Welding Diode RAXMGC0412 Powerex Replacement
| Powerex Part Number | RAXMGC0412 |
| Average forward current, IF(AV)M (TC) | 12000 (79ºC) |
| Voltage, VRRM | 400 V |
| Dimensions ØDxØdxH | 65x58x5 mm |
| Datasheet | |
| Replacement AS ENERGITM | A-DWRAXMGC0412 |
| Add to Cart | on request |
Welding Diode A-DWRAXMGC0412 AS ENERGITM is a replacement, analogue, alternative and equivalent semiconductor device for disc type welding diode RAXMGC, RAXMGC0412 Powerex. Average forward current IFAV – 12000 ampere, repetitive peak reverse voltage VRRM – 400V.
Features of Welding Diodes: ability to conduct high mean forward current, allowing to reduce the amount of parallel devices; high resistance to electric and thermal cycling ensures a long service life; minimal static losses; high maximal junction temperature (Tjmax) allows these diodes to conduct higher current with the same cooling system; possibility of double-sided cooling; optimized for high current rectifiers; very low thermal resistance; designed for medium and high frequency welding equipment. Air and water heat sinks for diode cooling are also available to order.
Rectifier Diodes AS ENERGITM have the following features: industry standard housing; low static and dynamic losses, high values of VRRM/VRSM, extensive experience of using the devices in various industries, range of voltages from 100 to 9000 V and amperages from 100 to 7500 A, high resistance to thermal and electric cycling.
Specifications and parameters, datasheet PDF, dimensions, drawings are listed below.
Our company provides a quality guarantee for welding diodes of 2 years from the date of purchase. When supplying diodes, if necessary, we provide technical passport and certificate of conformity.
The final price for welding diodes depends on the voltage class, quantity, delivery terms, manufacturer, country of origin and form of payment.
General specifications of Welding Diode RAXMGC0412 and Replacement:
| Diode specifications | RAXMGC0412 | |
| Maximum allowable average forward current (Case temperature) | IF(AV)M (TC) | 12000 (79ºC) |
| Max. repetitive peak reverse blocking voltage | VRRM | 400 V |
| Surge peak forward current | IFSM | 57.3 kA |
| Safety factor | I2t | 16416 kA2·s |
| Threshold voltage | VT(TO) | 0.977 V |
| Forward slope resistance | rT | - mΩ |
| Temperature of p-n junction | Tvj max | 175 ºC |
| Thermal resistance, junction to case | Rth(j-c) | 0.005 °C/W |
| Clamping force | Fm ±10% | 40-48.9 kN |
| Dimensions | ØDxØdxH | 65x58x5 mm |
| Replacement AS ENERGITM | type | A-DWRAXMGC0412 |
| Datasheet | ||
Part Numbering Guide for Welding Diodes:
| A | - | DW | RAXMGC | 04 | 12 |
| A | – | |
| DWY | – | Product group: Welding Diodes. |
| RAXMGC | – | Part Number. |
| 04 | – | VRRM = 400 V. |
| 12 | – | IF(AV) = 12000 A. |
Polarity (anode, cathode) of power rectifier disc diodes:
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High Power Semiconductors AS ENERGITM
Our company is engaged in the manufacturer and sale of wide range of power semiconductors (power thyristors, modules, rectifier diodes, avalanche, rotor and welding diodes, triacs etc.) currents up to 15000A and voltages to 9000V, and air and water heatsinks to them.
You can buy semiconductor devices in any volumes, and when ordering large lots, the price will be lower. We have earned the trust of customers and supply products all over the world.
For questions regarding the acquisition of Power Thyristors, Diodes, Modules send an email request to:
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저희는 귀하의 요청과 기술적 요구 사항에 따라
저희 생산 시설에서 제품을 제조할 준비가 되어 있습니다.
사진 갤러리
사진 갤러리에는 AS ENERGITM에서 생산한 다양한 반도체 장치, 반도체 칩, SCR 및 테스트 보고서 예시가 표시되어 있습니다.
Heat sinks for power rectifier disc diodes:
Heat sinks (radiators) are used for single- and double-sided cooling of power semiconductor devices in disc design.
Heat sinks of coolers are made of aluminum radiator profiles and do not require additional protective coating when used in various climatic conditions.
Air and water heat sinks for rectifier diode cooling are also available to order.
See for more information about heatsinks: "Air-cooled heatsinks O series for disc devices", "Air heatsink SF series", "Water heatsink SS series".
Photo of Welding Diodes:
AS ENERGI를 선택하는 이유TM
- 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
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품질 보증
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우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.
각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.
파트너십 지역
AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.
물류 및 배송
당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.
AS ENERGITM 반도체 제조
당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.
주요 제품:

우크라이나 (UA)
독일 (DE)
이탈리아 (IT)
인도 (EN)
터키 (TR)
프랑스 (FR)
일본 (JP)
대한민국 (KR)























































