MDMA50P1600TG Dual 다이오드 모듈 (50A 1600V) IXYS 교체

IXYS 부품 번호 MDMA50P1600TG
평균 순방향 전류, IF(AV) (TC) 50A (100ºC)
전압, VRRM 1600V
패키지
치수 L×B×H
TO-240-AA
92x20x30 mm
데이터시트 데이터시트
교체 AS ENERGITM AMDMA50P-1600-TG
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Dual 다이오드 모듈 AMDMA50P-1600-TG AS ENERGITM는 다이오드 모듈 MDMA50P1600TG IXYS의 대체품, 아날로그, 대체품 및 이에 상응하는 제품으로 Littelfuse 또는 Westcode라고도 알려져 있습니다.

평균 순방향 전류 IFAV50 ampere, 반복적인 피크 역전압 VRRM1600V. 두 위치 다이오드-다이오드 모듈 MDMA50P1600TG 를 하프 브리지 스위칭 회로(공통 양극-음극).

다이오드 모듈은 높은 전기 및 열 사이클링 성능으로 집중적인 작동 모드에서 높은 신뢰성과 긴 수명, 낮은 전류 누설 및 순방향 전압 강하가 특징입니다. 다이오드 모듈은 산업 표준 하우징에 들어 있어 기존 장비에 쉽게 통합할 수 있습니다.

Dual 다이오드 모듈은 단상 및 3상 브리지 구성용 전력 및 제어 장치, 전력 조정기, AC 조정기, DC 모터 제어, AC 모터 소프트 스타터, 컨버터, 용광로 또는 화학 공정의 컨트롤러, 용접 장비, AC 컨버터용 정류기 등 다양한 전력 장비에 사용됩니다.

TI의 모듈은 거의 모든 위상 제어 또는 정류기 애플리케이션을 위한 여러 듀얼 및 단일 디바이스 토폴로지로 제공됩니다.

당사는 Dual 다이오드 모듈에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. Dual 다이오드 모듈을 공급할 때 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.

자세히 보기

Dual 다이오드 모듈의 최종 가격은 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.

Dual 다이오드 모듈 MDMA50P1600TG IXYS 및 교체품의 일반 사양:

다이오드 모듈 사양 MDMA50P1600TG
최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도) IFAV (Tcase) 50 A (100ºC)
반복 펄스 역전압 VRRM 1600 V
서지 전류 IFSM 850 A A
최대 RMS 온 상태 전류 IF(RMS) -
안전 계수 I2t 3.62 kA2·s
임계 전압 VT(TO) 0.80 V
RMS 전류 IRMS 200 A
경사 저항 rT 5.70 mΩ
접합 온도 Tvj max 150 ºC
내열성, 접합부-케이스 Rth(JC) 0.65 K/W
방열판에 대한 내열성 케이스 Rth(CH) 0.20 K/W
디자인(스위치) - dual 구성 요소
유형(회로도) - diode-diode
무게 W 76 g
패키지
치수, mm
L×B×H TO-240-AA
92x20x30 mm
장착 토크 MD 2.5-4 Nm
교체 AS ENERGITM 유형 AMDMA50P-1600-TG
데이터시트 PDF 데이터시트

Dual 다이오드 모듈 AMDMA50P-1600-TG의 부품 번호 안내서:

A M D N A 50 P 1600 TG
A brand AS ENERGITM
M 제품 그룹: 디스크리트 반도체 모듈.
D Diode.
N 고전압 표준 정류기.
A 전압 등급 >= 2000 V.
50 평균 전류 정격 IFAV, A.
P 위상 다리.
1600 역전압.
TG 패키지 유형.

Dual 다이오드 모듈 MDMA50P1600TG 및 교체용 AMDMA50P-1600-TG의 치수:

MDMA50P1600TG 치수

TO-240-AA


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각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.

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AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.

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당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
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AS ENERGITM 반도체 제조

당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.

전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.


주요 제품:

 

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