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(EN)MCC95-16IO8B 듀얼 사이리스터 모듈 (116A 1600V) IXYS 교체
| IXYS 부품 번호 | MCC95-16IO8B |
| 평균 순방향 전류, IT(AV) | 116A |
| 전압, VRRM | 1600V |
| 패키지 치수 L×B×H |
TO-240AA-8B 92x20x30 mm |
| 데이터시트 |  |
| 교체 AS ENERGITM | ASMCC95-16-IO8B |
| 장바구니에 담기 | on request
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듀얼 사이리스터 모듈 ASMCC95-16-IO8B AS ENERGITM은 대체용, 아날로그, 대체품 및 개별 반도체 사이리스터 모듈 MCC95-16IO8B IXYS(Littelfuse 또는 Westcode로도 알려져 있음)입니다.
평균 순방향 전류 ITAV – 116 암페어, 반복적인 피크 역전압 VRRM – 1600V. 두 위치 사이리스터-사이리스터 모듈 MCC95-16IO8B 를 하프 브리지 스위칭 회로(공통 음극-양극).
사이리스터 모듈은 높은 전기 및 열 사이클링 성능으로 집중적인 작동 모드에서 높은 신뢰성과 긴 수명, 낮은 전류 누설 및 순방향 전압 강하가 특징입니다. 사이리스터 모듈은 산업 표준 하우징에 들어 있어 기존 장비에 쉽게 통합할 수 있습니다.
듀얼 사이리스터 모듈은 단상 및 3상 브리지 구성용 전력 및 제어 장치, 전력 조정기, AC 조정기, DC 모터 제어, AC 모터 소프트 스타터, 컨버터, 용광로 또는 화학 공정의 컨트롤러, 용접 장비, AC 컨버터 등 다양한 전력 장비에 사용됩니다.
모듈은 거의 모든 위상 제어 또는 정류기 애플리케이션을 위한 여러 이중 및 단일 디바이스 토폴로지로 제공됩니다.
당사는 듀얼 사이리스터 모듈에 대해 구매일로부터 2년간 품질 보증을 제공합니다. 회로 유형 워드 소자 모듈을 공급할 때 필요한 경우 기술 여권 및 적합성 인증서를 제공합니다.
듀얼 사이리스터 모듈의 최종 가격은 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.
듀얼 사이리스터 모듈 MCC95-16IO8B의 일반 사양 IXYS 및 교체:
| 사이리스터 모듈 사양 | MCC95-16IO8B | |
| 최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도) | ITAV | 116 A |
| 반복 펄스 역전압 | VRRM | 1600 V |
| 서지 전류 | ITSM | 2250 A |
| 최대 RMS 온 상태 전류 | IT(RMS) | 180 A |
| 안전 계수 | I2t | 25.3 kA2·s |
| 임계 전압 | VT(TO) | 0.85 V |
| RMS 전류 | IRMS | 200 A |
| 경사 저항 | rT | 2.40 mΩ |
| 끄기 시간 | tq | 185 μs |
| 게이트 트리거 전압 | VGT | 2.5 V |
| 게이트 트리거 전류 | IGT | 150 mA |
| 내열성, 접합부-케이스 | Rth(JC) | 0.22 K/W |
| 방열판에 대한 내열성 케이스 | Rth(CH) | 0.20 K/W |
| 디자인(스위치) | - | 듀얼 컴포넌트 |
| 유형(회로도) | - | 사이리스터-사이리스터 |
| 무게 | W | 81 g |
| 패키지 치수, mm |
L×B×H | TO-240AA-8B 92x20x30 mm |
| 장착 토크 | MD | 2.5-4 Nm |
| 교체 AS ENERGITM | 유형 | ASMCC95-16-IO8B |
| 데이터시트 | |
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듀얼 사이리스터 모듈 ASMCC95-16-IO8B의 부품 번호 안내서:
| AS | M | CC | 95 | – | 16 | – | I | O | 8B |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| M | – | 제품 그룹: 디스크리트 반도체 모듈. |
| CC | – | 회로 토폴로지: 2개의 사이리스터 하프브리지(음극-양극). |
| 95 | – | 평균 전류 정격 ITAV, A. |
| 16 | – | 전압 코드 x 100 = VRRM. |
| I | – | 중요 dv/dt 1000 V/μs. |
| O | – | 일반적인 종료 시간. |
| 8B | – | 버전 부품 번호. |
듀얼 사이리스터 듀얼 MCC95-16IO8B 및 교체용 ASMCC95-16-IO8B의 치수:
TO-240AA-8B
AS ENERGI의 고전력 반도체
이 회사는 다양한 전력 반도체(사이리스터, 다이오드, 모듈)를 제조합니다.
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각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.
파트너십 지역
AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.
물류 및 배송
당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.
AS ENERGITM 반도체 제조
당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.
주요 제품:
