인버터 사이리스터 P71-300-08 Kubara Lamina 교체

쿠바라 라미나 부품 번호 P71-300-08
평균 온 상태 전류, IT(AV)M (TC) 300А (75ºC)
전압, VDRM/VRRM 800V
패키지
스터드 스레드
8
M20x1.5
데이터시트
교체 AS ENERGITM A-TSP71-300-08
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인버터 사이리스터 A-TSP71-300-08 AS ENERGITM는 인버터 사이리스터 P71-300-08 Kubara Lamina의 교체용, 아날로그, 대체 및 동등한 반도체 장치입니다. 평균 순방향 동작 전류 ITAV300 암페어, 반복 최대 순방향 및 역방향 차단 전압 VDRM/VRRM800V. "스터드 장치용 공랭식 히트싱크 O 시리즈" 사이리스터 냉각용 제품도 주문 가능합니다.

인버터 사이리스터는 저장된 에너지원, 예를 들어 커패시터를 부하에 결합하거나 크로우바 회로에서 부하를 우회하고 보호하는 데 사용할 수 있습니다. 전류 상승 속도가 매우 빠른 펄스 전력 응용 분야에서는 펄스 전력 스위치가 닫는 스위치로 작동하며 일반적인 위상 제어 사이리스터(SCR)는 높은 di/dt로 인해 실패할 가능성이 있습니다.

사이리스터 AS ENERGITM는 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다: 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 VDRM/VRRM 값, 다양한 산업에서 장치 사용에 대한 풍부한 경험, 100V에서 9000V까지의 전압 범위와 100A에서 15000A까지의 전류 범위, 높은 열 및 전기 사이클링 저항, 자연 또는 강제 공기 냉각.

P71-300-08와 교체용 A-TSP71-300-08의 사양 및 매개변수, 데이터시트 PDF, 치수, 도면은 아래에 나열되어 있습니다.

당사는 사이리스터에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 기술 여권과 적합성 인증서를 제공합니다.

자세히 보기

인버터 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

인버터 사이리스터 쿠바라 라미나 및 교체에 대한 일반 사양:

사이리스터 사양 P71-300-08
최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도) IT(AV)M (TC) 300 A (75ºC)
반복 펄스 폐쇄 상태 전압; 반복 펄스 역전압 VDRM/VRRM 800 V
서지 온 상태 전류 ITSM 7.4 kA
안전 계수 I2t 274 kA2·s
임계 전압 VT0 -
온 상태 경사 저항 rT -
피크 온 상태 전압 VTM 2 V
피크 온 상태 전류 ITM 1500 A
트리거할 게이트 전류 IGT 200 mA
트리거할 게이트 전압 VGT 3 V
끄기 시간 tq 20 µs
온 상태 전류 상승률반복적 di/dt 250 A/µs
오프 상태 전압의 임계 상승률 dv/dt 320 V/µs
내열성, 접합부-케이스 Rth(j-c) 0.1 °C/W
p-n 접합 온도 Tvj -40...+125 ºC
장착 토크 Md 38.0-41.0 Nm
무게 W 500 g
패키지(하우징) type 8
스터드 스레드 Ød M20x1.5
교체 AS ENERGITM 유형 A-TSP71-300-08
데이터시트 PDF

인버터 사이리스터용 부품 번호 안내서 A-TSP71-300-08:

A TSP 7 1 300 08
A brand AS ENERGITM
TSP 제품 그룹: 인버터 사이리스터.
7 요소 크기 코드.
1 케이스 유형 코드:
1 – 스터드 베이스, 세라믹 하우징
2 – 스터드 베이스, 유리-금속 하우징
3,5 – 세라믹, 하키 푹 케이스
4 – 플랫 베이스, 세라믹 하우징
6 – 플랫 베이스, 유리-금속 하우징
300 개방 상태의 평균 전류 IT(AV), Amp.
08 전압 등급 VRRM / 100.

위상 제어 사이리스터 P71-300-08 및 교체용 A-TSP71-300-08의 치수:

P71-300-08 치수

패키지 8


고전력 반도체 AS ENERGITM

당사는 다양한 범위의 전력 반도체(전력 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 아발란슈 다이오드, 로터 및 용접 다이오드, 트라이악 등) 제조 및 판매를 전문으로 하며, 전류 최대 15000A 및 전압 최대 9000V, 그리고 이를 위한 공기 및 수냉 히트싱크를 제공합니다.
반도체 장치는 원하는 양으로 구매할 수 있으며, 대량 주문 시 가격이 더 저렴합니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계로 제품을 공급하고 있습니다.

전력 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매에 관한 문의는 이메일로 요청해 주세요:

[email protected]

그 후 배송에 대한 상업적 제안을 드리겠습니다.
대량 주문 시 개별 가격을 제공해 드립니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.


사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGITM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.


파워 스터드 마운트 사이리스터의 설치 권장 사항:

방열판으로 스터드 사이리스터 조립하기

전체 온도 범위에서 사이리스터와 쿨러의 결합 표면 사이의 열 전달 및 전기 접촉의 신뢰성은 다음과 같은 방법으로 보장됩니다 적절한 토크.

조립하기 전에 다음을 수행해야 합니다 육안 검사 (1) 기계적 손상에 대한 접촉 표면 및 닦다 (2), 알코올(톨루엔, 휘발유, 아세톤)에 담근 경우.

열 전달 매개 변수를 개선하려면 다음을 권장합니다 윤활유 (3) 조립 전에 실리콘 열전도성 페이스트를 얇게 발라주어야 하는데, 이는 설치의 필수 조건은 아닙니다.

설치 후 패스너(너트 및 와셔)는 부식을 방지하기 위해 추가로 고정해야 합니다.


파워 사이리스터를 위한 팁 및 권장 사항:

파워 사이리스터를 장시간 작동해서는 안 됩니다 부하 제한 를 입력합니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 필요한 신뢰도에 따라 결정됩니다.

고장 난 파워 사이리스터를 교체할 사이리스터의 파라미터와 일치하는 사이리스터로 교체합니다.

주변 온도가 높은 환경에서 작동할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

적절한 열 방출을 위해 파워 사이리스터와 쿨러를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 좋습니다.

병렬로 연결된 파워 사이리스터 간의 전류를 균등화하려면 유도성 전류 분배기(종종 꼬인 토로이달 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 많이 사용되는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 파워 사이리스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율은 마그네틱 와이어의 단면에 의해 결정됩니다.

파워 사이리스터를 직렬로 연결할 때 전압 불균형을 방지하려면 각 사이리스터에 병렬로 연결된 션트 저항을 사용해야 합니다. 과도 상태에서의 전압 균등화는 각 사이리스터에 커패시터를 병렬로 연결하여 제공됩니다.

장치 전압 부족

작동 중 고전압 상태에서 파워 사이리스터를 만지는 것은 엄격히 금지되어 있습니다.


icon AS ENERGI를 선택하는 이유TM

  • 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
  • 유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
  • 반도체 산업에서 20년 이상의 경험
  • 50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
  • 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
  • 다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
  • 보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

 

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

Certificates

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

테스트 보고서

파트너십 지역

AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

지리

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

물류

AS ENERGITM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.


주요 제품:

 

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Selected Products:

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