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(EN)다이오드 모듈 MD4-320-28-C1
| 평균 순방향 전류, ITAV/IFAV | 320A |
| 전압, VRRM/VDRM | 2000 – 2800V |
| 전압 코드, VRRM / 100 | 20 – 28 |
| MD4-320-28-C1 | on request
|
| 무게 | 0.86 kg |
| 패키지, 치수 LxBxH |
C1 92x50x52 mm |
| 데이터시트 |  |
전력 정류기 다이오드 모듈 MD4-320-28-C1 국제 표준 패키지의 AS ENERGITM, 320A 2800V.
최대 2800볼트(28등급)의 전압을 가진 회로에서 최대 500Hz의 주파수로 최대 320암페어의 DC 및 AC 전류를 변환하는 데 사용됩니다.
다이오드 모듈 MD4-320-28-C1는 표준 패키지 C1로 제공됩니다: 기본 치수 50x92 mm, 하우징 높이 – 52 mm, 무게 – 0.86 kg. 2포지션 모듈은 두 개의 반도체 다이오드로 구성된 모놀리식 구조입니다: 유형 다이오드-다이오드. 모듈 연결 다이어그램 MD4-320-28-C1 – 하프 브리지.
다이오드 모듈의 시리즈(등급): MD4-320-20-C1, MD4-320-22-C1, MD4-320-24-C1, MD4-320-26-C1, MD4-320-28-C1.
- 주요 터미널은 케이스 상단에 있으며 번호가 매겨져 있습니다 1, 2, 3;
저주파 다이오드 모듈 MD4-320-28-C1의 높은 열 순환 저항과 고전류 전환 시 안정적인 작동은 설계 특징과 안정적인 갈바닉 절연 매개 변수로 인해 달성됩니다.
MD4-320-28-C1 다이오드 모듈은 쉽게 장착할 수 있고 열 방출을 위해 쿨러와 잘 접촉하는 클램프 온 설계를 채택하고 있습니다. 추가 단열재 없이 하나의 쿨러에 여러 모듈을 장착할 수 있어 어셈블리의 전체 크기를 크게 줄일 수 있습니다. 모듈과 방열판(히트싱크) 사이에는 열 페이스트로 윤활 처리된 열 전도성 기판을 사용하는 것이 좋습니다.
두 위치 모듈은 배선도(전기 회로도)가 다릅니다: MD3 – 하프 브리지; MD4 – 공통 음극 회로; MD5 – 공통 양극 회로.
TI의 모듈은 거의 모든 위상 제어 또는 정류기 애플리케이션을 위한 여러 듀얼 및 단일 디바이스 토폴로지로 제공됩니다.
당사는 사이리스터/다이오드 모듈에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터/다이오드 모듈을 공급할 때 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.
사이리스터/다이오드 모듈의 최종 가격은 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.
다이오드-다이오드 모듈의 일반 사양 MD4-320-28-C1:
| 다이오드 모듈 사양 | MD4-320-28-C1 | |
| 최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도) | IF(AV) (TC) | 320 A (107ºC) 363 A (100ºC) |
| 반복 펄스 역전압; 반복 펄스 폐쇄 상태 전압 | VRRM/VDRM | 2800 V |
| 서지 온 상태 전류 | IFSM | 8.5 kA |
| 피크 온 상태 전압 | VFM | 1.4 V |
| 피크 온 상태 전류 | IFM | 785 A |
| 임계 전압 | V(TO) | 0.85 V |
| 온 상태 경사 저항 | rT | 0.450 mΩ |
| 접합 온도 | Tj max | 125 ºC |
| 최대 케이스 작동 온도 | Tc max | 125 ºC |
| 내열성, 접합부-케이스 | Rth(j-c) | 0.1100 ºC/W |
| 전기 절연 강도 | VISOL | 3.00 kV |
| 디자인(스위치) | - | 이중 구성 요소 |
| 유형(회로도) | - | 다이오드-다이오드 |
| 연결 다이어그램 | - | 공통 음극 |
| 무게 | W | 0.86 kg |
| 패키지 | - | C1 |
| 치수, mm | L×B×H | 92x50x52 mm |
| 데이터시트 | |
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다이오드-다이오드 모듈 MD4-320-28-C1용 부품 번호 안내서:
| MD | 4 | – | 320 | – | 28 | – | C1 | – | N |
| MD | – | 다이오드 모듈,  AS ENERGITM |
| 4 | – | 연결 다이어그램: 3 – 하프 브리지; 4 – 공통 음극 회로; 5 – 공통 양극 회로. |
| 320 | – | 정격 전류 IF(AV), A. |
| 28 | – | 전압 등급 VRRM / 100 (공칭 전압 – 2800 V). |
| C1 | – | 주택 유형. |
| N | – | 주변 조건: N – 보통. |
파워 다이오드 모듈 MD4-320-28-C1의 치수:
패키지 C1
다이오드 모듈 연결 다이어그램 MD4-320-28-C1:
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1, 2, 3 – 메인 터미널. |
고전력 반도체 AS ENERGITM
당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 광범위한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 애벌런치, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 방열판의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 소자를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며 대량 주문 시 가격이 저렴해집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.
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- 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
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품질 보증
당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.
각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.
파트너십 지역
AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.
물류 및 배송
당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.
AS ENERGITM 반도체 제조
당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.
주요 제품:
