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(EN)중간 전류 사이리스터 T32-20-10 Kubara Lamina 교체
| 쿠바라 라미나 부품 번호 | T32-20-10 |
| 평균 온 상태 전류, IT(AV)M (TC) | 20A (85ºC) |
| 전압, VDRM/VRRM | 1000V |
| 스터드 스레드 | M6x0.8 |
| 데이터시트 |  |
| 교체 AS ENERGITM | A-TSM32-20-10 |
| 장바구니에 담기 | on request
|
중간 전류 스터드 티리스터 A-TSM32-20-10AS ENERGITM는 중간 전류 티리스터 T32-20-10 Kubara Lamina의 교체용, 아날로그, 대체 및 동등한 반도체 장치입니다.
평균 순방향 동작 전류 ITAV – 20 암페어, 반복적인 최대 순방향 및 역방향 차단 전압 VDRM/VRRM – 1000V. 중간 전류 티리스터는 DC 및 AC 전류를 변환하고 제어하는 데 사용됩니다. "스터드 장치용 공냉식 히트싱크 O 시리즈"도 주문할 수 있습니다.
티리스터를 냉각하기 위해 공냉식 및 수냉식 히트싱크를 사용합니다. 히트싱크와의 신뢰할 수 있는 열 및 전기적 접촉을 제공하기 위해 조립 시 조이는 토크 Md를 준수해야 합니다. 티리스터의 열 방출 성능을 개선하기 위해 조립 시 열 전도성 페이스트를 사용하는 것이 좋습니다 (이것은 권장 사항이며 설치의 필수 조건은 아닙니다).
특징: 티리스터는 스터드 디자인으로 공급됩니다. 티리스터의 베이스는 애노드이며, 긴 단단한 리드는 캐소드, 짧은 단단한 리드는 제어 전극(게이트)입니다. 티리스터는 DC 및 AC 전력 회로와 반도체 전력 변환기에서 사용됩니다.
AS ENERGITM 티리스터의 특징: 낮은 정적 및 동적 손실, 높은 VDRM/VRRM 값, 다양한 산업 분야에서 장치 사용 경험, 100V에서 9000V까지의 전압 범위 및 100A에서 15000A까지의 전류 범위, 열 및 전기적 사이클링에 대한 높은 저항, 자연 또는 강제 공기 냉각.
T32-20-10 및 대체 장치 A-TSM32-20-10의 기술 사양과 파라미터, 데이터시트 PDF, 개요 도면 및 치수는 아래에 나와 있습니다.
당사는 티리스터에 대해 구매일로부터 2년 동안 품질 보증을 제공합니다. 티리스터를 공급할 때 필요시 기술 증명서 및 적합성 인증서를 제공합니다.
중간 전류 티리스터의 최종 가격은 전압 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.
중전류 사이리스터 쿠바라 라미나 및 교체에 대한 일반 사양입니다:
| 중간 전류 사이리스터 사양 | T32-20-10 | |
| 최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도) | IT(AV) (TC) | 20 A (85ºC) |
| 반복 펄스 폐쇄 상태 전압; 반복 펄스 역전압 | VDRM/VRRM | 1000 V |
| 서지 온 상태 전류 | ITSM | 350 A |
| 안전 계수 | I2t | 0.62 kA2·s |
| 임계 전압 | VT0 | 1,15 V |
| 온 상태 경사 저항온 상태 경사 저항 | rT | 19 mΩ |
| 피크 온 상태 전압 | VTM | 1.85 V |
| 피크 온 상태 전류 | ITM | 50 A |
| 트리거할 게이트 전류 | IGT | 75 mA |
| 트리거할 게이트 전압 | VGT | 3 V |
| 온 상태 전류 상승률반복적 | di/dt | 50 A/µs |
| 오프 상태 전압의 임계 상승률 | dv/dt | 200 - 500 V/µs |
| p-n 접합 온도 | Tvj | -25...+125 ºC |
| 내열성, 접합부-케이스 | Rth(j-c) | 1.0 °C/W |
| 장착 토크 | Md ± 10 % | 2.0-2.5 Nm |
| 무게 | W | 14 g |
| 패키지(하우징) | 유형 | TO-48 |
| 스터드 스레드 | Ød | M6x0.8 |
| 교체 AS ENERGITM | 유형 | A-TSM32-20-10 |
| 데이터시트 | |
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중간 전류 사이리스터용 부품 번호 안내서 A-TSM32-20-10:
| A | – | TSM | 3 | 2 | – | 20 | – | 10 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| TSM | – | 제품 그룹: 중간 전류 사이리스터. |
| 3 | – | 요소 크기 코드. |
| 2 | – | 케이스 유형 코드: 1 – 스터드 베이스, 세라믹 하우징 2 – 스터드 베이스, 유리-금속 하우징 3,5 – 세라믹, 하키 퍽 케이스 4 – 평평한 베이스, 세라믹 하우징 6 – 평평한 베이스, 유리-금속 하우징 |
| 20 | – | 개방 상태의 평균 전류 IT(AV), Amp. |
| 10 | – | 전압 등급 VRRM / 100. |
고전력 반도체 AS ENERGITM
당사는 다양한 고전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 눈사태 다이오드, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등)를 제조 및 판매하고 있으며, 최대 15000A의 전류와 9000V의 전압을 지원합니다. 또한 이들을 위한 공냉 및 수냉 히트싱크도 제공합니다.
반도체 장치는 다양한 수량으로 구매할 수 있으며, 대량 주문 시 가격이 낮아집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계로 제품을 공급하고 있습니다.
파워 사이리스터, 다이오드, 모듈 구매에 관한 문의는 이메일로 요청해 주세요:
그럼 배송에 대한 상업적인 제안을 제공해 드리겠습니다.
대량 주문 시 개별 가격을 제공합니다!!!
저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.
스터드 마운트 사이리스터의 설치 권장 사항:
사이리스터와 쿨러의 맞닿은 표면 간의 열 전달 및 전기적 접촉의 신뢰성은 적절한 토크에 의해 보장됩니다.
조립 전에 접촉 표면에 대한 시각적 검사 (1)를 수행하고, 알콜(톨루엔, 가솔린, 아세톤)에 적신 천으로 닦아주세요 (2).
열 전달 성능을 향상시키기 위해, 조립 전에 실리콘 열전도성 페이스트를 얇은 층으로 도포 (3)하는 것이 권장되며, 이는 설치의 필수 조건은 아닙니다.
조립 후, 고정 장치(너트 및 와셔)는 부식으로부터 추가적으로 보호되어야 합니다.
파워 사이리스터에 대한 팁과 권장 사항:
파워 사이리스터는 모든 매개변수에서 최대 부하로 장시간 작동해서는 안 됩니다. 이 경우, 안전 계수는 장치의 신뢰성 요구 사항에 따라 결정됩니다.
고장 난 파워 사이리스터는 교체되는 사이리스터의 매개변수에 맞는 사이리스터로 교체해야 합니다.
주변 온도가 상승한 환경에서 작동 시 초냉각이 필요합니다.
적절한 열 발산을 보장하기 위해 파워 사이리스터와 쿨러의 주기적인 청소가 권장됩니다. 이로써 먼지와 오염물을 제거할 수 있습니다.
병렬로 연결된 파워 사이리스터 간의 전류를 균등하게 분배하려면 유도성 전류 분배기(종종 꼬여 있는 토로이드형 전선)를 사용해야 합니다. 가장 일반적인 연결 방법은 폐회로, 공통 코일 회로 또는 파워 사이리스터입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율성은 자기 전선의 단면적에 의해 결정됩니다.
파워 사이리스터가 직렬로 연결될 때 전압 불균형을 방지하려면 각 사이리스터와 병렬로 연결된 션트 저항기를 사용해야 합니다. 과도 상태에서 전압 균등화를 위해 각 사이리스터에 병렬로 커패시터를 연결합니다.
고전압 하에서 작동 중인 파워 사이리스터를 만지는 것은 엄격히 금지됩니다.
AS ENERGI를 선택하는 이유TM
- 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
- 유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
- 반도체 산업에서 20년 이상의 경험
- 50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
- 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
- 다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
- 보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년
품질 보증
당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.
각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.
파트너십 지역
AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.
물류 및 배송
당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.
AS ENERGITM 반도체 제조
당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.
주요 제품:
