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(EN)Fast Recovery Diode M3770ZD300 IXYS Westcode Replacement
| IXYS Westcode Part Number | M3770ZD300 |
| Average forward current, IF(AV)M (TC) | 3770A (55ºC) |
| Voltage, VRRM | 3000 V |
| Package, Dimensions ØDxØdxH | Package W42 110x73x26 mm |
| Datasheet |  |
| Replacement AS ENERGITM | ADDM3770ZD300 |
| Add to Cart | on request
|
Fast Recovery Diode ADDM3770ZD300 AS ENERGITM is a replacement, analogue, alternative and equivalent semiconductor device for standard fast recovery discrete diode M3770ZD300 IXYS UK Westcode, Littelfuse.
Average forward current IFAV – 3770 ampere, repetitive peak reverse voltage VRRM – 3000V.
Features: class-leading performance and reliability; optimised for line frequency; low on-state losses; high reverse voltage and high current handling capabilities, high surge capability. Fast Recovery Diodes are particularly suitable for use as anti-parallel diodes used in Gate Turn-Off and Fast Thyristor inverters and as diodes for choppers.
"Air-cooled heatsinks O series for disc devices", "Air heatsink SF series", "Water heatsink SS series" for thyristors and diodes cooling are also available to order.
Rectifier Diodes AS ENERGITM have the following features: industry standard housing; low static and dynamic losses, high values of VRRM/VRSM, extensive experience of using the devices in various industries, range of voltages from 100 to 9000 V and amperages from 10 to 15000 A, high resistance to thermal and electric cycling.
The technical specifications and parameters of M3770ZD300 and replacement ADDM3770ZD300, datasheet PDF, outline drawing and dimensions are listed below.
Our company provides a quality guarantee for fast recovery diodes of 2 years from the date of purchase. When supplying diodes, if necessary, we provide technical passport and certificate of conformity.
The final price for fast recovery diodes depends on the voltage class, quantity, delivery terms, manufacturer, country of origin and form of payment.
General specifications of Fast Recovery Diode IXYS WESTCODE and Replacements:
| Diode specifications | M3770ZD300 | |
| Maximum allowable average forward current (Case temperature) | IF(AV)M (TC) | 3770 A (55ºC) |
| Max. repetitive peak reverse blocking voltage | VRRM | 3000 V |
| Surge peak forward current | IFSM | 44000 A |
| Safety factor | I2t | 9.68x106 A2·s |
| Reverse recovery time | trr | 7.00 µs |
| Recovered charge | Qrr | 2000 µC |
| Forward current | IFM | 1000 A |
| Critical rate of rise of forward current | -diF/dt | 60 A/µs |
| Threshold voltage | VT0 | 1.190 V |
| Slope resistance | rT | 0.118 mΩ |
| Temperature of p-n junction | Tvj max | 150 ºC |
| Thermal resistance, junction to heatsink | RthJK | 0.0110 K/W |
| Clamping force | Fm | 27 - 47 kN |
| Weight | W | 1.2 kg |
| Package (Housing) | type | W42 |
| Dimensions | ØDxØdxH | 110x73x26 mm |
| Replacement AS ENERGITM | type | ADDM3770ZD300 |
| Datasheet | |
|
Part Numbering Guide for Fast Recovery Diodes:
| A | DDM | 3770 | ZD | 30 | 0 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| DDM | – | Product group: Diode Disc type, Fast Recovery Diode. |
| 3770 | – | Average forward current IF(AV), Amp. |
| ZD | – | Housing (package) type. |
| 30 | – | Voltage class VRRM / 100. |
| 0 | – | Fixed code. |
Dimensions of Fast Recovery Diode M3770ZD300 and Replacement ADDM3770ZD300:
Package W42
Polarity (anode, cathode) of power rectifier disc diodes:
|
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High Power Semiconductors AS ENERGITM
Our company is engaged in the manufacturer and sale of wide range of power semiconductors (power thyristors, modules, rectifier diodes, avalanche, rotor and welding diodes, triacs etc.) currents up to 15000A and voltages to 9000V, and air and water heatsinks to them.
You can buy semiconductor devices in any volumes, and when ordering large lots, the price will be lower. We have earned the trust of customers and supply products all over the world.
For questions regarding the acquisition of Power Thyristors, Diodes, Modules send an email request to:
And we will provide you a commercial offer for delivery.
For a large number, we will provide an individual price!!!
저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.
Heat sinks for power rectifier disc diodes:
Heat sinks (radiators) are used for single- and double-sided cooling of power semiconductor devices in disc design.
Heat sinks of coolers are made of aluminum radiator profiles and do not require additional protective coating when used in various climatic conditions.
Air and water heat sinks for rectifier diode cooling are also available to order.
See for more information about heatsinks: "Air-cooled heatsinks O series for disc devices", "Air heatsink SF series", "Water heatsink SS series".
Photo of Rectifier Diodes:
AS ENERGI를 선택하는 이유TM
- 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
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- 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
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품질 보증
당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.
각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.
파트너십 지역
AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.
물류 및 배송
당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.
AS ENERGITM 반도체 제조
당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.
주요 제품:
