디스크형 사이리스터 및 정류기 다이오드용 공랭식 히트싱크

공기 냉각 히트싱크는 단면 및 양면 냉각을 위한 디스크 타입 전력 SCR 서리스트로 및 정류기 다이오드를 운영 중에 사용합니다.

히트싱크는 100A에서 6300A까지의 전류와 V_DRM/V_RRM 최대 7000V의 전압을 사용하는 반도체 장치에 사용됩니다.

히트싱크는 Ø19 mm에서 Ø100 mm까지의 접촉면 지름을 가진 디스크(태블릿 타입) 반도체에 사용됩니다.

특징: 자연 공기 냉각 및 강제 공기 냉각; 부식 방지 알루미늄 합금; 낮은 열 저항; 장착 슬롯으로 쉬운 설치; 표준 모델뿐만 아니라 맞춤형 모델도 제공 가능합니다.

장치의 최소 전기 손실과 최대 열 방출을 위해 전력 장치 사양에 명시된 적절한 장착력 Fm을 준수해야 합니다.

공기 히트싱크(쿨러, 라디에이터)가 사용되는 디스크 타입 SCR 서리스트로 및 정류기 다이오드의 전류 범위: 100A, 150A, 160A, 200A, 250A, 300A, 320A, 400A, 500A, 600A, 630A, 800A, 1000A, 1250A, 1500A, 1600A, 2000A, 2500A, 3000A, 3200A, 4000A, 5000A, 6000A, 6300A.

히트싱크는 알루미늄 라디에이터 프로파일로 제작되며, 다양한 기후 조건에서 사용할 때 추가적인 보호 코팅이 필요하지 않습니다.

반도체 장치(전력 다이오드, 서리스트로)의 조합은 쿨러와 함께 클램프 볼트와 트래버스를 사용하여 조립됩니다.

히트싱크와 전력 장치의 접촉면은 낮은 거칠기와 평탄도 편차를 가져야 합니다.

히트싱크의 접촉면을 장착하기 전에 전류 접촉부와 반도체 장치를 알코올(톨루엔, 벤젠, 아세톤)에 적신 천으로 닦고, 얇은 실리콘-유기 열전도 페이스트로 윤활하는 것이 권장됩니다(이는 권장사항이며 설치의 필수 조건은 아닙니다).

공기 냉각 히트싱크(라디에이터)의 사양, 매개변수, 치수, 도면은 아래에 나열되어 있습니다.

당사는 공기 냉각 히트싱크에 대해 구입일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 히트싱크 공급 시 필요한 경우 기술 여권을 제공합니다.

공기 냉각 히트싱크의 최종 가격은 수량, 배송 조건, 제조사, 원산지 및 결제 방식에 따라 다릅니다.

디스크형 전력 반도체용 공랭식 방열판

유형	접촉면 직경	자연 냉각에 의한 전력 손실 (P_F)	열 저항 R_th(h-a)		흐름 저항 ΔPh	장착 힘 Fm, 최대	냉각 표면 면적	무게	외형, 치수 B×L×H	전류 장치에 적용
	접촉면 직경	자연 냉각에 의한 전력 손실 (P_F)	자연 냉각	강제 냉각(공기 흐름 V_cfh=6 m/s)	흐름 저항 ΔPh	장착 힘 Fm, 최대	냉각 표면 면적	무게	외형, 치수 B×L×H
	mm	W	°C/W	°C/W	Pa	kN	cm²	kg	mm
O123	Ø22	120	0.710	0.212	20	8 ± 1.5	-	2.0	150×100×122	100A - 500A
O143	Ø42	120	0.500	0.125	30	15 ± 1.5	3656.9	3.0	185×150×125	200A - 2000A
O243	Ø42	220	0.280	0.080	30	15 ± 1.5	5957.2	5.8	230×150×170	200A - 2000A
O343	Ø42	220	0.355	0.100	30	15 ± 1.5	5957.2	5.3	230×150×150	200A - 2000A
O153	Ø55	220	0.260	0.075	30	26 ± 2	5957.2	6.0	230×150×176	500A - 6300A
O253	Ø55	220	0.355	0.100	30	26 ± 2	5957.2	5.5	230×150×156	500A - 6300A
O173	Ø76	400	0.195	0.060	35	50 ± 10	-	12	265×250×225	1000A - 6300A
O273	Ø76	500	0.166	0.047	40	50 ± 10	-	13	280×250×195	1000A - 6300A
O193	Ø100	650	0.107	0.030	50	80 ± 10	-	28	385×300×305	1600A - 6300A

디스크형 반도체용 공랭식 히트싱크 적용 사례

유형	접촉면 직경	적용된 장치 케이스		전류 장치에 적용	응용 패키지 유형	응용 다이오드, 사이리스터 유형
유형	접촉면 직경	접촉면	외부 직경	전류 장치에 적용	응용 패키지 유형	응용 다이오드, 사이리스터 유형
O123	Ø22	Ø19-Ø22	Ø42	100A - 500A	PD21, PD22, PD23, PT21, PT21-1, PT23	DL123, T123, T223, T323, TFI323
O143	Ø42	Ø25-Ø38	Ø42-Ø60	200A - 2000A	PD32, PD42, PD43, PD44, PT31, PT32, PT41, PT42, PT43, D.B1, D.B2, D.C2, T.B2, T.B3, T.C1, T.C2, T.C3	D133, D233, D143, D243, T133, T233, T333, T433, T933, TF133, TF233, TF333, TF433, TF833, TF933, TFI133, TFI233, TFI333, TFI433, TFI533, TFI833, TFI933, T143, T243, T343, T443, T643, T743, TF143, TF243, TF343, TF943, TFI143, TFI243, TFI343, TFI443, TFI543, TFI643
O243	Ø42	Ø25-Ø38	Ø42-Ø60	200A - 2000A	PD32, PD42, PD43, PD44, PT31, PT32, PT41, PT42, PT43, D.B1, D.B2, D.C2, T.B2, T.B3, T.C1, T.C2, T.C3	D133, D233, D143, D243, T133, T233, T333, T433, T933, TF133, TF233, TF333, TF433, TF833, TF933, TFI133, TFI233, TFI333, TFI433, TFI533, TFI833, TFI933, T143, T243, T343, T443, T643, T743, TF143, TF243, TF343, TF943, TFI143, TFI243, TFI343, TFI443, TFI543, TFI643
O343	Ø42	Ø25-Ø38	Ø42-Ø60	200A - 2000A	PD32, PD42, PD43, PD44, PT31, PT32, PT41, PT42, PT43, D.B1, D.B2, D.C2, T.B2, T.B3, T.C1, T.C2, T.C3	D133, D233, D143, D243, T133, T233, T333, T433, T933, TF133, TF233, TF333, TF433, TF833, TF933, TFI133, TFI233, TFI333, TFI433, TFI533, TFI833, TFI933, T143, T243, T343, T443, T643, T743, TF143, TF243, TF343, TF943, TFI143, TFI243, TFI343, TFI443, TFI543, TFI643
O153	Ø55	Ø42-Ø51	Ø60-Ø75	500A - 6300A	PD50, PD53, PD54, PT51, PT53, PT53-1, PT54, PTO54, D.D2, T.D1, T.D2, T.D5	D153, D253, DL153, T153, T253, T353, T453, T553, T653, T753, T853, T953, TF153, TF253, TF453, TF553, TF953, TFI153, TFI253, TFI353, TFI453, TL253
O253	Ø55	Ø42-Ø51	Ø60-Ø75	500A - 6300A	PD50, PD53, PD54, PT51, PT53, PT53-1, PT54, PTO54, D.D2, T.D1, T.D2, T.D5	D153, D253, DL153, T153, T253, T353, T453, T553, T653, T753, T853, T953, TF153, TF253, TF453, TF553, TF953, TFI153, TFI253, TFI353, TFI453, TL253
O173	Ø76	Ø60-Ø75	Ø85-Ø112	1000A - 6300A	PD63, PD73, PT63, PT73, D.F1, D.F3, T.F1, T.F2, T.F5	D163, D173, T163, T263, T663, TFI163, TFI263, T173, T273, T373, T673, TF173, TF273, TFI173, TFI273, TFI373, TFI473, TFI573, TFI673, TFI773, TFI873
O273	Ø76	Ø60-Ø75	Ø85-Ø112	1000A - 6300A	PD63, PD73, PT63, PT73, D.F1, D.F3, T.F1, T.F2, T.F5	D163, D173, T163, T263, T663, TFI163, TFI263, T173, T273, T373, T673, TF173, TF273, TFI173, TFI273, TFI373, TFI473, TFI573, TFI673, TFI773, TFI873
O193	Ø100	Ø80-Ø100	Ø120-Ø150	1600A - 6300A	PD83, PD93, PT83, PT93, PT94, PTT94, PTO95, D.G1, T.H1, T.G5	D183, D193, T183, T283, T383, T583, T683, TFI183, T193, T293, T393, T693, TFI193

공랭식 히트싱크의 부품 번호 가이드:

–

150

O	–	제품 그룹: 반도체용 방열판.
1	–	방열판 디자인 수정 일련 번호.
5	–	디스크형 방열판의 접촉면 직경별 시리즈 코딩.
3	–	장치의 방열판 디자인 수정 일련 번호입니다: 1 - 양면 냉각이 가능한 디스크 디자인.
150	–	방열판 길이, mm.

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당사는 다양한 전력 반도체(전력 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 아발란시, 로터 및 용접 다이오드, 트라이악 등)를 제조 및 판매하고 있으며, 최대 15000A의 전류와 9000V의 전압을 지원합니다. 또한 이들에 대한 공랭 및 수랭 히트싱크도 제공합니다.
반도체 장치는 어떤 양으로도 구매할 수 있으며, 대량 주문 시 가격이 낮아집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며, 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

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사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

사진 더 보기

디스크형 반도체용 공랭식 방열판 사진:

공기 방열판으로 디스크 사이리스터를 조립할 때 권장되는 사항입니다:

사이리스터와 냉각기 접합 표면 간의 열 전달 및 전기 접촉의 신뢰성은 장착 토크 (클램핑 힘)에 의해 보장됩니다.

조립 전에 시각 검사 (1)를 수행하여 기계적 손상이 있는지 확인하고, 알콜에 적신 천으로 닦기 (2)를 하세요 (톨루엔, 휘발유, 아세톤).

검사 후, 전류 접촉을 고정하고, 구조 정렬을 고정할 핀을 설치하세요.

열 전달 성능을 개선하려면 조립 전에 얇은 실리콘 열 전도성 페이스트를 도포하는 것이 좋습니다 (이것은 권장 사항이며 설치 필수 사항은 아닙니다).

사이리스터 (3), 냉각기의 두 번째 부분, 유리섬유 절연체 및 압력 와셔를 설치하세요.

트래버스를 나사로 조이고 (4) 너트를 고르게 조입니다. 접촉 표면의 정렬 불량과 평탄도를 확인하세요.

부품이 충분히 조여졌지만 이동 가능한 경우, 냉각기를 평평한 표면에 놓고 전체 평면의 평행도 허용 오차를 확인하세요 (5).

각 너트를 차례대로 (약 1/4회전) 끝까지 조이세요 (6). 트래버스의 변형 정도는 달성된 클램핑 힘이 요구되는 값과 일치하는지 여부를 결정합니다.

설치 후, 패스너(너트 및 와셔)는 부식으로부터 추가적으로 보호해야 합니다.

전력 사이리스터에 대한 팁 및 권장 사항:

전력 사이리스터는 모든 파라미터에 대해 한계 부하로 장시간 운전해서는 안 됩니다. 이 경우, 안전 계수는 장치의 필요한 신뢰성 수준에 의해 결정됩니다.

고장난 전력 사이리스터는 교체되는 사이리스터의 파라미터와 일치하는 사이리스터로 교체해야 합니다.

주위 온도가 높은 환경에서 운전할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

적절한 열 방출을 보장하기 위해 전력 사이리스터와 냉각기를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 좋습니다.

병렬로 연결된 전력 사이리스터 간의 전류를 균등하게 하기 위해 유도성 전류 분배기(자주 꼬인 토로이드 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 일반적인 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 전력 사이리스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율성은 자기 와이어의 단면적에 의해 결정됩니다.

전력 사이리스터가 직렬로 연결될 때 전압 불균형을 방지하려면 각 사이리스터와 병렬로 연결된 션트 저항기를 사용해야 합니다. 전압 균등화는 각 사이리스터에 병렬로 커패시터를 연결하여 과도 상태에서 제공됩니다.

작동 중 고전압이 걸린 전력 사이리스터를 만지는 것은 엄격히 금지됩니다.

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당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
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고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

파워 사이리스터 T(디스크)

전력 정류기 다이오드 D(디스크)

고속 사이리스터 TF(디스크)

고속 스위칭 사이리스터 TFI(디스크)

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