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(EN)위상 절단 티리스터 KP500A (1800V - 2400V)
| 평균 순방향 전류, IT(AV) (TC, ºC) | 510А (70ºC) |
| 전압, VDRM/VRRM | 1800-2400 V |
| 전압 코드, VRRM / 100 | 18 – 24 |
| KP500A-(18...24) | on request
|
| 치수 ØDxØdxH | 58x34x26 mm |
| 무게 | 0.26 kg |
| 데이터시트 |  |
위상 제어 사이리스터 KP500A-(18...24) AS ENERGITM는 범용 파워 디스크 사이리스터로, 실리콘 제어 정류기(SCR)라고도 합니다. 최대 1800V – 2400V(전압 등급 18~24)의 전압 회로에서 최대 500Hz의 주파수로 최대 500A의 DC 및 AC 전류를 변환 및 제어하도록 설계되었습니다. 사이리스터 치수 ØDxØdxH - 58x34x26 mm(외부 케이스 지름 X 접촉면 지름 X 케이스 높이), 무게 - 0.26 kg.
사이리스터 등급: KP500A 1800V, KP500A 2000V, KP500A 2200V, KP500A 2400V.
사이리스터의 양극과 음극(극성)은 케이스에 표시된 기호로 결정됩니다.
파워 사이리스터 작동 중 냉각을 위해 쿨러(방열판)가 장착되어 있습니다. 발생되는 열의 양과 반도체의 작업 조건에 따라 자연 공기 흐름 냉각 또는 강제 냉각을 사용할 수 있습니다.
조립할 때 각 사이리스터 패키지 유형에 따라 필요한 클램핑 힘 Fm(파라미터 표에 표시됨)을 제공해야 합니다.
사이리스터는 온대, 저온 및 열대 기후에서 사용할 수 있도록 제조할 수 있습니다. 디스크 타입 KP 사이리스터는 전류를 빠르게 전환하고 제어해야 하는 다양한 전력 변환기(예: 용해로)에 사용됩니다.
사양 및 매개변수, 데이터시트 PDF, 치수, 도면, 케이스 다이어그램 사이리스터, 권장 쿨러는 아래에 나열되어 있습니다.
당사는 사이리스터에 대해 구매일로부터 2년의 품질 보증을 제공합니다. 사이리스터를 공급할 때 필요한 경우 품질 선언 및 적합성 인증서를 제공합니다.
위상 제어 디스크 사이리스터의 최종 가격은 등급, 수량, 배송 조건, 제조업체, 원산지 및 결제 방식에 따라 달라집니다.
위상 제어 사이리스터의 일반 사양 KP500A-(18...24):
| 사이리스터 사양 | KP500A-(18...24) | |
| 최대 허용 평균 순방향 전류(케이스 온도) | IT(AV)/(TC) | 510 A (70ºC) |
| 반복 펄스 폐쇄 상태 전압; 반복 펄스 역전압 | VDRM/VRRM | 1800-2400 V |
| 서지 온 상태 전류 | ITSM | 7.8 kA |
| 안전 계수 | I2t | 304 kA2·s |
| 오프 상태 전압의 임계 상승률 | dv/dt | 1000 V/µs |
| 온 상태 전류의 임계 상승률 | di/dt | 200 A/µs |
| 끄기 시간 | tq | 250 µs |
| p-n 접합 온도 | Tvj max | 125 ºC |
| 내열성, 접합부-케이스 | Rth(j-c) | 0.045 ºC/W |
| 클램핑 력 | Fm ±10% | 15 kN |
| 무게 | W | 0.26 kg |
| 치수 | ØDxØdxH | 58x34x26 mm |
| 데이터시트 | |
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위상 제어 사이리스터 KP500A 2400V용 부품 번호 안내서:
| KP | 500A | – | 2400V |
| KP | – | 사이리스터 유형: 위상 제어 사이리스터,  AS ENERGITM |
| 500A | – | 개방 상태의 평균 순방향 전류 IT(AV), A. |
| 2400V | – | 공칭 전압, V. |
디스크 사이리스터의 극성(양극, 음극, 게이트) 및 치수 KP500A-(18...24):
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사이리스터 KP500A-(18...24) 데이터시트:
사이리스터 KP500A-(18...24) 데이터시트 다운로드
AS ENERGI의 고전력 반도체
당사는 전력 반도체(파워 사이리스터, 다이오드, 모듈)의 제조 및 판매에 종사하고 있습니다.
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파워 디스크 사이리스터용 방열판:
방열판(라디에이터)은 디스크 설계에서 전력 반도체 장치의 단면 및 양면 냉각에 사용됩니다.
쿨러의 방열판은 알루미늄 라디에이터 프로파일로 만들어지며 다양한 기후 조건에서 사용할 때 추가 보호 코팅이 필요하지 않습니다.
방열판에 대한 자세한 정보 보기: "디스크 장치용 공랭식 히트싱크 O 시리즈", "에어 히트싱크 SF 시리즈", "워터 히트싱크 SS 시리즈".
위상 제어 사이리스터 SCR 사진:
AS ENERGI를 선택하는 이유TM
- 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
- 유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
- 반도체 산업에서 20년 이상의 경험
- 50개 이상의 국가에서 신뢰받는 고객
- 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
- 다른 제조사의 제품에 대한 대체품을 생산
- 보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년
품질 보증
당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.
각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.
파트너십 지역
AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.
물류 및 배송
당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.
AS ENERGITM 반도체 제조
당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.
주요 제품:
