 사이리스터(TF) AS ENERGI^TM는 고속 스위칭 반도체 장치입니다. 고속 사이리스터는 증가된 di/dt 저항, 낮은 스위칭 손실, 짧은 턴온 및 턴오프 시간 등의 요구 사항을 충족합니다. 주파수 범위에서 DC 및 AC 전류를 250A로 조절 및 변환하는 것은 전압이 최대 1400V(직렬에 따라 다름)인 회로에서 최대 10kHz입니다.

파워 스터드 고속 사이리스터 시리즈 TF에는 다음과 같은 유형(전류)이 있습니다: 80 A, 100 A, 125 A, 160 A, 200 A, 250 암페어.

고전력 스터드 고속 사이리스터 시리즈

파워 스터드 고속 사이리스터용 부품 번호 안내서

파워 스터드 고속 사이리스터용 기술 패스포트

파워 스터드 사이리스터의 설치 권장 사항

고속 사이리스터는 더 높은 주파수 모드(최대 10kHz)에서 작동하도록 설계된 t_q, t_rr, Q_rr 값이 감소되고 (di_T/dt)_cr 값이 더 높은(최대 2500A/µs) 장치입니다. 사이리스터 파라미터 V_TM, t_q, Q_rr의 값은 서로 연결되어 있으므로 t_q 와 Q_rr의 값이 감소하면 V_TM이 증가합니다. 고속 사이리스터는 턴오프 시간이 매우 짧아 표준 모델과 차별화되는 특징이 있습니다. 이 제품은 용접, 유도 가열 및 용융, 전기 운송, AC 드라이브, UPS 및 기타 짧은 턴온 및 턴오프 시간이 필요한 시스템에 사용됩니다. 사이리스터는 기능 부품과 반도체 소자를 기계적 충격과 환경으로부터 분리하는 산업 표준 세라믹 밀폐형 하우징을 갖추고 있습니다.

사이리스터의 극성은 케이스의 아이콘에 따라 결정됩니다. 이 페이지에는 양극, 음극, 제어 전극(게이트)이 있는 스터드 고속 사이리스터의 회로도 및 회로가 나와 있습니다. 스터드 고속 사이리스터의 기술 사양, 부품 번호 가이드, 극성, 치수 및 권장 쿨러는 아래에 나와 있습니다.

공기 및 물 방열판은 스터드 사이리스터를 냉각하는 데 사용됩니다. 히트싱크와 안정적인 열 및 전기 접촉을 제공하려면 조립 중에 조임 토크 M_d를 준수해야 합니다. 조립 중 사이리스터의 열 방출을 개선하기 위해 열 전도성 페이스트가 사용됩니다.

고속 사이리스터는 기능 부품과 반도체 소자를 기계적 충격과 환경으로부터 격리하는 밀폐형 세라믹 하우징을 갖추고 있습니다.

AS Energi Global LLC의 고속 스터드 사이리스터는 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 값의 V_DRM/V_RRM, 다양한 산업 분야에서 장치를 사용한 광범위한 경험, 300~1400V의 전압 범위 및 80~250A의 전류, 열 및 전기 순환에 대한 높은 저항, 자연 또는 강제 공기 냉각 등의 특징을 가지고 있습니다.

당사는 스터드 사이리스터에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 품질 선언 및 적합성 인증서를 제공합니다.

고속 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

고전력 사이리스터 구매와 관련하여 궁금한 점이 있으면 Diodes에 이메일 요청을 보내주세요:

[email protected]

그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공합니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.

사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

사진 더 보기

스터드 고속 사이리스터 TF251, TF351, TF261, TF361, TF271, TF371 (80A – 250A)

유형	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	M_d ±10%	W	패키지	스레드	데이터 시트
유형	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	N·m	g	패키지	mm	PDF
80 A
TF251-80	80 (90)	500-1400	1.6	12.8	500-1000	1000	20-25	125	0.210	15	150	ST5	M12x1.75
TF351-80	80 (84)	500-1100	1.6	12.8	1000	500	20-32	125	0.230	15	150	ST5	M12x1.75
100 A
TF251-100	100 (90)	500-1400	2.0	20.8	500-1000	1000	20-25	125	0.210	15	150	ST5	M12x1.75
TF351-100	100 (83)	500-1100	2.0	20	1000	500	25-40	125	0.230	15	150	ST5	M12x1.75
125 A
TF261-125	125 (88)	600-1400	4.5	80	200-2500	1000	16-32	125	0.150	25	240	ST6 (T.SA1)	M20x1.5
TF361-125	125 (84)	500-1100	3.5	61	1000	500	20-32	125	0.140	25	240	ST6	M20x1.5
160 A
TF261-160	160 (83)	600-1400	5.5	140	200-2500	1000	20-40	125	0.150	25	240	ST6 (T.SA1)	M20x1.5
TF361-160	160 (80)	500-1100	4.0	80	1000	500	25-40	125	0.140	25	240	ST6	M20x1.5
200 A
TF271-200	200 (95)	300-1400	6.5	210	200-2500	1600	20-40	125	0.085	30	440	ST7 (T.SB1)	M24x1.5
TF371-200	200 (82)	300-1400	6.0	180	1000	500	12.5-40	125	0.084	30	440	ST7	M24x1.5
250 A
TF271-250	250 (88)	300-1400	7.0	240	200-2500	1600	25-50	125	0.085	30	440	ST7 (T.SB1)	M24x1.5
TF371-250	250 (80)	300-1400	7.0	245	1000	500	16-63	125	0.084	30	440	ST7	M24x1.5

고속 사이리스터용 부품 번호 안내서:

271

–

200

–

고속 사이리스터,

AS ENERGI^TM

271

–

사이리스터 유형(스터드 유형).

200

–

개방 상태의 평균 전류 I_T(AV), Amp.

–

전압 등급 V_RRM / 100 (공칭 전압 – 1400 V).

–

오프 상태 전압의 임계 상승률 매개변수 (dV_D/dt)_crit:

영숫자 코딩	0	P3	E3	A3	P2	K2	Е2	A2	T1	P1	M1
디지털 코딩	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9
가치, V/µs	표준화되지 않음	20	50	100	200	320	500	1000	1600	2000	2500

–

끄기 시간 매개변수 t_q:

영숫자 코딩	0	C3	E3	H3	K3	M3	P3	T3	X3	A4	B4	C4	E4
디지털 코딩	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9	–	–
가치, µs	표준화되지 않음	63	50	40	32	25	20	16	12.5	10	8	6.3	5

–

켜기 시간 매개변수 t_gt:

영숫자 코딩	0	T3	A4	B4	C4	H4	K4	M4	P4	T4	X4	A5	C5
디지털 코딩	0	–	–	–	–	1	2	3	4	5	6	7	8
가치, µs	표준화되지 않음	16	10	8	6.3	4	3.2	2.5	2.0	1.6	1.25	1.0	0.63

참고: 고속 사이리스터(TF)를 위한 동적 파라미터 그룹 식별

사이리스터용 테크니컬 패스포트(샘플):

사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.

고전력 반도체 AS ENERGI^TM

당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 다양한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 히트싱크의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다. 반도체를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며, 대량으로 주문하면 가격이 저렴해집니다.
우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

고전력 사이리스터, 다이오드, 모듈을 구매하려면 다음 주소로 이메일 요청을 보내세요:

[email protected]

그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.

고속 (스터드) 사이리스터 사진:

고속 사이리스터에 대한 설치 권장 사항:

전체 온도 범위에서 사이리스터와 쿨러의 결합 표면 사이의 열 전달 및 전기적 접촉의 신뢰성은 적절한 토크(클램핑력)에 의해 보장됩니다.

조립하기 전에 (1) 접촉면에 기계적 손상이 있는지 육안으로 검사하고 (2)는 알코올(톨루엔, 가솔린, 아세톤)에 적셔 검사해야 합니다.

검사 후 현재 접점(리드)을 고정하고 핀을 설치하여 구조의 정렬을 고정합니다.

열 전달 매개 변수를 개선하려면 조립 전에 (3) 실리콘 열 전도성 페이스트의 얇은 층을 권장하며 이는 설치를위한 필수 조건이 아닙니다.

사이리스터 (3), 쿨러의 두 번째 부품, 유리섬유 절연체 및 스러스트 와셔를 설치합니다.

트래버스 strong>(4)를 끼우고 너트를 고르게 조입니다. 접촉면의 정렬이 잘못되지 않고 균일한지 확인합니다.

부품이 충분히 고정되었지만 움직일 수 있는 경우 쿨러를 평평한 표면에 놓고 표면 (5)의 전체 인접 평면의 평행도에 대한 공차를 확인하는 것이 좋습니다.

각 너트를 차례로(약 1/4 바퀴) 스톱 (6)에 고정합니다. 트래버스의 편향 정도에 따라 달성된 클램핑 력이 필요한 클램핑 력과 일치하는지 여부가 결정됩니다.

설치 후에는 패스너(너트 및 와셔)를 부식되지 않도록 추가로 고정해야 합니다.

전원 다이오드에 대한 팁 및 권장 사항:

파워 다이오드는 모든 파라미터에 대해 한계 부하에서 장시간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 요구되는 신뢰도에 따라 결정됩니다.

고장난 전원 다이오드를 교체할 다이오드의 매개변수와 일치하는 다이오드로 교체합니다.

주변 온도가 높은 환경에서 작동할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

적절한 열 방출을 위해 전원 다이오드와 쿨러를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 좋습니다.

병렬로 연결된 파워 다이오드 간의 전류를 균등화하려면 유도성 전류 분배기(종종 꼬인 토로이달 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 많이 사용되는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 파워 다이오드입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율은 마그네틱 와이어의 단면에 의해 결정됩니다.

전원 다이오드를 직렬로 연결할 때 전압 불균형을 방지하려면 각 다이오드에 병렬로 연결된 션트 저항을 사용해야 합니다. 과도 상태에서의 전압 균등화는 각 다이오드에 커패시터를 병렬로 연결하여 제공됩니다.

작동 중 고전압 상태에서 전원 다이오드를 만지는 것은 엄격히 금지되어 있습니다.

AS ENERGI를 선택하는 이유^TM

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
반도체 산업에서 20년 이상의 경험
50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

Tags: 스터드 고속 스위칭 사이리스터, 빠른 스터드 사이리스터, 스터드 고속 전력 반도체, 빠른 스터드 사이리스터 카탈로그 카탈로그 pdf, 스터드 고속 사이리스터 가격, 스크류 사이리스터 데이터 시트, 스터드 사이리스터 스위칭 회로, 빠른 러시아 유형 스터드 사이리스터, 러시아 유형 스터드 고속 사이리스터, 러시아 유형 다이오드 사이리스터 반도체, 인증서, 제조, 빠른 전력 전환 스터드 사이리스터 공장 제작, 빠른 전력 스위칭 스터드 사이리스터의 기술 사양