O541 유형의 열 방출기(히트 싱크) SCR 티리스터 및 정류 다이오드용

미터 나사산이 있는 적용 가능한 스터드	M10
현재 장치에 적용	60A - 100A
전력 소모	50 W
장착 토크 Md, ±10%	10 N·m
방열판 O541	on request + –
치수 B×L×H	45×80×80 mm
무게	0.420 kg

공기 냉각 방열판 O541-80 AS ENERGI^TM는 스터드 디자인을 가진 파워 반도체 장치의 단면 냉각에 사용되며, 메트릭 ISO 나사선 M10를 갖습니다. 적용된 장치 하우징 유형: SD4, ST4, ST4-1.

방열판은 60A - 100A 전류를 사용하는 파워 SCR 사이리스터 및 정류 다이오드를 냉각하는 데 사용됩니다. 자연 냉각이 있는 방열판의 열 방출은 50W입니다.

공기 흐름 냉각은 생성되는 열의 양과 반도체의 작동 조건에 따라 자연 냉각 또는 강제 냉각일 수 있습니다.

특징: 내식성 알루미늄 합금; 낮은 열 저항; 설치 슬롯을 이용한 쉬운 설치; 표준 모델과 맞춤형 모델 제공 가능.

방열판은 알루미늄 방열기 프로필로 제작되며 다양한 기후 조건에서 사용 시 추가 보호 코팅이 필요하지 않습니다.

장치의 전기 손실을 최소화하고 최대 열 방출을 달성하기 위해서는 파워 장치 사양에 명시된 적절한 토크 Md를 준수해야 합니다.

방열판, 전류 접촉 및 반도체 장치의 접촉면은 알코올(톨루엔, 벤젠, 아세톤)에 적신 천으로 닦아야 하며, 실리콘 유기 열전도체 페이스트의 얇은 층을 바르는 것이 권장됩니다 (이것은 권장 사항이며 설치의 필수 조건은 아닙니다).

공기 냉각 방열판 (쿨러, 방열기)이 사용되는 스터드 타입 SCR 사이리스터 및 정류 다이오드의 전류 범위: 60A, 63A, 65A, 70, 80A, 90A, 100A.

공기 냉각 방열판(방열기)의 사양, 매개변수, 치수, 도면은 아래에 나와 있습니다.

당사는 공기 냉각 방열판에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 방열판 공급 시 필요에 따라 기술 명세서를 제공할 수 있습니다.

공랭식 히트싱크의 최종 가격은 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

공기 냉각 방열판 O541 사양:

방열판 사양	O541 (O541-80)
미터 나사산이 있는 적용 가능한 스터드	M10
자연 냉각을 통한 전력 소모 (P_F)	50 W
자연 냉각을 통한 전력 소모 R_th(h-a) (자연 냉각)	1.90 °C/W
자연 냉각을 통한 전력 소모 R_th(h-a) (강제 냉각, 공기 흐름 V_cfh=6 m/s)	0.67
유량 저항 ΔPh	15
장착 토크 Md, ±10%	10 N·m
냉각 표면적	635.406
무게(전원 접촉 제외)	0.420 kg
개요, 치수 B×L×H	45×80×80 mm
현재 장치에 적용	60A - 100A
애플리케이션 패키지 유형	SD4, ST4, ST4-1
애플리케이션 다이오드, 사이리스터 유형	D141, T142, TC142

방열판 O541의 전체 및 장착 치수:

공기 냉각 방열판 O541의 부품 번호 안내서:

–

O	–	제품 그룹: 반도체용 방열판.
5	–	방열판 디자인 수정 일련 번호.
4	–	스터드형 방열판용 나사산 직경에 따른 시리즈 코딩.
1	–	장치의 방열판 디자인 수정 일련 번호입니다: 1 - 스터드 마운트 버전.
80	–	방열판 길이, mm.

O541 냉각액의 열적 특성 그래프:

a) — 열싱크의 접촉 표면과 냉각액 사이의 열저항 - (1-0 m/s (50W); 2-3 m/s; 3-6 m/s; 4-12 m/s)
b) — 열싱크의 접촉면과 냉각액 사이의 열저항은 자연 냉각 중 방출되는 열량에 따라 달라집니다
c) — 냉각 공기 온도 차이는 냉각 공기 속도에 따라 전력 소모량과 관련이 있습니다
d) — 냉각수 유체의 압력 손실은 냉각 공기 속도에 따라 달라집니다

고전력 반도체 AS ENERGI^TM

저희 회사는 다양한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 눈사태 다이오드, 로터 및 용접 다이오드, 트라이악 등)의 제조 및 판매를 하고 있습니다. 전류는 최대 15000A, 전압은 최대 9000V까지 가능하며, 이에 맞는 공기 및 수냉식 히트싱크도 제공합니다.
반도체 장치는 원하는 수량만큼 구매할 수 있으며, 대량 주문 시 가격이 더 저렴해집니다. 저희는 고객들의 신뢰를 얻었으며, 전 세계로 제품을 공급하고 있습니다.

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사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

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공기 방열판으로 스터드 사이리스터를 조립하기 위한 권장 사항입니다:

전체 온도 범위에서 사이리스터와 쿨러의 맞닿는 표면 간의 열 전달 및 전기적 접촉의 신뢰성은 적절한 토크에 의해 보장됩니다.

조립 전에 시각적 검사 (1)를 통해 접촉 표면에 기계적 손상이 있는지 확인하고 알콜에 적신 천으로 닦아야 합니다 (2) (톨루엔, 가솔린, 아세톤 등).

열 전달 성능을 향상시키기 위해 조립 전에 실리콘 열전도성 페이스트를 얇게 도포 (3)하는 것이 권장됩니다 (이는 권장 사항이며 설치의 필수 조건은 아닙니다).

설치 후, 패스너(너트 및 와셔)는 추가로 부식에 대비하여 고정해야 합니다.

전력 사이리스터에 대한 팁과 권장 사항:

전력 사이리스터는 모든 파라미터에서 한계 부하로 장기간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우, 안전 계수는 장치의 신뢰성 요구 사항에 따라 결정됩니다.

고장난 전력 사이리스터는 교체되는 사이리스터의 파라미터에 맞는 사이리스터로 교체해야 합니다.

고온 환경에서 작동할 때는 슈퍼쿨링이 제공되어야 합니다.

전력 사이리스터와 쿨러는 먼지와 오염물을 제거하기 위해 주기적으로 청소하는 것이 권장됩니다. 이는 적절한 열 방출을 보장하기 위해 필요합니다.

인덕티브 전류 분배기(종종 비틀린 토로이드 와이어)는 병렬로 연결된 전력 사이리스터 간의 전류를 균등화하는 데 사용되어야 합니다. 가장 일반적인 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 전력 사이리스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율성은 자성 와이어의 단면적에 의해 결정됩니다.

전력 사이리스터가 직렬로 연결될 때 전압 불균형을 방지하려면 각 사이리스터와 병렬로 연결된 션트 저항기를 사용해야 합니다. 과도 상태에서 전압 균등화는 각 사이리스터에 병렬로 커패시터를 연결하여 제공합니다.

작동 중에 고전압을 가진 전력 사이리스터에 손을 대는 것은 엄격히 금지됩니다.

AS ENERGI를 선택하는 이유^TM

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
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10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
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당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.