용접 다이오드 5000A - 18000A - 시리즈 개요, 사양, 데이터 시트
용접 다이오드란 무엇인가?
용접 다이오드는 중고주파 산업 용접 장비에 사용하기 위해 설계된 다이오드로, 고전류 정류기에 최적화되어 있습니다. 용접 장비에서 다이오드 전압은 비교적 낮습니다 (200V - 600V). 높은 전력과 고전류 밀도를 보장하기 위해, 용접 다이오드는 최소 두께의 반도체 요소를 사용하며 합금화 기술을 통해 제조됩니다. 또한, 용접 다이오드 케이싱의 낮은 두께는 낮은 열 저항 Rth을 보장합니다.
AS ENERGITM는 일반 케이싱 용접 다이오드와 케이싱 없는 용접 다이오드를 모두 제조합니다. 후자는 고온 재료 결합을 위한 고전류 용접 응용 분야에서 점점 더 중요한 역할을 하고 있습니다.
용접 다이오드 제품군에는 다음과 같은 파라미터를 가진 다이오드가 포함됩니다: 전방 전류 정격 IFAV 범위는 5000A, 6000A, 6300A, 7100A, 9000A, 10000A, 11000A, 12000A, 16000A 케이싱 유형 용접 다이오드 및 7500A, 9500A, 10500A, 12500A, 13500A, 18000A 케이싱 없는 용접 다이오드; 역방향 차단 전압 VRRM 범위는 200V, 400V, 600V입니다.
용접 다이오드는 중주파(최대 2 kHz) 및 고주파(최대 10 kHz)에서 제공됩니다.
용접 다이오드는 매우 안정적인 온상태 동작을 제공하며, 낮은 정적 손실과 매우 낮은 열 저항을 가지므로 서지 보호 응용 분야에도 완벽하게 사용될 수 있습니다.
다음 기사도 참고하십시오: 표준 정류 다이오드, 애벌란치 다이오드, 위상 제어 타이리스터 (PCT), 고속 타이리스터, 고속 스위칭 타이리스터, 고전압 SCR 타이리스터 6500V, 파워 타이리스터 모듈.
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용접 다이오드 시리즈:
용접 다이오드 D 시리즈 AS ENERGITM
용접 다이오드 D 시리즈 AS ENERGITM는 전방 전류 IFAV가 7100A, 9500A, 11500A, 12500A이며, 역방향 차단 전압 VRRM은 200V, 400V입니다.
특징 : 높은 전방 전류 용량, 낮은 전방 손실, 낮은 열 저항, 높은 부하 사이클 능력.
| 유형 | IF(AV)M (Tcase) |
VRRM | IFRSM | IFSM | I2t | VF(T0) | rT | Tvj max | Rth(j-c) | Fm | W | 개요, 치수 ØDxØdxH | 데이터 시트 |
| A (°C) | V | A | kA | kA2·s | V | mΩ | ºC | ºC/W | kN | kg | mm | ||
| D053-7100 | 7100 (90) 7402 (85) |
200-400 | 11147 | 55 | 15125 | 0.75 | 0.029 | 170 | 0.0090 | 30-36 | 0.14 | 61x44x8 | |
| D056-9500 | 9500 (112) 11814 (85) |
200-400 | 14915 | 70 | 24500 | 0.74 | 0.030 | 180 | 0.0050 | 45-50 | 0.11 | 56x50x5 | |
| D063-11500 | 11500 (82) 11300 (85) |
200-400 | 18055 | 85 | 36125 | 0.73 | 0.026 | 180 | 0.0058 | 60-70 | 0.22 | 76x57x8 | |
| D066-12500 | 12500 (106) 14703 (85) |
200-400 | 19625 | 85 | 36125 | 0.72 | 0.026 | 180 | 0.0039 | 60-70 | 0.155 | 65x58x5 |
용접 다이오드 ZP 시리즈 AS ENERGITM
용접 다이오드 ZP 시리즈 AS ENERGITM는 전방 전류 IFAV 등급이 4000A에서 18000A까지이며, 역방향 차단 전압 VRRM은 200V에서 600V까지입니다.
| 유형 | IF(AV)M (TC=85°C) |
VRRM | IFSM | I2t | VF(T0) | rT | Tvj max | Rth(j-c) | Rth(c-h) | Fm | W | 패키지 | 개요, 치수 ØDxØdxH |
| A | V | kA | kA2·s | V | mΩ | ºC | ºC/W | ºC/W | kN | kg | mm | ||
| 하우징 용접 다이오드 | |||||||||||||
| ZP4000-(02...06) | 5000 | 200-600 | 45 | 10 | 0.80 | 0.030 | 170 | 0.010 | 0.005 | 20-25 | 0.14 | D1 | 61x44x8 |
| ZP7100-(02...06) | 7100 | 200-600 | 55 | 15 | 0.75 | 0.025 | 170 | 0.010 | 0.005 | 20-25 | 0.14 | D1 | 61x44x8 |
| ZP12000-(02...06) | 11000 | 200-600 | 85 | 36 | 0.75 | 0.020 | 170 | 0.006 | 0.003 | 35-40 | 0.22 | D2 | 75x57x8 |
| ZP16000-(02...06) | 16000 | 200-600 | 120 | 72 | 0.80 | 0.019 | 190 | 0.004 | 0.002 | 50-60 | 0.55 | D3 | 100x68x12 |
| Housingless Welding Diodes | |||||||||||||
| ZP10500-(02...06) | 10500 | 200-600 | 70 | 25 | 0.80 | 0.03 | 170 | 0.0050 | 0.0026 | 30-50 | 0.11 | D18 | 56x50x5 |
| ZP13500-(02...06) | 13500 | 200-600 | 85 | 36 | 0.75 | 0.02 | 170 | 0.0039 | 0.0025 | 35-70 | 0.15 | D19 | 64x58x5 |
| ZP18000-(02...06) | 18000 | 200-600 | 120 | 72 | 0.80 | 0.02 | 190 | 0.0035 | 0.0020 | 70-80 | 0.20 | D20 | 75x68x5 |
용접 다이오드 ABB 파워 그리드 (히타치 에너지)
용접 다이오드 5SDD 및 5SDF 시리즈 ABB 파워 그리드 (히타치 에너지) 및 그 대체품은 중간 주파수 (최대 2 kHz) 및 고주파 (최대 10 kHz)에서 사용할 수 있습니다. 전방 전류 IFAV 등급은 6300A에서 13500A까지입니다. 모든 제품은 매우 낮은 온 상태 전압을 특징으로 하며, VRRM은 200-400V, 낮은 정적 손실 및 매우 낮은 열 저항을 제공합니다.
용접 다이오드 중주파 (최대 2 kHz)
| 유형 | IF(AV)M (TC=85°C) |
VRRM | VFMAX | IFSM | VF0 | rF | Tvj max | Rth (j-c) |
Rth (c-h) |
Fm ±10% |
패키지 | 교체 AS ENERGITM |
데이터 시트 |
| A | V | V | kA | V | mΩ | ºC | K/kW | K/kW | kN | ||||
| 5SDD 71X0200 | 7110 | 200 | 1.05* | 55 | 0.74 | 0.026 | 170 | 10.0 | 5.0 | 22 | X | ADD 7100-02-X-00 | |
| 5SDD 71B0200 | 7110 | 200 | 1.05* | 55 | 0.74 | 0.026 | 170 | 10.0 | 5.0 | 22 | B | ADD 7100-02-B-00 | |
| 5SDD 71X0400 | 7110 | 400 | 1.00* | 55 | 0.74 | 0.026 | 170 | 10.0 | 5.0 | 22 | X | ADD 7100-04-X-00 | |
| 5SDD 71B0400 | 7110 | 400 | 1.05* | 55 | 0.74 | 0.026 | 170 | 10.0 | 5.0 | 22 | B | ADD 7100-04-B-00 | |
| 5SDD 92Z0401 | 9244 | 400 | 1.03** | 60 | 0.78 | 0.031 | 180 | 5.6 | 3.6 | 36 | Z1 | ADD 9200-04-Z-01 | |
| 5SDD 0105Z0401 | 10502 | 400 | 1.01** | 70 | 0.812 | 0.026 | 180 | 5.0 | 2.5 | 40 | Z2 | ADD 10500-04-Z-01 | |
| 5SDD 0120C0200 | 11000 | 200 | 0.92** | 85 | 0.75 | 0.020 | 170 | 6.0 | 3.0 | 37.5 | C | ADD 12000-02-C-00 | |
| 5SDD 0120C0400 | 11350 | 400 | 0.88** | 85 | 0.74 | 0.018 | 170 | 6.0 | 3.0 | 37.5 | C | ADD 12000-04-C-00 | |
| 5SDD 0135Z0401 | 13526 | 400 | 0.92** | 85 | 0.758 | 0.021 | 180 | 3.9 | 2.6 | 52.5 | Z3 | ADD 13500-04-Z-01 |
* – at IF=5000A, Tj=25°C
** – at IF=8000A, Tvj max
용접 다이오드 고주파 (최대 10 kHz)
| 유형 | IF(AV)M (TC=85°C) |
VRRM | VFMAX | IFSM | VF0 | rF | Qrr | Tvj max | Rth (j-c) |
Rth (c-h) |
Fm ±10% |
패키지 | 교체 AS ENERGITM |
데이터 시트 |
| A | V | V | kA | V | mΩ | μC | ºC | K/kW | K/kW | kN | ||||
| 5SDF 63B0400 | 6266 | 400 | 1.14* | 44 | 0.962 | 0.036 | 180 | 190 | 10.0 | 5.0 | 22 | B | ADF 6300-04-B-00 | |
| 5SDF 63X0400 | 6266 | 400 | 1.14* | 44 | 0.962 | 0.036 | 180 | 190 | 10.0 | 5.0 | 22 | X | ADF 6300-04-X-00 | |
| 5SDF 90Z0401 | 9041 | 400 | 1.13* | 48 | 0.979 | 0.032 | 200 | 190 | 5.6 | 3.6 | 36.0 | Z1 | ADF 9000-04-Z-01 | |
| 5SDF 0102C0400 | 10159 | 400 | 1.14** | 70 | 0.977 | 0.022 | 300 | 190 | 6.0 | 3.0 | 37.5 | C | ADF 10200-04-C-00 | |
| 5SDF 0103Z0401 | 10266 | 400 | 1.20** | 54 | 0.998 | 0.027 | 230 | 190 | 5.0 | 2.5 | 40.0 | Z2 | ADF 10300-04-Z-01 | |
| 5SDF 0131Z0401 | 13058 | 400 | 1.14** | 70 | 0.977 | 0.022 | 300 | 190 | 3.9 | 2.6 | 52.5 | Z3 | ADF 13100-04-Z-01 |
* – at IF=5000A, Tvj max
** – at IF=8000A, Tvj max
용접 다이오드 Infineon 테크놀로지
용접 다이오드 Infineon 테크놀로지는 중간 주파수 저항 용접 및 고전류 정류기 응용을 위해 개선된 손실로 설계되었습니다. 전방 전류 IFAV 등급은 5800A에서 12800A까지입니다. 모든 제품은 낮은 온 상태 전압을 특징으로 하며, VRRM은 600V로 뛰어난 전방 전류, 낮은 정적 손실 및 매우 낮은 열 저항을 제공합니다.
| 유형 | IF(AV)M (TC=100°C) |
VRRM | IFSM | I2t | VT0 | rT | Tvj max | Rth(j-c) | Fm | 치수 ØDxØdxH | 교체 AS ENERGITM |
데이터 시트 |
| A | V | A | kA2·s | V | mΩ | ºC | K/kW | kN | mm | |||
| 38DN06B02 | 5800 | 600 | 32300 | 5200 | 0.74 | 0.049 | 180 | 9.6 | 15-30 | 38x34x4 | ADW38DN06B02 | |
| 46DN06B02 | 7640 | 600 | 48000 | 11520 | 0.78 | 0.034 | 180 | 7.2 | 25-45 | 46x43x4 | ADW46DN06B02 | |
| 56DN06B02 | 10300 | 600 | 70000 | 24500 | 0.73 | 0.024 | 180 | 5.8 | 30-45 | 56x50x5 | ADW56DN06B02 | |
| 65DN06B02 | 12810 | 600 | 95000 | 45100 | 0.76 | 0.018 | 180 | 4.7 | 40-80 | 65x58x5 | ADW65DN06B02 |
용접 다이오드 Semikron
용접 다이오드 SKN6000 및 SKN7500/06 Semikron은 전방 전류 IFAV 등급이 6000A에서 7500A까지 제공되며, 역 차단 전압 VRRM은 200V에서 600V까지입니다.
용접 다이오드의 특징: 압력 접촉이 있는 캡슐형 금속-세라믹 패키지 또는 외부 케이스가 없는 슬림 패키지, 중간 전압, 고전류 정류기 다이오드로, 가장 낮은 열 저항을 위한 슬림 패키지, 낮은 전력 소산 및 낮은 열 저항을 제공하며, 특히 수냉식에 적합합니다. 병렬 연결을 위한 전방 선택 기능도 제공됩니다.
| 유형 | IF(AV)M (TC=85°C) |
VRRM | IFSM | I2t | VF(T0) | rT | Tvj max | Rth (j-c) |
Fm | W | 패키지 | 교체 AS ENERGITM |
데이터 시트 |
| A | V | kA | kA2·s | V | mΩ | ºC | K/kW | kN | kg | ||||
| SKN 6000/02 | 6000 | 200 | 50 | 12500 | 0.70 | 0.04 | 180 | 0.012 | 24-30 | 0.13 | E35 | ADWN 6000-02 | |
| SKN 6000/04 | 6000 | 400 | 50 | 12500 | 0.70 | 0.04 | 180 | 0.012 | 24-30 | 0.13 | E35 | ADWN 6000-04 | |
| SKN 6000/06 | 6000 | 600 | 50 | 12500 | 0.70 | 0.04 | 180 | 0.012 | 24-30 | 0.13 | E35 | ADWN 6000-06 | |
| SKN 7500/06 | 7500 | 600 | 50 | 12500 | 0.70 | 0.038 | 180 | 0.009 | 24-30 | 0.08 | E28 | ADWN 7500-06 |
용접 다이오드 Techsem
용접 다이오드 Y50ZPA 시리즈 Techsem 및 그 교체품은 압력 접촉이 있는 금속-세라믹 밀폐형 케이스로 제공되며, 전방 전류 IFAV는 6360A, 역 차단 전압 VRRM은 200V-400V입니다.
| 유형 | IF(AV)M (Tcase) |
VRRM | IFSM | I2t | VF(T0) | rF | Tvj max | Rth (j-c) |
Fm | W | 개요, 치수 ØDxØdxH | 교체 AS ENERGITM |
데이터 시트 |
| A (ºC) | V | kA | kA2·s | V | mΩ | ºC | ºC/W | kN | kg | mm | |||
| Y50ZPA-63-04 | 5400 (85) 6360 (55) |
200-400 | 55 | 15125 | 0.75 | 0.052 | 190 | 0.0135 | 19-26 | 0.14 | 62x44x8 | ADWY50A-63-04 |
공랭 및 수랭 히트싱크 디스크 타입 정류기 다이오드용
반도체 장치는 높은 전류와 높은 역 전압에서 작동할 때 실리콘 칩의 p-n 접합에서 높은 전력을 발생시킵니다.
공기 및 수중 히트싱크는 전력 정류기 다이오드의 냉각에 사용됩니다.
히트싱크는 전력 소모와 냉각 표면 면적으로 특징지어지며, 다이오드의 작동 전력에서 필요한 열 방출을 기준으로 선택됩니다.
디스크 타입 정류기 다이오드에서, 필요한 압착 접촉력은 히트싱크와 함께 조립될 때만 제공됩니다.
전기 손실을 최소화하고 열 방출을 최대화하려면 조립 중 필요한 압착력 Fm이 제공되어야 합니다.
다이오드의 축 방향 힘 Fm, 즉 다이오드 압축력의 값은 패키지 직경(하우징 타입)에 따라 10에서 100 kN까지 다르며, 이는 데이터시트에 명시되어 있습니다.
히트싱크는 Ø19 mm에서 Ø100 mm까지의 접촉 표면 직경을 가진 디스크(태블릿 타입) 반도체에 사용됩니다.
디스크 타입 정류기 다이오드용 히트싱크에 대한 자세한 정보는 다음에서 확인할 수 있습니다:
"공랭 히트싱크 O 시리즈", "공기 히트싱크 SF 시리즈", "수중 히트싱크 SS 시리즈".
디스크 타입 전력 정류기 다이오드 설치 권장 사항:
다이오드와 냉각기 사이의 맞닿은 표면에서 열 전달과 전기 접촉의 신뢰성은 적절한 토크 (압착력)에 의해 보장됩니다.
조립 전에 시각적 검사 (1)를 통해 기계적 손상이 없는지 확인하고, 알콜 (톨루엔, 가솔린, 아세톤)로 닦아 (2)야 합니다.
검사를 마친 후, 전류 접점 고정 (리드), 구조 정렬을 고정할 핀을 설치합니다.
열 전달 매개변수를 개선하려면 조립 전에 얇은 실리콘 열 전도성 페이스트를 도포 (3)하는 것이 좋지만, 이는 설치의 필수 조건은 아닙니다.
다이오드 (3), 냉각기의 두 번째 부분, 유리섬유 절연체 및 스러스트 와셔를 설치합니다.
트래버스를 통해 나사를 (4) 끼우고 너트를 고르게 조입니다. 비정렬 및 접촉 표면의 평탄도를 확인합니다.
부품이 충분히 조여졌으나 움직일 수 있을 때, 냉각기를 평평한 표면에 놓고 전체 인접 평면의 평행도 (5)를 확인하는 것이 좋습니다.
각 나사를 차례대로 (약 1/4회전) 정지까지 조입니다 (6). 트래버스의 변형량은 달성된 압착력이 요구된 값에 부합하는지 여부를 결정합니다.
설치 후, 고정 장치(너트 및 와셔)는 추가로 부식에 대해 보호해야 합니다.
전력 다이오드에 대한 팁과 권장 사항:
전력 다이오드는 모든 매개변수에서 한계 부하로 오랜 시간 동안 작동해서는 안 됩니다. 이 경우 안전 계수는 장치의 요구되는 신뢰성 수준에 의해 결정됩니다.
고장난 전력 다이오드는 교체되는 다이오드의 매개변수와 일치하는 다이오드로 교체해야 합니다.
고온 환경에서 작동할 때는 슈퍼쿨링이 필요합니다.
전력 다이오드와 냉각기는 적절한 열 방출을 보장하기 위해 주기적으로 청소하여 먼지와 오염 물질을 제거하는 것이 권장됩니다.
병렬로 연결된 전력 다이오드 사이의 전류 균등화를 위해 유도성 전류 분배기(종종 비틀린 토로이드형 와이어)를 사용해야 합니다. 가장 인기 있는 연결 방법은 폐쇄 회로, 공통 코일 회로 또는 전력 다이오드입니다. 이 경우 전류 분배기의 효율성은 자성 와이어의 단면적에 의해 결정됩니다.
전력 다이오드가 직렬로 연결될 때 전압 불균형을 방지하려면 각 다이오드와 병렬로 연결된 션트 저항기를 사용해야 합니다. 과도 상태에서 전압 균등화는 각 다이오드에 병렬로 연결된 커패시터에 의해 제공됩니다.
작동 중 고전압이 걸린 전력 다이오드를 만지는 것은 엄격히 금지되어 있습니다.
AS ENERGI를 선택하는 이유TM
- 반도체 실리콘 칩 생산을 포함한 자체 생산 시설
- 유럽 브랜드 - 100% 품질, 유리한 가격, 짧은 생산 기간
- 반도체 산업에서 20년 이상의 경험
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- 10A에서 15000A, 100V에서 9000V까지의 전류 범위를 위한 20000개 품목
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- 보증된 인증 품질, 운영 보증 기간 - 2년
품질 보증
당사의 제품은 인증을 받았으며 국제 표준에 부합합니다.
우리 회사는 제품에 대해 2년 품질 보증을 제공합니다.
고객의 요청에 따라 적합성 인증서, 신뢰성 보고서, 데이터 시트 및 기술 여권을 제공합니다.
각 제품은 주요 매개변수에 대해 테스트되며, 각 제품의 매개변수에 대한 테스트 보고서가 제공됩니다.
파트너십 지역
AS ENERGITM 회사는 전력 반도체를 제조하여 전 세계 50여 개국에 공급하는 회사입니다.
물류 및 배송
당사는 물류 회사의 서비스를 통해 전 세계로 제품을 배송합니다: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
항공, 해상, 철도, 도로 등 모든 운송 수단을 통해 제품을 배송할 수 있습니다.
AS ENERGITM 반도체 제조
당사의 제품 범위에는 정류 다이오드, 디스크 및 스터드 설계의 위상 제어 사이리스터, 아발란슈 다이오드 및 사이리스터, 고속 스위칭, 고주파 사이리스터, 빠른 회복 다이오드, 용접 및 로터 다이오드, 트라이악, 브리지 정류기, 전력 모듈(사이리스터, 다이오드, 사이리스터-다이오드, IGBT), 그리고 이들에 대한 공기 및 수냉식 히트싱크가 포함됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터는 10A에서 15000A까지, 전압 범위는 100V에서 9000V까지 생산됩니다.
전력 다이오드 및 사이리스터 모듈은 25A에서 1250A까지, 전압 범위는 400V에서 4400V까지 생산됩니다.
전력 반도체 제품군에는 글로벌 제조업체의 동등, 교체, 아날로그 및 대체 반도체 장치도 포함됩니다.
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