상 제어 사이리스터 5STP ABB 교체

전원 위상 제어 사이리스터, 즉 사이리스터 SCR(실리콘 제어 정류기)은 디스크 설계에서 프레스 팩 타입의 범용 사이리스터로, 최대 8500V(사이리스터 유형에 따라 다름) 전압의 회로에서 DC 및 AC 전류를 5200A로 조절 및 변환합니다.

사이리스터 ATP 는 히타치 에너지의 위상 제어 사이리스터 5STP ABB 파워 그리드를 대체하는 아날로그 아날로그 대체품입니다.

"디스크 장치용 공랭식 히트싱크 O 시리즈", "에어 히트싱크 SF 시리즈", "워터 히트싱크 SS 시리즈" 사이리스터 냉각을 위한 제품도 주문할 수 있습니다.

위상 제어 사이리스터용 부품 번호 안내서

비디오: 고전력 디스크 사이리스터에 대한 리뷰

icon AS ENERGI^TM 반도체 제조 참조

특징: 고전력 산업 및 전력 전송 애플리케이션용으로 설계, 낮은 온 상태 전압 강하에 최적화, 직렬 및/또는 병렬 연결에 사용할 수 있는 일치하는 Q_rr 및 V_T 값 제공.

사이리스터에는 산업 표준 세라믹 하우징이 있어 기존 장비에 쉽게 통합할 수 있습니다. 이 사이리스터에는 압력 접점이 있는 디스크 하우징이 있습니다. 사이리스터의 극성은 케이스의 아이콘으로 확인할 수 있습니다. 사이리스터에 대한 기술 사양, 부품 번호 가이드, 데이터시트는 아래에 나와 있습니다.

사이리스터 의 특징은 다음과 같습니다: 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 값의 V_DRM/V_RRM, 다양한 산업에서 디바이스를 사용한 광범위한 경험, 100~9000V의 전압 범위 및 100~15000A의 암페어, 열 및 전기 사이클링에 대한 높은 저항, 자연 또는 강제 공냉식입니다.

당사는 사이리스터에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 기술 여권과 적합성 인증서를 제공합니다.

위상 제어 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

위상 제어 사이리스터 5STP ABB 및 교체품의 일반 사양

유형	I_T(AV)M (T_C=70°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	V_T0	r_T	T_{vj max}	R_th(j-c)	R_th(c-h)	F_m ±10%	패키지	교체 AS ENERGI^TM	데이터 시트
유형	A	V	kA	V	mΩ	ºC	K/kW	K/kW	kN	패키지	교체 AS ENERGI^TM	PDF
5STP 03X6500	340	6500	4.7	1.20	2.30	125	45	7.5	10	X	ATP 300-65-X-00
5STP 03D6500	390	6500	4.7	1.20	2.30	125	36	7.5	10	D	ATP 300-65-D-00
5STP 04D4200	500	4200	7.1	1.14	1.288	125	36	7.5	10	D	ATP 400-42-D-00
5STP 04D5200	420	5200	6.1	1.29	1.917	125	36	7.5	10	D	ATP 400-52-D-00
5STP 06T1600	640	1600	9.9	0.99	0.50	125	44	12.0	9	T4	ATP 600-16-T-00
5STP 06D2800	640	2800	8.8	0.92	0.78	125	36	7.5	10	D	ATP 600-28-D-00
5STP 06T4200	598	4200	7.5	1.30	0.93	125	32	10.0	10	T1	ATP 600-42-T-00
5STP 06D4200	598	4200	7.5	1.30	0.93	125	32	10.0	10	D	ATP 600-42-D-00
5STP 07D1800	760	1800	9.0	0.93	0.448	125	36	7.5	10	D	ATP 700-18-D-00
5STP 08T2800	792	2800	10.6	1.06	0.49	125	32	10.0	10	T1	ATP 800-28-T-00
5STP 08D2801	793	2800	10.6	1.02	0.51	125	32	7.5	10	D	ATP 800-28-D-01
5STP 08G6500	730	6500	15.1	1.20	1.046	125	22	4.0	22	G	ATP 800-65-G-00
5STP 08F6500	850	6500	15.1	1.20	1.046	125	17	4.0	22	F	ATP 800-65-F-00
5STP 09D1801	932	1800	13.7	0.94	0.34	125	32	7.5	10	D	ATP 900-18-D-01
5STP 09D2201	862	2200	12.0	1.00	0.40	125	32	7.5	10	D	ATP 900-22-D-01
5STP 10T1600	969	1600	15.0	0.93	0.30	125	32	10.0	10	T1	ATP 1000-16-T-00
5STP 10D1601	969	1600	15.0	0.93	0.30	125	32	7.5	10	D	ATP 1000-16-D-01
5STP 12F4200	1190	4200	17.3	1.01	0.545	125	17	4.0	22	F	ATP 1200-42-F-00
5STP 12F4201	1247	4200	15.0	1.25	0.42	125	16	4.0	22	F	ATP 1200-42-F-01
5STP 12F4240	1247	4200	15.0	1.25	0.42	125	16	4.0	22	F	ATP 1200-42-F-40
5STP 12K6500	1430	6500	31.5	1.15	0.647	125	11	2.0	50	K	ATP 1200-65-K-00
5STP 15T2800	1589	2800	23.6	1.02	0.26	125	15.5	4.0	22	T2	ATP 1500-28-T-00
5STP 16F2800	1500	2800	18.0	0.96	0.297	125	17	4.0	22	F	ATP 1600-28-F-00
5STP 16F2801	1512	2800	23.6	1.02	0.26	125	16	4.0	22	F	ATP 1600-28-F-01
5STP 16F2810	1500	2800	18.0	0.96	0.297	125	17	4.0	22	F	ATP 1600-28-F-10
5STP 17T2200	1743	2200	25.5	0.99	0.20	125	15.5	4.0	22	T2	ATP 1700-22-T-00
5STP 17F2201	1702	2200	25.5	0.99	0.20	125	16	4.0	22	F	ATP 1700-22-F-01
5STP 17H5200	1970	5200	34.0	0.99	0.343	125	10	2.0	50	H	ATP 1700-52-H-00
5STP 18F1800	1780	1800	21.0	0.92	0.188	125	17	4.0	22	F	ATP 1800-18-F-00
5STP 18T1800	1870	1800	26.2	0.96	0.17	125	15.5	4.0	22	T2	ATP 1800-18-T-00
5STP 18F1801	1825	1800	26.2	0.97	0.17	125	16	4.0	22	F	ATP 1800-18-F-01
5STP 18F1810	1780	1800	21.0	0.92	0.188	125	17	4.0	22	F	ATP 1800-18-F-10
5STP 18H4200	2170	4200	32.0	0.98	0.274	125	10	2.0	50	H	ATP 1800-42-H-00
5STP 18M6500	1830	6500	47.5	1.21	0.431	125	9.0	1.5	70	M	ATP 1800-65-M-00
5STP 20T1600	1956	1600	27.3	0.95	0.15	125	15.5	4.0	22	T2	ATP 2000-16-T-00
5STP 20F1601	1901	1600	27.3	0.95	0.15	125	16	4.0	22	F	ATP 2000-16-F-01
5STP 20N8500	2000	8500	35.0	1.25	0.48	115	5.7	1.0	90	N	ATP 2000-85-N-00
5STP 21H4200	2192	4200	32.0	1.25	0.19	125	10	3.0	50	H	ATP 2100-42-H-00
5STP 21H4240	2192	4200	32.0	1.25	0.19	125	10	3.0	50	H	ATP 2100-42-H-40
5STP 24H2800	2780	2800	43.0	0.93	0.141	125	10	2.0	50	H	ATP 2400-28-H-00
5STP 25M5200	2400	5200	50.5	0.99	0.237	125	9.0	1.5	70	M	ATP 2500-52-M-00
5STP 25L5200	2830	5200	50.5	0.99	0.237	125	7.0	1.5	70	L	ATP 2500-52-L-00
5STP 26N6500	2880	6500	65.0	1.12	0.29	125	5.7	1.0	90	N	ATP 2600-65-N-00
5STP 27H1800	2940	1800	50.5	0.91	0.096	125	10	2.0	50	H	ATP 2700-18-H-00
5STP 27T2800	2670	2800	43.0	1.04	0.12	125	10	3.0	50	T3	ATP 2700-28-T-00
5STP 27H2801	2670	2800	43.0	1.04	0.12	125	10	3.0	50	H	ATP 2700-28-H-01
5STP 27N8500	2660	8500	64.0	1.13	0.394	125	5.7	1.0	90	N	ATP 2700-85-N-00
5STP 27Q8500	2870	8500	64.0	1.13	0.394	125	5.0	1.0	90	Q	ATP 2700-85-Q-00
5STP 28L4200	3290	4200	54.0	1.03	0.138	125	7.0	1.5	70	L	ATP 2800-42-L-00
5STP 29T2200	2855	2200	45.0	1.00	0.10	125	10	3.0	50	T3	ATP 2900-22-T-00
5STP 29H2201	2855	2200	45.0	1.00	0.10	125	10	3.0	50	H	ATP 2900-22-H-01
5STP 30T1800	3108	1800	47.0	0.98	0.08	125	10	3.0	50	T3	ATP 3000-18-T-00
5STP 30H1801	3108	1800	47.0	0.98	0.08	125	10	3.0	50	H	ATP 3000-18-H-01
5STP 33L2800	3760	2800	65.5	0.93	0.10	125	7.0	1.5	70	L	ATP 3300-28-L-00
5STP 34T1600	3370	1600	49.0	0.94	0.06	125	10	3.0	50	T3	ATP 3400-16-T-00
5STP 34H1601	3370	1600	49.0	0.94	0.06	125	10	3.0	50	H	ATP 3400-16-H-01
5STP 34N5200	3450	5200	63.0	0.96	0.194	125	5.7	1.0	90	N	ATP 3400-52-N-00
5STP 34Q5200	3720	5200	63.0	0.96	0.194	125	5.0	1.0	90	Q	ATP 3400-52-Q-00
5STP 38N4200	4090	4200	64.5	0.97	0.126	125	5.7	1.0	90	N	ATP 3800-42-N-00
5STP 38Q4200	4420	4200	64.5	0.97	0.126	125	5.0	1.0	90	Q	ATP 3800-42-Q-00
5STP 40N6500	3780	6500	75.0	1.14	0.255	135	4.8	1.0	90	N	ATP 4000-65-N-00
5STP 42L1800	4310	1800	64.0	0.81	0.08	125	7.0	1.5	70	L	ATP 4200-18-L-00
5STP 42U6500	4300	6500	86.0	1.17	0.181	125	4.0	0.8	135	U	ATP 4200-65-U-00
5STP 45N2800	5250	2800	77.0	0.86	0.069	125	5.7	1.0	90	N	ATP 4500-28-N-00
5STP 45Q2800	5710	2800	77.0	0.86	0.069	125	5.0	1.0	90	Q	ATP 4500-28-Q-00
5STP 45Y8500	4450	8500	90.0	1.06	0.168	110	3.0	0.6	190	Y	ATP 4500-85-Y-00
5STP 48Y7200	5040	7200	92.0	0.98	0.128	110	3.0	0.6	190	Y	ATP 4800-72-Y-00
5STP 50Q1800	6100	1800	94.0	0.90	0.05	125	5.0	1.0	90	Q	ATP 5000-18-Q-00
5STP 52U5200	5200	5200	99.0	1.04	0.115	125	4.0	0.8	135	U	ATP 5200-52-U-00

위상 제어 사이리스터의 도면 및 하우징 치수:

패키지 유형	치수 ØDxØdxH	무게
T1	58.5x34x20 mm	0.20 kg
T2	74.5x47x21.7 mm	0.40 kg
T3	101.5x63x16.5 mm	0.62 kg
T4	52x29.5x14.5 mm	0.11 kg
D	58.5x34x26 mm	0.26 kg
F	75x47x26 mm	0.48 kg
G	75x47x35 mm	0.65 kg
H	102x63x26 mm	0.90 kg
K	102x63x35 mm	1.15 kg
L	120x78x26 mm	1.45 kg
M	120x78x35 mm	1.85 kg
N	150x100x35 mm	2.90 kg
Q	150x100x26 mm	2.10 kg
U	172x110x35 mm	3.60 kg
X	60x34x35 mm	0.40 kg
Y	192x138x35 mm	5.14 kg

위상 제어 파워 사이리스터용 부품 번호 안내서:

1200

–

A	–	AS ENERGI^TM
TP	–	제품 그룹: 위상 제어 사이리스터.
1200	–	평균 온 상태 전류 I_T(AV), Amp.
40	–	전압 등급 V_RRM / 100.
F	–	하우징(패키지) 유형.
01	–	버전 번호.

고전력 반도체 AS ENERGI^TM

당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 광범위한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 애벌런치, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 방열판의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 소자를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며 대량 주문 시 가격이 저렴해집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

파워 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매와 관련된 질문은 다음 주소로 이메일을 보내주세요:

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저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.

사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

사진 더 보기

비디오: 파워 사이리스터 T143-400, T143-500, T143-630, T143-800, T143-1000

비디오: 파워 사이리스터 T153-630, T153-800, T153-1000

비디오: 파워 사이리스터 T273-1000, T273-1250, T273-2000, T273-3200, T273-4000, T273-5000

고전력 디스크 사이리스터 사진:

파워 사이리스터 설치 권장 사항:

전체 온도 범위에서 사이리스터와 쿨러의 결합 표면 사이의 열 전달 및 전기적 접촉의 신뢰성은 적절한 토크(클램핑력)에 의해 보장됩니다.

조립하기 전에 (1) 접촉면에 기계적 손상이 있는지 육안으로 검사하고 (2)는 알코올(톨루엔, 가솔린, 아세톤)에 적셔 검사해야 합니다.

검사 후 현재 접점(리드)을 고정하고 핀을 설치하여 구조의 정렬을 고정합니다.

열 전달 매개 변수를 개선하려면 조립 전에 (3) 실리콘 열 전도성 페이스트의 얇은 층을 권장하며 이는 설치를위한 필수 조건이 아닙니다.

사이리스터 (3), 쿨러의 두 번째 부품, 유리섬유 절연체 및 스러스트 와셔를 설치합니다.

트래버스 strong>(4)를 끼우고 너트를 고르게 조입니다. 접촉면의 정렬이 잘못되지 않고 균일한지 확인합니다.

부품이 충분히 고정되었지만 움직일 수 있는 경우 쿨러를 평평한 표면에 놓고 표면 (5)의 전체 인접 평면의 평행도에 대한 공차를 확인하는 것이 좋습니다.

각 너트를 차례로(약 1/4 바퀴) 스톱 (6)에 고정합니다. 트래버스의 편향 정도에 따라 달성된 클램핑 력이 필요한 클램핑 력과 일치하는지 여부가 결정됩니다.

설치 후에는 패스너(너트 및 와셔)를 부식되지 않도록 추가로 고정해야 합니다.

파워 사이리스터를 위한 팁 및 권장 사항:

파워 사이리스터는 모든 파라미터에 대해 한계 부하에서 장시간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 요구되는 신뢰성 정도에 따라 결정됩니다.

고장난 전원 사이리스터를 교체할 사이리스터의 매개변수와 일치하는 사이리스터로 교체합니다.

주변 온도가 높은 환경에서 작동할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

적절한 열 방출을 위해 파워 사이리스터와 쿨러를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 좋습니다.

병렬로 연결된 파워 사이리스터 간의 전류를 균등화하려면 유도성 전류 분배기(종종 꼬인 토로이달 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 많이 사용되는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 파워 사이리스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율은 마그네틱 와이어의 단면에 의해 결정됩니다.

파워 사이리스터를 직렬로 연결할 때 전압 불균형을 방지하려면 각 사이리스터에 병렬로 연결된 션트 저항을 사용해야 합니다. 과도 상태에서의 전압 균등화는 각 사이리스터에 커패시터를 병렬로 연결하여 제공됩니다.

작동 중 고전압 상태에서 파워 사이리스터를 만지는 것은 엄격히 금지되어 있습니다.

AS ENERGI를 선택하는 이유^TM

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
반도체 산업에서 20년 이상의 경험
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10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
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보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

파워 사이리스터 T(디스크)

파워 사이리스터 T(스터드)

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