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(EN)사이리스터/다이오드 모듈 MT/D4-1000-12-D (1000A 1200V)
| 평균 순방향 전류, ITAV/IFAV | 1000A |
| 전압, VRRM/VDRM | 1000 – 1200V |
| 전압 코드, VRRM / 100 | 10 – 12 |
| MT/D4-1000-12-D | on request
|
| 무게 | 4.1 kg |
| 패키지 치수 |
D 150x77x84 mm |
| 데이터시트 |  |
사이리스터 다이오드 모듈 MT/D4-1000-12-D 국제 표준 패키지의 AS ENERGITM, 1000A 1200V.
최대 1200볼트(12등급)의 전압을 가진 회로에서 최대 500Hz의 주파수로 최대 1000암페어의 DC 및 AC 전류를 변환하는 데 사용됩니다.
사이리스터 다이오드 모듈 MT/D4-1000-12-D는 표준 패키지 D로 제공됩니다: 기본 치수 77x150 mm, 하우징 높이 - 84 mm, 무게 - 4.1 kg. 2포지션 모듈은 두 개의 반도체 사이리스터와 다이오드로 구성된 모놀리식 구조로, 사이리스터-다이오드 타입입니다.
The range of module ratings: MT/D4-1000-10-D, MT/D4-1000-12-D.
저주파 사이리스터 다이오드 모듈 MT/D4-1000-12-D의 높은 열 순환 저항과 고전류 전환 시 안정적인 작동은 설계 특징과 안정적인 갈바닉 절연 파라미터 덕분에 달성할 수 있습니다.
MT/D4-1000-12-D 사이리스터 다이오드 모듈은 클램프 온 설계로 쉽게 장착할 수 있고 열 방출을 위해 쿨러와 잘 접촉할 수 있습니다. 추가 단열재 없이 여러 모듈을 하나의 쿨러에 장착할 수 있어 어셈블리의 전체 크기를 크게 줄일 수 있습니다. 모듈과 방열판(히트싱크) 사이에는 열 페이스트로 윤활 처리된 열 전도성 기판을 사용하는 것이 좋습니다.
TI의 모듈은 거의 모든 위상 제어 또는 정류기 애플리케이션을 위한 여러 듀얼 및 단일 디바이스 토폴로지로 제공됩니다.
당사는 사이리스터/다이오드 모듈에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터/다이오드 모듈을 공급할 때 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.
사이리스터/다이오드 모듈의 최종 가격은 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.
사이리스터 다이오드 모듈 MT/D4-1000-12-D의 일반 사양:
| 사이리스터 다이오드 모듈 사양 | MT/D4-1000-12-D | |
| 최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도) | IT(AV) (TC) | 1000 А (77ºC) |
| 반복 펄스 역전압; 반복 펄스 폐쇄 상태 전압 | VRRM/VDRM | 1000-1200 V |
| 서지 온 상태 전류 | ITSM | 32.0 kA |
| 피크 온 상태 전압 | VTM | 1.25 V |
| 피크 온 상태 전류 | ITM | 3140 A |
| 임계 전압 | VT(TO) | 0.90 V |
| 온 상태 경사 저항 | rT | 0.150 mΩ |
| 끄기 시간 | tq | 200 µs |
| 접합 온도 | Tj max | 140 ºC |
| 내열성, 접합부-케이스 | Rth(j-c) | 0.0500 ºC/W |
| 디자인(스위치) | - | 이중 구성 요소 |
| 유형(회로도) | - | 사이리스터 다이오드 |
| 무게 | W | 4.1 kg |
| 패키지 | - | D |
| 치수, mm | L×B×H | 150x77x84 mm |
| 데이터시트 | |
|
사이리스터 다이오드 모듈 MT/D4-1000-12-D용 부품 번호 안내서:
| MT/D | 4 | – | 1000 | – | 12 | – | A2 | – | P2 | – | D | – | N |
| MT/D | – | 사이리스터 다이오드 모듈 시리즈,  AS ENERGITM |
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| 4 | – | 연결 다이어그램. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1000 | – | 정격 전류 IT(AV), A. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 12 | – | 전압 등급 VRRM / 100 (공칭 전압 – 1200 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2 | – | 오프 상태 전압의 임계 상승률 매개변수 (dVD/dt)cr:
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| P2 | – | 끄기 시간 매개변수 tq:
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| D | – | 주택 유형. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N | – | 주변 조건: N – 보통. |
MT/D4-1000 모듈의 모든 부품 번호:
| 시리즈 | ITAV, A | VRRM, V |
| MT/D4-1000-10-D | 1000 A | 1000 V |
| MT/D4-1000-12-D | 1000 A | 1200 V |
파워 사이리스터-다이오드 모듈 MT/D4-1000-12-D의 치수:
패키지 D
고전력 반도체 AS ENERGITM
당사는 최대 15000A 전류 및 9000V 전압의 광범위한 전력 반도체(파워 사이리스터, 모듈, 정류 다이오드, 애벌런치, 로터 및 용접 다이오드, 트라이액 등) 및 이에 대한 공기 및 물 방열판의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
반도체 소자를 원하는 수량으로 구매할 수 있으며 대량 주문 시 가격이 저렴해집니다. 우리는 고객의 신뢰를 얻었으며 전 세계에 제품을 공급하고 있습니다.
파워 사이리스터, 다이오드, 모듈 구입에 관한 질문은 다음 주소로 이메일 요청을 보내주십시오.:
그리고 배송에 대한 상업적 제안을 제공합니다.
많은 수의 경우 개별 가격을 제공합니다!!!
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저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.
