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(EN)디스크 고속 사이리스터 C613L (550A 2000V) Powerex 교체
| 파워렉스 부품 번호 | C613L |
| 평균 온 상태 전류, IT(AV)M | 550A |
| 전압, VDRM/VRRM | 2000V |
| 끄기 시간 tq | 45 to 50 µs |
| 패키지 치수 |
T82 58.5x34x27 |
| 데이터시트 |  |
| 교체 AS ENERGITM | A-C613L |
| 장바구니에 담기 | on request
|
패스트 티리스터 A-C613L AS ENERGITM는 빠른 전환 티리스터(빠른 꺼짐 티리스터) C613L Powerex의 대체, 아날로그, 대체 및 동등한 반도체 장치입니다.
평균 상태 전류 ITAV – 550A, 반복 최대 순방향/역방향 전압 VDRM/VRRM – 2000V, 꺼짐 시간 tq – 45 to 50 µs. 디바이스 유형 자본 문자} 사이리스터는 DC 및 AC 전류를 변환하고 제어하도록 설계되었습니다. "디스크 장치용 공랭식 히트싱크 O 시리즈", "에어 히트싱크 SF 시리즈", "워터 히트싱크 SS 시리즈" 사이리스터 냉각용 제품도 주문 가능합니다.
특징: 패스트 티리스터는 낮은 스위칭 손실과 높은 di/dt 성능을 보장합니다. 패스트 티리스터는 기존 인버터, DC 초퍼 드라이브, UPS 및 펄스 전력 응용 프로그램에 적합합니다.
티리스터 AS ENERGITM는 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다: 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 VDRM/VRRM 값, 다양한 산업에서 장치 사용 경험, 100에서 9000V까지의 전압 범위와 10에서 15000A까지의 전류 범위, 높은 열 및 전기 사이클 저항, 자연 공기 또는 강제 공기 냉각.
C613L 및 대체품 A-C613L의 기술 사양 및 매개변수, 데이터시트 PDF, 외형도 및 치수는 아래에 나와 있습니다.
당사는 구매일로부터 2년간 티리스터에 대한 품질 보증을 제공합니다. 티리스터를 공급할 때 필요 시 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.
고속 사이리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.
고속 사이리스터 파워렉스의 일반 사양 및 교체:
| 사이리스터 사양 | C613L | |
| 최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도) | IT(AV) (Tcase) | 550 A (70ºC) |
| 반복적인 피크 오프 상태 전압, 반복적인 피크 역전압 | VDRM/VRRM | 2000 V |
| 반복적인 피크 오프 상태 및 반복적인 피크 역전류, 최대 | IDRM/IRRM | 45 mA |
| 서지 온 상태 전류 | ITSM | 7 kA |
| 안전 계수 | I2t | 175 kA2·s |
| 끄기 시간 | tq | 45 to 50 µs |
| 온 상태 전류의 임계 상승률 | di/dt | 200 A/µs |
| 온 상태 전류의 임계 상승률 | dv/dt | 400 V/µs |
| 온도 | Tj | -40 to 125 ºC |
| 내열성, 접합부-케이스 | Rth(j-c) | 0.045 °C/W |
| 클램핑 력 | Fm | 16 to 18 kN |
| 패키지(하우징) | 유형 | T82 |
| 치수 | - | 58.5x34x27 |
| 교체 AS ENERGITM | 유형 | A-C613L |
| 데이터시트 | |
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고속 사이리스터 A-C613L의 부품 번호 안내서:
| A | - | C613 | - | L |
| A | – |  AS ENERGITM |
| C613 | – | T82 케이스 프레스 팩, 인버터 사이리스터. |
| L | – | M: VRRM/VDRM=600V; N: VRRM/VDRM=800V; P: VRRM/VDRM=1000V; PB: VRRM/VDRM=1200V; PD: VRRM/VDRM=1400V; PM: VRRM/VDRM=1600V; PN: VRRM/VDRM=1800V; L: VRRM/VDRM=2000V. |
고속 사이리스터 C613L 및 교체용 A-C613L의 치수:
패키지 T82
고전력 반도체 AS ENERGITM
저희 회사는 다양한 전력 반도체(전력 티리스터, 모듈, 정류 다이오드, 아발란시 다이오드, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등)를 제조하고 판매합니다. 전류는 최대 15000A, 전압은 최대 9000V까지 가능하며, 이에 적합한 공기 및 수냉 히트싱크도 제공합니다.
반도체 장치는 원하는 수량으로 구매할 수 있으며, 대량 주문 시 가격이 더 저렴해집니다. 저희는 고객의 신뢰를 얻었으며, 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.
파워 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매와 관련된 질문은 다음 주소로 이메일을 보내주세요:
그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공합니다!!!
저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.
파워 스터드 사이리스터용 방열판:
방열판(라디에이터)은 스터드 설계에서 전력 반도체 장치를 냉각하는 데 사용됩니다.
쿨러의 방열판은 알루미늄 라디에이터 프로파일로 만들어지며 다양한 기후 조건에서 사용할 때 추가 보호 코팅이 필요하지 않습니다.
히트싱크에 대한 자세한 정보는 다음을 참조하십시오: "스터드 장치를 위한 공기 냉각 히트싱크".
고전력 스터드형 사이리스터 사진:
AS ENERGI를 선택하는 이유TM
- 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
- 유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
- 반도체 산업에서 20년 이상의 경험
- 50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
- 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
- 다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
- 보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년
품질 보증
당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.
각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.
파트너십 지역
AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.
물류 및 배송
당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.
AS ENERGITM 반도체 제조
당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.
주요 제품:
