고속 복구 다이오드 R75-600-10 Kubara Lamina 교체

쿠바라 라미나 부품 번호	R75-600-10
평균 순방향 전류, I_F(AV)M (T_C)	600А (95ºC)
전압, V_RRM	1000V
패키지 치수	14 42x25x15
데이터시트
교체 AS ENERGI^TM	ADR75-600-10
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패스트 리커버리 다이오드 ADR75-600-10 AS ENERGI^TM는 빠른 회복 다이오드 R75-600-10 Kubara Lamina의 대체품, 아날로그, 대체 및 동등한 반도체 장치입니다. 평균 순방향 전류 I_FAV – 600 암페어, 반복 피크 역전압 V_RRM – 1000V입니다.

특징 빠른 회복 다이오드: 선 주파수에 최적화됨; 높은 서지 용량; 낮은 복귀 전하; 낮은 역방향 복귀 시간; 빠른 스위칭 속도; 높은 역전압 및 높은 전류 처리 능력. 다이오드의 특징은 빠른 회복(짧은 역방향 회복 시간 t_rr 및 작은 복귀 전하)과 고주파에서의 적용입니다. 다이오드는 고주파에서 높은 전류 용량을 가지고 있습니다. 주요 응용 분야는 DC-DC 컨버터, 인버터, 유도 가열, 고주파 정류기, 스위칭 전원 공급 장치입니다. 다이오드 냉각을 위한 공기 및 수냉 히트싱크도 주문 가능합니다.

"디스크 장치용 공랭식 히트싱크 O 시리즈", "공기 방열판 SF 시리즈", "방열판 SS 시리즈" 사이리스터 냉각용 제품도 주문 가능합니다.

정류기 다이오드 AS ENERGI^TM 는 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다: 산업 표준 하우징; 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 V_RRM/V_RSM 값, 다양한 산업에서의 장치 사용 경험, 100V에서 9000V 범위의 전압과 100A에서 7500A 범위의 전류, 높은 열 및 전기 사이클링 저항.

R75-600-10 및 교체용 ADR75-600-10의 기술 사양 및 매개변수, 데이터시트 PDF, 개요 도면 및 치수는 아래에 나와 있습니다.

당사는 구매일로부터 2년간 빠른 회복 다이오드에 대한 품질 보증을 제공합니다. 다이오드를 공급할 때, 필요한 경우 기술 여권과 적합성 인증서를 제공합니다.

고속 복구 다이오드의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

고속 복구 다이오드 쿠바라 라미나 및 교체에 대한 일반 사양:

다이오드 사양		R75-600-10
최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도)	I_F(AV)M (T_C)	600 A (95ºC)
최대 반복 피크 역방향 차단 전압	V_RRM	1000 V
서지 피크 순방향 전류	I_FSM	7 kA
안전 계수	I²t	245 kA²·s
온 상태 경사 저항	r_T	0.65 mΩ
피크 온 상태 전압	V_FM	1.8 V
피크 온 상태 전류	I_FM	1500 A
역 복구 시간	t_rr	2 µs
내열성, 접합부-케이스	R_th(j-c)	0.04 °C/W
내열성, 케이스에서 히트싱크까지	R_th(CS)	0.02 s°C/W
p-n 접합 온도	T_vj	-40...+150 ºC
클램핑 력	F_m	9.0-11.0 kN
무게	W	85 g
패키지(하우징)	유형	14
치수	ØDxØdxH	42x25x15
교체 AS ENERGI^TM	유형	ADR75-600-10
데이터시트	PDF

고속 복구 다이오드 부품 번호 안내서 ADR75-600-10:

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600

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A	–	AS ENERGI^TM
DR	–	제품 그룹: 다이오드 고속 복구(고속 스위칭 다이오드).
7	–	요소 크기 코드.
5	–	케이스 유형 코드: 1 – 스튜드 베이스, 세라믹 하우징 2 – 스튜드 베이스, 유리-금속 하우징 3,5 – 세라믹, 하키 퍽 케이스 4 – 평평한 베이스, 세라믹 하우징 6 – 평평한 베이스, 유리-금속 하우징
600	–	개방 상태의 평균 전류 I_T(AV), Amp.
10	–	전압 등급 V_RRM / 100.

고속 복구 다이오드 R75-600-10 및 교체용 ADR75-600-10의 치수:

패키지 14

고전력 반도체 AS ENERGI^TM

저희 회사는 다양한 고전력 반도체(전력 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 아발란슈 다이오드, 로터 및 용접 다이오드, 트라이악 등)를 제조 및 판매하고 있으며, 전류는 최대 15000A, 전압은 최대 9000V까지 지원합니다. 또한, 이에 적합한 공냉 및 수냉 히트싱크도 제공합니다.
반도체 장치는 어떤 수량으로든 구매할 수 있으며, 대량 주문 시 가격이 낮아집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며, 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.

전력 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매에 관한 문의는 아래 이메일로 요청해 주세요:

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저희가 배송에 대한 상업적 제안을 드리겠습니다.
대량 주문 시, 개별 가격을 제공해드립니다!!!

저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.

사진 갤러리

사진 갤러리에는 AS ENERGI^TM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.

사진 더 보기

전원 정류기 디스크 다이오드용 방열판:

방열판(라디에이터)은 디스크 설계에서 전력 반도체 장치의 단면 및 양면 냉각에 사용됩니다.

쿨러의 방열판은 알루미늄 라디에이터 프로파일로 만들어지며 다양한 기후 조건에서 사용할 때 추가 보호 코팅이 필요하지 않습니다.

정류기 다이오드 냉각을 위한 공기 및 물 방열판도 주문할 수 있습니다.

방열판에 대한 자세한 내용은 방열판에 대한 자세한 내용을 참조하세요:"디스크 장치용 공랭식 히트싱크 O 시리즈", "트싱크 SF 시리즈", "워터 히트싱크 SS 시리즈".

Photo of 정류기 다이오드:

파워 사이리스터에 대한 설치 권장 사항:

전체 온도 범위에서 사이리스터와 쿨러의 결합 표면 사이의 열 전달 및 전기적 접촉의 신뢰성은 <강>적절한 토크(클램핑력)에 의해 보장됩니다.

조립하기 전에 다음을 수행해야 합니다 육안 검사 (1) c기계적 손상에 대한 온택트 표면 및 닦다 (2), 알코올(톨루엔, 휘발유, 아세톤)에 담근다.

검사 후, 현재 연락처 수정 (리드), 핀 설치 를 사용하여 구조의 정렬을 수정합니다.

열 전달 매개 변수를 개선하려면 다음을 권장합니다 윤활유 (3) 조립 전에 실리콘 열전도성 페이스트를 얇게 발라주어야 하는데, 이는 설치의 필수 조건은 아닙니다.

사이리스터 설치 (3), 쿨러의 두 번째 부분, 유리 섬유 절연체 및 스러스트 와셔.

트래버스 스레딩하기 (4) 그리고 너트를 고르게 조입니다. 다음 사항을 확인하십시오 정렬 불량 없음 그리고 균일성 접촉 표면의.

부품이 충분히 고정되었지만 움직일 수 있는 경우 쿨러를 평평한 표면에 놓고 다음을 수행하는 것이 좋습니다 병렬 처리 허용 오차 확인 서페이스의 전체 인접 평면의 (5).

각 너트를 고정합니다 차례로 (약 1/4 회전) 정류장까지 (6). 트래버스의 편향 정도에 따라 달성된 클램핑 력이 필요한 클램핑 력과 일치하는지 여부가 결정됩니다.

설치 후에는 패스너(너트 및 와셔)를 다음 사항에 대해 추가로 고정해야 합니다 부식.

파워 사이리스터를 위한 팁 및 권장 사항:

파워 사이리스터를 장시간 작동해서는 안 됩니다 한 를 입력합니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 필요한 신뢰도에 따라 결정됩니다.

고장난 파워 사이리스터를 교체할 사이리스터의 파라미터와 일치하는 사이리스터로 교체합니다.

주변 온도가 높은 환경에서 작동할 때는 과냉각을 제공해야 합니다.

Pe적절한 열 방출을 위해 파워 사이리스터와 쿨러를 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 좋습니다.

병렬로 연결된 파워 사이리스터 간의 전류를 균등화하려면 유도성 전류 분배기(종종 꼬인 토로이달 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 많이 사용되는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 파워 사이리스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율은 마그네틱 와이어의 단면에 의해 결정됩니다.

파워 사이리스터를 직렬로 연결할 때 전압 불균형을 방지하려면 각 사이리스터에 병렬로 연결된 션트 저항을 사용해야 합니다. 과도 상태에서의 전압 균등화는 각 사이리스터에 커패시터를 병렬로 연결하여 제공됩니다.

작동 중 고전압 상태에서 파워 사이리스터를 만지는 것은 엄격히 금지되어 있습니다.

AS ENERGI를 선택하는 이유^TM

반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
반도체 산업에서 20년 이상의 경험
50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년

품질 보증

당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.

각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

파트너십 지역

AS ENERGI^TM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

물류 및 배송

당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.

AS ENERGI^TM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.

주요 제품:

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