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(EN)GBT 모듈 SKM200GAL12VL2 (150A 1200V) Semikron 체
| 세미크론 부품 번호 | SKM200GAL12VL2 |
| 공칭 콜렉터 전류, ICnom | 150А |
| 콜렉터-이미터 전압, VCES | 1200V |
| 패키지, 치수 L×B×H | 패키지 2 94x34x30 mm |
| 데이터시트 |  |
| 교체 AS ENERGITM | AMM200GAL12VL2 |
| 장바구니에 담기 | on request
|
IGBT 모듈 AMM200GAL12VL2 AS ENERGITM는 IGBT 모듈 SKM200GAL12VL2 세미크론(세미트랜스 패키지)의 대체품, 아날로그, 대체품 및 이와 동등한 제품입니다. 공칭 콜렉터 전류 ICnom - 150암페어, 연속 콜렉터 전류 IC - 299암페어, 콜렉터-이미터 전압 VCES - 1200V. 스위치 - 단일 스위치.
IGBT 모듈은 표준 산업용 케이스에 들어 있어 기존 장비에 쉽게 통합할 수 있습니다.
IGBT 모듈(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)은 모터용 가변 속도 드라이브, AC 인버터 드라이브, UPS, 전자 용접기, 브레이크 초퍼, 무정전 전원 공급 장치 등의 전력 컨버터의 스위칭 소자로 사용됩니다. 사용 가능한 토폴로지에는 하프 브리지, 단일 스위치, 식스팩, 3레벨 등이 있으며 모든 애플리케이션 분야를 포괄합니다.
IGBT 전력 모듈은 스위칭, 온도, 무게 및 비용 성능을 향상시키는 능력으로 인해 고전력 애플리케이션에 선호되는 디바이스가 되고 있습니다.
IGBT 모듈 SKM200GAL12VL2 및 AMM200GAL12VL2의 기술 사양, PDF 데이터시트, 내부 연결 토폴로지, 개요도 및 치수는 다음과 같습니다.
당사는 IGBT 모듈에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. IGBT 모듈을 공급할 때 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.
IGBT 모듈의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.
IGBT 모듈 SKM200GAL12VL2 세미크론 및 교체품의 일반 사양:
| IGBT 모듈 사양 | SKM200GAL12VL2 | |
| IGBT | ||
| 공칭 콜렉터 전류 | ICnom | 150 A |
| 연속 수집기 전류(케이스 온도) | IC | 299 A (25ºC) |
| 콜렉터-이미터 전압 | VCES | 1200 V |
| 콜렉터-이미터 포화 전압 (Tj = 25ºC typ.) | VCE(sat) | 1.86 V |
| 전원을 켜는 동안의 에너지 소모 | Eon | 24 mJ |
| 전원을 끄는 동안의 에너지 손실 | Eoff | 22 mJ |
| 다이오드 | ||
| 연속 DC 순방향 전류(케이스 온도) | IF | 189 A (25ºC) |
| 순방향 전압 (Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.14 V |
| 역회수 중 에너지 손실(다이오드) | Err | 8.5 mJ |
| 모듈 | ||
| 회로 토폴로지 | - | |
| 스위치 | - | 단일 스위치 |
| 무게 | W | 0.16 kg |
| 도면, 패키지, 치수, mm | L×B×H | 패키지 2 94x34x30 mm |
| 교체 AS ENERGITM | 유형 | AMM200GAL12VL2 |
| 데이터시트 | |
|
IGBT 모듈용 부품 번호 안내서:
| A | M | M | 200 | GAL | 12 | VL2 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | 제품 그룹: 모듈. |
| M | – | 반도체 유형: IGBT 모듈. |
| 200 | – | 공칭 콜렉터 전류 ICnom, Amp. |
| GAL | – | 내부 연결 토폴로지. |
| 12 | – | 콜렉터-이미터 전압 등급 VCES / 100. |
| VL2 | – | 기능(예: IGBT 칩 특성, 내부 참조 번호). |
IGBT 모듈 SKM200GAL12VL2 및 교체용 AMM200GAL12VL2의 치수:
패키지 2
IGBT 모듈 SKM200GAL12VL2 및 교체용 AMM200GAL12VL2의 회로도:
토폴로지 GAL
AS ENERGI의 고전력 반도체
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각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.
파트너십 지역
AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.
물류 및 배송
당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.
AS ENERGITM 반도체 제조
당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.
주요 제품:
