고속 전력 사이리스터 200A – 2000A, 디스크 패키지

디스크 설계의 고속 사이리스터(TF) AS ENERGI^TM는 프레스 팩 타입의 고속 스위칭 반도체 소자입니다. 고속 사이리스터는 증가된 di/dt 저항, 낮은 스위칭 손실, 짧은 턴온 및 턴오프 시간 등의 요구 사항을 충족합니다. 주파수 범위에서 DC 및 AC 전류를 2000A로 조절 및 변환하는 것은 전압이 최대 3600V(직렬에 따라 다름)인 회로에서 최대 10kHz입니다.

파워 디스크 고속 사이리스터 시리즈 TF에는 다음과 같은 유형(전류)이 있습니다: 200 A, 250 A, 320 A, 400 A, 500 A, 630 A, 800 A, 1000 A, 1600 A, 2000 암페어.

고전력 디스크 고속 사이리스터 시리즈

파워 디스크 고속 사이리스터용 부품 번호 안내서

파워 디스크 고속 사이리스터용 기술 패스포트

파워 사이리스터 설치 권장 사항

고속 사이리스터는 t_q, t_rr, Q_rr, 더 높은 주파수 모드에서 작동하도록 설계된 ERQ 값입니다. 사이리스터 파라미터는 V_TM, t_q, Q_rr 는 서로 연결되어 있으므로, 값이 감소하면 t_q and Q_rr 의 증가로 이어집니다 V_TM. 고속 사이리스터는 턴오프 시간이 매우 짧아 표준 모델과 차별화되는 특징이 있습니다. 이 제품은 용접, 유도 가열 및 용융, 전기 운송, AC 드라이브, UPS 및 기타 짧은 턴온 및 턴오프 시간이 필요한 시스템에 사용됩니다. 사이리스터는 기능 부품과 반도체 소자를 기계적 충격과 환경으로부터 분리하는 산업 표준 세라믹 밀폐형 하우징을 갖추고 있습니다.

사이리스터의 극성은 케이스의 아이콘에 따라 결정됩니다. 이 페이지에는 양극, 음극, 제어 전극(게이트)이 있는 고속 사이리스터의 회로도와 회로도가 나와 있습니다. 기술 사양, 부품 번호 가이드, 극성, 치수 및 사이리스터에 권장되는 쿨러는 아래에 나와 있습니다.

사이리스터를 냉각하기 위해 공기 및 물 방열판이 사용됩니다. 전기 손실을 최소화하고 열 방출을 최대로 유지하려면 조립 중에 필요한 토크, 즉 누르는 힘 F_m을 제공해야 합니다. 달성된 클램핑력과 필요한 클램핑력의 대응은 트래버스의 편향에 의해 결정됩니다. 조립 중 개별 사이리스터의 열 방출을 개선하기 위해 열 전도성 페이스트가 사용되며, 이는 설치의 전제 조건은 아닙니다.

고속 사이리스터는 기능 부품과 반도체 소자를 기계적 충격과 환경으로부터 분리하는 밀폐형 하우징을 갖추고 있습니다. 이 고속 사이리스터에는 압력 접점이 있는 디스크 하우징이 있습니다.

AS Energi Global LLC의 고속 사이리스터는 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 값의 V_DRM/V_RRM, 다양한 산업 분야에서 장치를 사용한 광범위한 경험, 300~3600V의 전압 범위 및 200~2000A의 암페어, 열 및 전기 사이클링에 대한 높은 저항, 자연 또는 강제 공기 냉각 등의 특징을 가지고 있습니다.

당사는 사이리스터에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 품질 선언 및 적합성 인증서를 제공합니다.

고속 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

고전력 사이리스터 구매와 관련하여 궁금한 점이 있으면 Diodes에 이메일 요청을 보내주세요:

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사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

사진 더 보기

디스크 고속 사이리스터 시리즈:

TF133...TF933

TF143...TF943

TF153...TF953

TF173, TF273

고속 사이리스터 TF133...TF933 (200A – 500A)

유형	I_T(AV) (T_case°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	패키지	치수 ØDxØdxH	데이터 시트
유형	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	패키지	mm	PDF
200 A
TF233-200	200 (102)	1000-1500	4.5	100	200-2500	1600	6.3-12.5	125	0.04	10	110	T.B2	42x25x14
TF433-200	200 (102)	1000-1500	4.5	100	200-2500	1600	6.3-12.5	125	0.04	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20
250 A
TF133-250	250 (94)	1600-2400	5.0	120	200-2500	1600	20-40	125	0.04	10	110	PT31-1 (T.B2)	48x27x15
TF233-250	250 (97)	1000-1500	5.4	140	200-2500	1600	8-16	125	0.04	10	110	T.B2	42x25x14
TF333-250	250 (86)	1600-2400	5.0	120	200-2500	1600	20-40	125	0.05	10	180 100	T.B3 PT31	54x32x20 47x27x15
TF433-250	250 (97)	1000-1500	5.4	140	200-2500	1600	8-16	125	0.04	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20
TF833-250	250 (94)	3000	5.7	162	1000	1000	50-125	125	0.04	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20
TF933-250	250 (92)	3000-3600	5.4	140	200-1000	1000	63-80	125	0.04	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20
320 A
TF133-320	320 (85)	1600-2400	6.0	320	200-1000	1600	25-50	125	0.04	10	110	PT31-1 (T.B2)	48x27x15
TF233-320	320 (90)	1000-1500	5.5	150	200-2500	1600	10-20	125	0.04	10	110	T.B2	42x25x14
TF333-320	320 (85)	1600-2400	6.0	170	200-1000	1600	25-40	125	0.05	10	180	T.B3	54x32x20
TF433-320	320 (90)	1000-1500	5.5	150	200-2500	1600	10-20	125	0.04	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20
400 A
TF133-400	400 (85)	1600-2400	6.6	210	200-1000	1600	50-63	125	0.04	10	110	PT31-1 (T.B2)	48x27x15
TF233-400	400 (85)	400-1400	6.5	200	200-1000	800	20-50	125	0.04	10	180	PT32	54x32x20
TF333-400	371 (85)	1400-2400	6.6	200	200-2500	1600	50-63	125	0.05	10	180 100	T.B3 PT31	54x32x20 47x27x15
500 A
TF333-500	500 (95)	300-1400	7.5	280	500-1000	500	32	125	0.035	10	100	PT31	47x27x15

고속 사이리스터 TF143...TF943 (400A – 630A)

유형	I_T(AV) (T_case°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	패키지	치수 ØDxØdxH	데이터 시트
유형	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	패키지	mm	PDF
400 A
TF143-400	400 (88)	1400-2200	8.0	320	200-1000	2000	25-50	125	0.034	15	240	PT42	60x38x20
TF243-400	400 (94)	1000-1500	9.5	450	200-2500	2000	10-20	125	0.03	15	180	PT41	57x35x14
TF943-400	400 (85)	3000-3600	7.5	600	200-1000	2000	50-63	125	0.034	15	240	T.C2	60x38x20
500 A
TF143-500	500 (85)	1400-2200	9.0	400	200-1000	2000	32-63	125	0.034	15	240	PT42	60x38x20
TF243-500	500 (91)	1000-1500	11.0	600	200-2500	2000	12.5-25	125	0.03	15	180	PT41	57x35x14
TF343-500	550 (85)	500-1100	9.0	800	500-1000	500	25	125	0.028	15	180	PT41	57x35x14
630 A
TF143-630	630 (80)	1400-2200	10.0	500	200-1000	2000	32-63	125	0.034	15	240	PT42	60x38x20
TF243-630	630 (84)	1000-1500	11.5	660	200-2500	200	16-32	125	0.03	15	180	PT41	57x35x14
TF343-630	630 (90)	400-1400	10.5	820	500-1000	500	32	125	0.028	15	180	PT41	57x35x14

고속 사이리스터 TF153...TF953 (630A – 1000A)

유형	I_T(AV) (T_case°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	패키지	치수 ØDxØdxH	데이터 시트
유형	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	패키지	mm	PDF
630 A
TF153-630	630 (85)	1400-2200	16.0	1200	200-1000	2000	20-40	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
TF253-630	630 (85)	800-1600	6.0	1600	200-1000	800	25-50	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
TF453-630	630 (94)	1400-2200	20.0	2000	200-2500	2000	20-40	125	0.021	26	550	T.D2	75x51x26
TF953-630	630 (90)	3000-3600	17.0	2400	200-2500	2000	50-63	125	0.021	26	550	T.D2	75x51x26
800 A
TF153-800	800 (85)	1400-2200	17.0	1445	200-1000	2000	20-50	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
TF253-800	800 (85)	800-1600	8.0	1900	200-1000	800	25-50	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
TF453-800	800 (86)	1400-2200	21.0	2200	200-2500	2000	20-40	125	0.021	26	550	T.D2	75x51x26
TF553-800	800 (85)	1400-2400	15.0	2630	1000	630	25-63	125	0.021	26	550	PT53-1	75x51x26
1000 A
TF153-1000	1000 (75)	1400-2200	18.0	1620	200-1000	2000	20-50	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
TF253-1000	1000 (85)	800-1400	10.0	2100	200-1000	800	25-50	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
TF453-1000	1000 (79)	1400-2200	22.0	2400	200-2500	2000	20-40	125	0.021	26	550	T.D2	75x51x26

고속 사이리스터 TF173, TF273 (1600A, 2000A)

유형	I_T(AV) (T_case°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	패키지	치수 ØDxØdxH	데이터 시트
유형	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	패키지	mm	PDF
1600 A
TF173-1600	1600 (95)	1600-2800	37.0	6800	200-1000	2500	50-63	125	0.008	45	1200	PT73	112x75x26
TF173-2000	2000 (90)	2000-2500	40.0	8000	200-1000	2500	40-63	125	0.008	45	1200	PT73	112x75x26
2000 A
TF273-2000	2000 (76)	1400-2400	40.0	9300	500-1000	1000	50	125	0.011	45	1200	PT73	112x75x26

고속 사이리스터용 부품 번호 안내서:

953

–

630

–

고속 사이리스터,

AS ENERGI^TM

953

–

사이리스터 유형(디스크 유형).

630

–

개방 상태의 평균 전류 I_T(AV), Amp.

–

전압 등급 V_RRM / 100 (공칭 전압 – 3200 V).

–

오프 상태 전압의 임계 상승률 매개변수 (dV_D/dt)_crit:

영숫자 코딩	0	P3	E3	A3	P2	K2	Е2	A2	T1	P1	M1
디지털 코딩	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9
가치, V/µs	표준화되지 않음	20	50	100	200	320	500	1000	1600	2000	2500

–

끄기 시간 매개변수 t_q:

영숫자 코딩	0	C3	E3	H3	K3	M3	P3	T3	X3	A4	B4	C4	E4
디지털 코딩	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9	–	–
가치, µs	표준화되지 않음	63	50	40	32	25	20	16	12.5	10	8	6.3	5

–

켜기 시간 매개변수 t_gt:

영숫자 코딩	0	T3	A4	B4	C4	H4	K4	M4	P4	T4	X4	A5	C5
디지털 코딩	0	–	–	–	–	1	2	3	4	5	6	7	8
가치, µs	표준화되지 않음	16	10	8	6.3	4	3.2	2.5	2.0	1.6	1.25	1.0	0.63

참고: 고속 사이리스터(TF)를 위한 동적 파라미터 그룹 식별

고속 사이리스터용 테크니컬 패스포트(샘플):

사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.

고전력 반도체 AS ENERGI^TM

당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 다양한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 히트싱크의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다. 반도체를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며, 대량으로 주문하면 가격이 저렴해집니다.
우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

고전력 사이리스터, 다이오드, 모듈을 구매하려면 다음 주소로 이메일 요청을 보내세요:

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그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.

고속 (태블릿) 사이리스터 사진:

고속 사이리스터에 대한 설치 권장 사항:

전체 온도 범위에서 사이리스터와 쿨러의 결합 표면 사이의 열 전달 및 전기적 접촉의 신뢰성은 적절한 토크(클램핑력)에 의해 보장됩니다.

조립하기 전에 (1) 접촉면에 기계적 손상이 있는지 육안으로 검사하고 (2)는 알코올(톨루엔, 가솔린, 아세톤)에 적셔 검사해야 합니다.

검사 후 현재 접점(리드)을 고정하고 핀을 설치하여 구조의 정렬을 고정합니다.

열 전달 매개 변수를 개선하려면 조립 전에 (3) 실리콘 열 전도성 페이스트의 얇은 층을 권장하며 이는 설치를위한 필수 조건이 아닙니다.

사이리스터 (3), 쿨러의 두 번째 부품, 유리섬유 절연체 및 스러스트 와셔를 설치합니다.

트래버스 strong>(4)를 끼우고 너트를 고르게 조입니다. 접촉면의 정렬이 잘못되지 않고 균일한지 확인합니다.

부품이 충분히 고정되었지만 움직일 수 있는 경우 쿨러를 평평한 표면에 놓고 표면 (5)의 전체 인접 평면의 평행도에 대한 공차를 확인하는 것이 좋습니다.

각 너트를 차례로(약 1/4 바퀴) 스톱 (6)에 고정합니다. 트래버스의 편향 정도에 따라 달성된 클램핑 력이 필요한 클램핑 력과 일치하는지 여부가 결정됩니다.

설치 후에는 패스너(너트 및 와셔)를 부식되지 않도록 추가로 고정해야 합니다.

전원 다이오드에 대한 팁 및 권장 사항:

파워 다이오드는 모든 파라미터에 대해 한계 부하에서 장시간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 요구되는 신뢰도에 따라 결정됩니다.

고장난 전원 다이오드를 교체할 다이오드의 매개변수와 일치하는 다이오드로 교체합니다.

주변 온도가 높은 환경에서 작동할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

적절한 열 방출을 위해 전원 다이오드와 쿨러를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 좋습니다.

병렬로 연결된 파워 다이오드 간의 전류를 균등화하려면 유도성 전류 분배기(종종 꼬인 토로이달 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 많이 사용되는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 파워 다이오드입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율은 마그네틱 와이어의 단면에 의해 결정됩니다.

전원 다이오드를 직렬로 연결할 때 전압 불균형을 방지하려면 각 다이오드에 병렬로 연결된 션트 저항을 사용해야 합니다. 과도 상태에서의 전압 균등화는 각 다이오드에 커패시터를 병렬로 연결하여 제공됩니다.

작동 중 고전압 상태에서 전원 다이오드를 만지는 것은 엄격히 금지되어 있습니다.

AS ENERGI를 선택하는 이유^TM

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
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10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
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보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

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